一、光探測(cè)器與光學(xué)系統(tǒng)（論文文獻(xiàn)綜述）
石國(guó)強(qiáng)[1]（2021）在《玻璃基板表面高度信息獲取方法的研究》文中指出大尺寸超薄玻璃基板是戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)-電子信息顯示產(chǎn)業(yè)最重要的基礎(chǔ)材料之一,其生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)高度變化過(guò)大的問(wèn)題,導(dǎo)致信息顯示器件關(guān)鍵組件的缺陷,直接影響所顯示圖形的質(zhì)量,甚至造成次品和廢品的產(chǎn)生。因此,針對(duì)玻璃基板表面高度信息獲取方法的研究就至關(guān)重要。目前主要采用非接觸式測(cè)量,其中光譜共焦技術(shù)因在測(cè)量中具有快速性、準(zhǔn)確性高等特點(diǎn)得到更多的關(guān)注。本文提出基于光譜共焦測(cè)量原理的玻璃基板表面高度信息獲取的方法,通過(guò)理論分析和軟件仿真,設(shè)計(jì)出一套光譜共焦測(cè)量系統(tǒng),同時(shí)利用CCD相機(jī)采集光譜圖像來(lái)替換光譜儀,作為測(cè)量系統(tǒng)的圖像采集,為光譜共焦系統(tǒng)后續(xù)的研究做好基礎(chǔ)。本文主要通過(guò)以下幾點(diǎn)進(jìn)行研究:（1）對(duì)光譜共焦系統(tǒng)理論進(jìn)行詳細(xì)研究,對(duì)影響系統(tǒng)性能的主要因素進(jìn)行分析。針對(duì)光學(xué)系統(tǒng)中各個(gè)部件進(jìn)行分析,選擇合理的硬件,設(shè)定光學(xué)設(shè)計(jì)指標(biāo)。針對(duì)關(guān)鍵元件-色散物鏡進(jìn)行仿真,得到的色散大小為500μm,并擬合得到波長(zhǎng)與軸向高度的關(guān)系。（2）為了有利于系統(tǒng)集成化以及降低系統(tǒng)成本,使用彩色CCD相機(jī)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的光譜儀,作為光譜圖像采集裝置。針對(duì)圖像光譜中心像素點(diǎn)RGB數(shù)值與波長(zhǎng)之間的關(guān)系難以直接轉(zhuǎn)換的問(wèn)題,提出顏色轉(zhuǎn)換模型。通過(guò)公式將RGB數(shù)值換算為XYZ顏色模型,再通過(guò)XYZ顏色模型中色度坐標(biāo)與波長(zhǎng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系,提出利用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,建立測(cè)量精度更高的數(shù)學(xué)模型。（3）采用設(shè)計(jì)的光路進(jìn)行玻璃基板表面高度信息獲取系統(tǒng)的搭建。首先,驗(yàn)證了不同位置處對(duì)應(yīng)光譜圖像的顏色不一致。然后,針對(duì)已有的數(shù)據(jù)對(duì)二者進(jìn)行BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)預(yù)測(cè),擬合結(jié)果表明,BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)擬合精度高。同時(shí)選用特定波長(zhǎng)的濾光片對(duì)數(shù)學(xué)模型進(jìn)行驗(yàn)證,得到預(yù)測(cè)波長(zhǎng)的平均絕對(duì)誤差不超過(guò)0.6 nm。并將預(yù)測(cè)波長(zhǎng)帶入波長(zhǎng)與軸向高度的擬合公式,剔除較大誤差之后,得到系統(tǒng)測(cè)量高度位置絕對(duì)誤差不超過(guò)1.4μm,范圍500μm,滿足工業(yè)的微米級(jí)測(cè)量精度要求。
武剛[2]（2021）在《光通信系統(tǒng)中亞波長(zhǎng)光柵分束器及屋形諧振腔的研究》文中研究表明伴隨著5G、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)和人工智等IT技術(shù)的迅速發(fā)展,作為其主要支撐的光通信技術(shù)也迎來(lái)了新的變革與挑戰(zhàn)。為了實(shí)現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)傳輸速率,光通信系統(tǒng)中各類光模塊和光器件性能大幅提升,并逐漸向小型化、高速化、集成化的方向發(fā)展。其中,硅基亞波長(zhǎng)光柵因其卓越的光學(xué)衍射特性,被廣泛應(yīng)用于激光器、光探測(cè)器、耦合器、濾波器、傳感器等光電子器件中,并可利用它們實(shí)現(xiàn)更為復(fù)雜的光子集成電路。此外,基于高品質(zhì)因子微腔的多種功能器件的出現(xiàn),極大地推動(dòng)了光子集成和光子芯片等領(lǐng)域的發(fā)展。本文主要圍繞亞波長(zhǎng)光柵分束器及一種屋形光學(xué)諧振腔展開(kāi)理論分析及實(shí)驗(yàn)研究,主要的創(chuàng)新點(diǎn)和研究成果如下:1.研究了非周期亞波長(zhǎng)光柵的衍射光波前相位控制特性,提出了透射光為平行光束的一維亞波長(zhǎng)光柵功率分束器,設(shè)計(jì)了偏轉(zhuǎn)角分別為15°和30°、功率比為1:2的1×2功率分束器,仿真得到分束后兩光束的偏轉(zhuǎn)角分別為14.4°和29.5°,功率比約為1:1.87,與設(shè)計(jì)值基本相符。此外,還提出了一維亞波長(zhǎng)光柵合束器、透射光為會(huì)聚光束的一維亞波長(zhǎng)光柵功率分束器、一維亞波長(zhǎng)光柵雙焦透鏡等結(jié)構(gòu),并對(duì)這些器件的性能進(jìn)行仿真驗(yàn)證。2.提出了基于雙層結(jié)構(gòu)一維條形亞波長(zhǎng)光柵的偏振分束器,設(shè)計(jì)了焦距40μm,能夠?qū)崿F(xiàn)波長(zhǎng)1.55μm、垂直入射的TM偏振光反射會(huì)聚、TE偏振光透射會(huì)聚的偏振分束器。仿真得到的TM反射光束焦距為40 μm,焦點(diǎn)處光場(chǎng)強(qiáng)度的半高全寬約1.88 μm,總反射率為90.8%;TE透射光束焦距為38.3 μm,焦點(diǎn)處光場(chǎng)強(qiáng)度的半高全寬約1.7 μm,總透射率為82.4%。該器件能夠很好地實(shí)現(xiàn)兩種正交偏振態(tài)的分離,并使分束后的光束各自會(huì)聚。3.提出了基于二維塊狀亞波長(zhǎng)光柵的1×N功率分束器,理論分析中,設(shè)計(jì)了焦距為10 μm的透射型1×3和1×4功率分束器,仿真得到二者的焦距分別為9.5 μm和9.7 μm,總透射率分別為89%和87.2%,焦平面上各會(huì)聚點(diǎn)光場(chǎng)強(qiáng)度的半高全寬均小于2 μm。實(shí)際使用中,在SOI晶片上制備了焦距為150μm、半徑為216 μm的圓形1×3功率分束器和邊長(zhǎng)為370 μm的方形1×4功率分束器,測(cè)量得到兩功率分束器的焦距約為170 μm,焦平面上會(huì)聚光斑輪廓清晰。4.提出了基于二維塊狀亞波長(zhǎng)光柵的柱面透鏡、柱面反射鏡和柱面分束透鏡。理論分析中,設(shè)計(jì)了焦距為6 μm的凸柱面透鏡和凹柱面反射鏡,仿真得到二者的焦距分別為5.85 μm和5.6μm,兩線狀會(huì)聚光斑光場(chǎng)強(qiáng)度的半高全寬分別為0.82μm和1.08 μm。實(shí)際使用中,制備了周期為0.6 μm、焦距為250μm、面積為400 μm×400 μμm的亞波長(zhǎng)光柵凸柱面透鏡,在600 μm處測(cè)得透射光束的線狀遠(yuǎn)場(chǎng)圖像,兩正交方向光斑光場(chǎng)強(qiáng)度的半高全寬分別為250 μm和680 μm。當(dāng)改變?nèi)肷涔獾钠穹较驎r(shí),線狀光斑的歸一化強(qiáng)度保持不變,表明基于二維亞波長(zhǎng)光柵的柱面透鏡具有低的偏振敏感性。此外,還制備了 1×2柱面分束透鏡,并對(duì)其衍射特性進(jìn)行測(cè)試。5.提出了基于二維塊狀亞波長(zhǎng)光柵的光束偏轉(zhuǎn)器,理論分析中,設(shè)計(jì)了面積為7.8μm×7.8 μm、偏轉(zhuǎn)角分量為α=30°（光束在光柵平面內(nèi)投影與χ軸的夾角）、β=30°（光束與z軸夾角）的光束偏轉(zhuǎn)器,仿真得到光束偏轉(zhuǎn)角α和β分別為31.4°和29.5°。實(shí)際使用中,制備了面積為400μm×400 μm、兩偏轉(zhuǎn)角分量均為30°的光束偏轉(zhuǎn)器,測(cè)量得到兩偏轉(zhuǎn)角分量分別為α測(cè)=29.5°、β測(cè)=29.6°,實(shí)現(xiàn)了對(duì)平行光束精確的偏轉(zhuǎn)控制。6.與他人合作提出并實(shí)現(xiàn)了與亞波長(zhǎng)光柵功率分束器混合集成、對(duì)稱分布的三單元/四單元單行載流子光探測(cè)器陣列。在-2V偏壓下,測(cè)量得到與1×3光柵功率分束器集成的三單元光探測(cè)器陣列的最大射頻輸出功率為11.5 dBm@15 GHz,飽和光電流為70 mA@15 GHz;與1×4光柵功率分束器集成的四單元光探測(cè)器陣列的最大射頻輸出功率為13.1 dBm@15 GHz,飽和光電流為91 mA@15 GHz。和相同結(jié)構(gòu)的單個(gè)單行載流子光探測(cè)器相比,飽和特性有較大的提升。7.提出了一種由非平行反射鏡構(gòu)成的屋形光學(xué)諧振腔,分析了不同區(qū)域入射光束的諧振條件,仿真得到頂部反射鏡傾角為1°、高度為4.468μm、寬度為14.976μm的屋形諧振腔TE20,1模線寬小于0.008 nm,品質(zhì)因子不小于1.938×105。與具有相同尺寸參數(shù)的平行平面腔相比,屋形諧振腔能夠?qū)⒐鈭?chǎng)限制在更小的區(qū)域,實(shí)現(xiàn)了更小的光譜線寬、更高的品質(zhì)因子和更小的模式體積。此外,還提出一種擴(kuò)展結(jié)構(gòu)的錐頂形光學(xué)諧振腔,并對(duì)其諧振特性進(jìn)行了理論分析。
魏加立[3]（2021）在《空間TOF相機(jī)光機(jī)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)》文中進(jìn)行了進(jìn)一步梳理近年來(lái),隨著航天技術(shù)的快速發(fā)展,在月球探測(cè)、交會(huì)對(duì)接以及深空探測(cè)任務(wù)中面臨的空間環(huán)境愈發(fā)復(fù)雜,這些都給深空探測(cè)技術(shù)提出了新的挑戰(zhàn)?？臻gTOF相機(jī)是一種應(yīng)用于空間領(lǐng)域的新興探測(cè)設(shè)備,可同時(shí)獲取強(qiáng)度與深度信息,并且有著體積小巧、幀率高、實(shí)時(shí)性強(qiáng)的優(yōu)勢(shì)。目前,TOF相機(jī)在我國(guó)航天領(lǐng)域還沒(méi)有成功應(yīng)用案例,本文針對(duì)我國(guó)某航天設(shè)備上首次搭載的小型空間TOF相機(jī)光機(jī)結(jié)構(gòu)開(kāi)展相關(guān)研究,具體研究工作如下:詳細(xì)探究了空間TOF相機(jī)的工作機(jī)理及數(shù)學(xué)模型,對(duì)比分析了目前主流的3D相機(jī)（雙目視覺(jué)、結(jié)構(gòu)光）與TOF相機(jī)的各自優(yōu)勢(shì)。結(jié)合空間TOF相機(jī)的研制要求,對(duì)相機(jī)的光機(jī)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)進(jìn)行了設(shè)計(jì),確定了TOF相機(jī)的光學(xué)系統(tǒng)及整體結(jié)構(gòu)方案。從材料的力、熱性能與工藝性角度考慮,優(yōu)選相機(jī)光機(jī)結(jié)構(gòu)材料。采用有限元分析方法,對(duì)相機(jī)關(guān)鍵部件（鏡筒）進(jìn)行了力學(xué)特性分析及結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化。隨后,對(duì)空間TOF相機(jī)整機(jī)光機(jī)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了詳細(xì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。利用有限元分析方法分析了整機(jī)的靜力學(xué)、動(dòng)力學(xué)及熱結(jié)構(gòu)特性。分析結(jié)果表明,溫度與過(guò)載工況下,整機(jī)最大應(yīng)力為120.2MPa,最大變形為283.6nm;整機(jī)基頻為399Hz,具有足夠高的動(dòng)態(tài)剛度;55℃均勻溫升載荷工況下,各光學(xué)透鏡面形精度均滿足PV≤?/10,RMS≤?/40（?=632.8nm）的設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。最后,研制了空間TOF相機(jī)的初樣,并對(duì)大小視場(chǎng)光學(xué)鏡頭進(jìn)行了性能測(cè)試。利用MATLAB軟件對(duì)檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行數(shù)據(jù)處理,得出光學(xué)鏡頭的主要性能參數(shù)。結(jié)果表明,相機(jī)大小視場(chǎng)光學(xué)鏡頭的各項(xiàng)實(shí)測(cè)性能參數(shù)均滿足設(shè)計(jì)指標(biāo)要求。
張巖焱[4]（2021）在《全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦納米材料的可控制備及光電性質(zhì)研究》文中研究指明隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展,低維半導(dǎo)體納米材料（包括:量子點(diǎn)、納米線、納米帶、納米管和納米晶等）在新型納米光電器件領(lǐng)域扮演著愈來(lái)愈重要的角色。影響半導(dǎo)體材料發(fā)光效率、吸收系數(shù)、載流子擴(kuò)散系數(shù)、載流子遷移率等光電性質(zhì)的參數(shù)較多,其中半導(dǎo)體的禁帶寬度決定了半導(dǎo)體材料的吸收和發(fā)射性能,進(jìn)而影響半導(dǎo)體光電器件的應(yīng)用。自然界中天然存在的半導(dǎo)體種類少之又少,一方面,由于傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料經(jīng)濟(jì)成本高、材料尺寸較大、應(yīng)用于集成器件中難度高等諸多限制因素,在半導(dǎo)體納米信息器件的大規(guī)模應(yīng)用上仍然面臨著很大挑戰(zhàn),另外,傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的帶隙局限性嚴(yán)重影響了多功能光電器件的發(fā)展與應(yīng)用。國(guó)內(nèi)外科研工作者為了打破帶隙局限性,在不同半導(dǎo)體材料帶隙調(diào)制方面做了許多出色的研究工作,在拓寬材料帶隙范圍的同時(shí),也為未來(lái)基于帶隙調(diào)制半導(dǎo)體在集成器件上的應(yīng)用提供了可能。為了研究納米尺度下帶隙遞變或突變的半導(dǎo)體在納米光電器件中的性能,需深入開(kāi)展納米結(jié)構(gòu)的帶隙調(diào)制工作。全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦納米材料由于其優(yōu)異的光電性能（例如高光學(xué)吸收系數(shù)、長(zhǎng)載流子擴(kuò)散長(zhǎng)度及壽命、高載流子遷移率等）、可見(jiàn)光波長(zhǎng)范圍內(nèi)波長(zhǎng)可調(diào)以及材料組成的豐富性等,近年來(lái)受到科研人員的廣泛關(guān)注。本論文通過(guò)改進(jìn)化學(xué)氣相沉積法（CVD）實(shí)驗(yàn)裝置,將不同帶隙的全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料在單基片上集成以及制備帶隙突變的異質(zhì)結(jié)納米線、納米帶。具體研究工作歸納如下:（1）成功制備了銫鉛鹵化物鈣鈦礦（Cs Pb X3,X=Cl,Br,I）納米晶結(jié)構(gòu),通過(guò)加裝步進(jìn)電機(jī)克服了真空管式爐腔內(nèi)固體反應(yīng)源物質(zhì)無(wú)法控制的難題,在高溫生長(zhǎng)條件下完成反應(yīng)源物質(zhì)的更替,實(shí)現(xiàn)單基片上Cs Pb Cl3（1-x）Br3x組分連續(xù)遞變,沿襯底長(zhǎng)度方向完成帶隙調(diào)制,實(shí)現(xiàn)了可調(diào)諧WGM納米激光器。（2）通過(guò)探索全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦納米線的生長(zhǎng)條件,在錫催化劑的作用下成功制備錫催化的銫鉛鹵化物鈣鈦礦（Cs Pb X3,X=Cl,Br,I）納米線,然后通過(guò)改進(jìn)后的化學(xué)氣相沉積裝置完成反應(yīng)源物質(zhì)的替換,完成Cs Pb Cl3-Cs Pb I3異質(zhì)結(jié)納米線的制備工作,研究了材料的光學(xué)性質(zhì)。（3）在原有化學(xué)氣相沉積法實(shí)驗(yàn)裝置上加裝步進(jìn)電機(jī)來(lái)輔助反應(yīng)源物質(zhì)移動(dòng),通過(guò)多步驟反應(yīng)合成制備Cd S-Cd Sx Se1-x-Cd S合金納米帶橫向異質(zhì)結(jié)。在405 nm激光的照射下,該納米帶中間為紅色發(fā)光,兩側(cè)為綠色發(fā)光,呈現(xiàn)“綠-紅-綠”的三明治結(jié)構(gòu),在納米帶寬度方向?qū)崿F(xiàn)帶隙調(diào)制,利用這些獨(dú)特的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體納米帶光探測(cè)器。
張濤[5]（2021）在《基于PbS量子點(diǎn)/硅微孔陣列窄帶近紅外探測(cè)器的研究》文中研究指明近紅外探測(cè)器在信息技術(shù)及生物醫(yī)學(xué)等諸多領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用,但通常面臨高成本濾光片以及復(fù)雜光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)和集成等諸多問(wèn)題。硅基光探測(cè)器由于與CMOS工藝具有非常好的兼容性,是集成光電子器件的理想選擇。新型硅微孔限光結(jié)構(gòu)陣列因其可通過(guò)成熟的微加工工藝制備,光學(xué)特性可調(diào)等特性,可用于構(gòu)建高性能硅基近紅外探測(cè)器。硫化鉛量子點(diǎn)（Pb S QDs）因其帶隙小而激子波爾半徑大的特點(diǎn),在近紅外光探測(cè)器中有著潛在的應(yīng)用前景。本文結(jié)合可調(diào)控的硅微孔陣列和Pb S QDs優(yōu)異近紅外特性,系統(tǒng)開(kāi)展基于Pb S QDs/Si MHs近紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì),制備及性能研究,且主要研究?jī)?nèi)容及研究成果如下:（1）基于半導(dǎo)體光吸收特性和器件理論,提出了硅微孔陣列背照式肖特基二極管（SD）構(gòu)建窄帶近紅外光探測(cè)器。利用Silvaco TCAD構(gòu)建了三維肖特基結(jié)光探測(cè)器模型,研究了器件的光生載流子的產(chǎn)生和收集特性。結(jié)合現(xiàn)有器件制備工藝,通過(guò)調(diào)控硅微孔陷光結(jié)構(gòu),探索研究器件近紅外光場(chǎng)與光照角度的關(guān)系,優(yōu)化肖特基結(jié)光探測(cè)器近紅外響應(yīng)性能。（2）基于硅微孔陣列結(jié)構(gòu)限光仿真優(yōu)化設(shè)計(jì),利用光刻和感應(yīng)耦合等離子體刻蝕方法（ICP）等微加工工藝,成功制備硅微孔陣列結(jié)構(gòu),通過(guò)濕法轉(zhuǎn)移石墨烯電極構(gòu)建了Si MHs/Gr SD;為提升器件的近紅外響應(yīng)特性,采用可控的旋涂工藝,在硅微孔陣列上制備了均勻Pb S QDs薄膜,構(gòu)建了Pb S QDs/Si MHs/Gr光探測(cè)器。光電特性表征發(fā)現(xiàn),器件具有明顯的近紅外窄帶響應(yīng),峰值波長(zhǎng)為1064nm,探測(cè)率高達(dá)1.12?1012 Jones,響應(yīng)度達(dá)0.71 A/W,明顯高于Si MHS/Gr SD和Si/Gr SD兩個(gè)數(shù)量級(jí)以上。（3）基于脈搏監(jiān)測(cè)原理中的電容積脈搏波描記法（PPG）,搭建了由1064nm發(fā)光二極管、放大器、示波器以及Pb S QDs/Si MHs/Gr肖特基結(jié)近紅外光探測(cè)器組成的脈搏測(cè)量系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了與商用的PPG可比擬的心率檢測(cè),且具有良好的抗環(huán)境光干擾。
劉渝城[6]（2020）在《大尺寸高質(zhì)量鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)及其光電性能研究》文中認(rèn)為有機(jī)無(wú)機(jī)鉛鹵化物鈣鈦礦半導(dǎo)體由于其組分可調(diào)、簡(jiǎn)單的溶液制備方法、強(qiáng)的光吸收能力、低的材料成本等優(yōu)點(diǎn)使得它們的多晶薄膜在光伏和光電應(yīng)用研究方面取得了快速進(jìn)展。然而,在多晶薄膜中存在的大量晶界和缺陷被證明是導(dǎo)致離子遷移和快速分解的主要原因,這也是導(dǎo)致鈣鈦礦太陽(yáng)電池低穩(wěn)定性和嚴(yán)重遲滯效應(yīng)的兩個(gè)主要因素。與多晶薄膜相比,沒(méi)有晶界的鈣鈦礦單晶由于具有更優(yōu)異的性質(zhì),如更長(zhǎng)的載流子壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度,更低的體缺陷態(tài)密度,更高的載流子遷移率以及更寬的光譜吸收范圍等,顯著增強(qiáng)了其光電特性。然而,目前報(bào)道的鈣鈦礦單晶仍然存在以下不足:（1）單晶尺寸較小,質(zhì)量不夠高,限制了器件性能進(jìn)一步提升和應(yīng)用。（2）單晶的體電阻率較小,使得其光電器件暗電流過(guò)高。（3）單晶內(nèi)部的離子容易遷移,尤其是在高電場(chǎng)下離子遷移異常明顯,導(dǎo)致探測(cè)器響應(yīng)不穩(wěn)定,響應(yīng)速度較慢,器件信噪比低,基線漂移嚴(yán)重,器件電極被破壞,繼而降低器件的穩(wěn)定性。（4）鈣鈦礦單晶中普遍含有大量的高毒性鉛,極大地限制了其廣泛應(yīng)用。因此,針對(duì)以上問(wèn)題,本文圍繞高質(zhì)量大尺寸鈣鈦礦單晶的生長(zhǎng)策略、反應(yīng)機(jī)理、溶解-結(jié)晶平衡、結(jié)構(gòu)維度設(shè)計(jì)、毒性鉛的替換及其光電探測(cè)性能,開(kāi)展的系統(tǒng)研究工作如下:Ⅰ.通過(guò)優(yōu)化晶體成核和生長(zhǎng)過(guò)程,研發(fā)了一種低溫梯度結(jié)晶（LTGC）的方法,制備了尺寸為47 × 41 × 14 mm3的高質(zhì)量三維（3D）結(jié)構(gòu)鈣鈦礦CH3NH3PbBr3單晶。該單晶表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性質(zhì),如低的缺陷態(tài)密度、高的載流子遷移率、長(zhǎng)的載流子壽命和擴(kuò)散長(zhǎng)度。使用該單晶制備的光探測(cè)器具有高的工作穩(wěn)定性,大的外量子效率（13453%）,高的探測(cè)率（8 × 1013 Jones）以及短的響應(yīng)時(shí)間（15.8μs）。Ⅱ.開(kāi)發(fā)了遷移率為81±5 cm2 V-1s-1、載流子壽命為899±127 ns、缺陷態(tài)密度為6.2±2.7×109 cm-3的高質(zhì)量3D結(jié)構(gòu)鈣鈦礦單晶。基于該單晶進(jìn)一步設(shè)計(jì)和制備了由729像素組成的大面積（約1300mm2）傳感器陣列成像組件,實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異的成像性能。Ⅲ.提出了一種外圍誘導(dǎo)結(jié)晶策略,成功地生長(zhǎng)了大面積可彎曲的2D結(jié)構(gòu)鈣鈦礦（C6H5C2H4NH3）2PbI4薄膜單晶（SCM）,最大面積超過(guò)2500 mm2,厚度最薄為0.6μm。這些薄膜單晶具有低的缺陷態(tài)密度、優(yōu)異的光響應(yīng)均勻性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性。利用這些薄膜單晶,設(shè)計(jì)并制備了柔性光探測(cè)器,其外量子效率為26530%,響應(yīng)率為 98.17 AW-1,探測(cè)率為 1.62 × 1015 cm Hz1/2 W-1。Ⅳ.研發(fā)了一種溶液表面張力控制結(jié)晶的方法成功生長(zhǎng)了大尺寸2D結(jié)構(gòu)塊體鈣鈦礦單晶,最大尺寸為36mm?；谶@些單晶,設(shè)計(jì)制備了光探測(cè)器,研究了光電響應(yīng)的各向異性,發(fā)現(xiàn)在（001）面制備的探測(cè)器具有更高的光響應(yīng)性能。V.開(kāi)發(fā)了一種有效的多余晶核消除策略生長(zhǎng)英寸級(jí)高質(zhì)量0D結(jié)構(gòu)、非鉛類鈣鈦礦（CH3NH3）3Bi2I9單晶。該單晶具有非常低的離子遷移率,高的體電阻率和優(yōu)異的環(huán)境穩(wěn)定性?；谠搯尉е苽涞腦射線探測(cè)器靈敏度高達(dá)1947 μC Gyair-1 cm-2,探測(cè)限為83 nGyair s-1,響應(yīng)時(shí)間為23.3 ms。此外,由于該單晶探測(cè)器具有低的基線漂移（5.0 × 10-10 nA cm-1 s-1 V-1）和良好的X射線響應(yīng)性能,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了首例0D結(jié)構(gòu)無(wú)鉛類鈣鈦礦單晶X射線成像系統(tǒng)。
左超,馮世杰,張翔宇,韓靜,陳錢[7]（2020）在《深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像:現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與未來(lái)》文中研究表明近年來(lái),光學(xué)成像技術(shù)已經(jīng)由傳統(tǒng)的強(qiáng)度、彩色成像發(fā)展進(jìn)入計(jì)算光學(xué)成像時(shí)代。計(jì)算光學(xué)成像基于幾何光學(xué)、波動(dòng)光學(xué)等理論對(duì)場(chǎng)景目標(biāo)經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像再到探測(cè)器采樣這一完整圖像生成過(guò)程建立精確的正向數(shù)學(xué)模型,再求解該正向成像模型所對(duì)應(yīng)的"逆問(wèn)題",以計(jì)算重構(gòu)的方式來(lái)獲得場(chǎng)景目標(biāo)的高質(zhì)量圖像或者傳統(tǒng)技術(shù)無(wú)法直接獲得的相位、光譜、偏振、光場(chǎng)、相干度、折射率、三維形貌等高維度物理信息。然而,計(jì)算成像系統(tǒng)的實(shí)際成像性能也同樣極大程度地受限于"正向數(shù)學(xué)模型的準(zhǔn)確性"以及"逆向重構(gòu)算法的可靠性",實(shí)際成像物理過(guò)程的不可預(yù)見(jiàn)性與高維病態(tài)逆問(wèn)題求解的復(fù)雜性已成為這一領(lǐng)域進(jìn)一步發(fā)展的瓶頸問(wèn)題。近年來(lái),人工智能與深度學(xué)習(xí)技術(shù)的飛躍式發(fā)展為計(jì)算光學(xué)成像技術(shù)開(kāi)啟了一扇全新的大門。不同于傳統(tǒng)計(jì)算成像方法所依賴的物理驅(qū)動(dòng),深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像是一類由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)的方法,它不但解決了許多過(guò)去計(jì)算成像領(lǐng)域難以解決的難題,還在信息獲取能力、成像的功能、核心性能指標(biāo)（如成像空間分辨率、時(shí)間分辨率、靈敏度等）上都獲得了顯著提升?；诖?首先概括性介紹深度學(xué)習(xí)技術(shù)在計(jì)算光學(xué)成像領(lǐng)域的研究進(jìn)展與最新成果,然后分析了當(dāng)前深度學(xué)習(xí)技術(shù)在計(jì)算光學(xué)成像領(lǐng)域面臨的主要問(wèn)題與挑戰(zhàn),最后展望了該領(lǐng)域未來(lái)的發(fā)展方向與可能的研究方向。
劉罡[8]（2019）在《高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)研究》文中研究表明高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)是一種基于光學(xué)干涉原理和光子集成電路的新型成像技術(shù)。其采用基于光子集成電路的緊湊排布干涉陣列來(lái)代替?zhèn)鹘y(tǒng)的膠片、CCD或CMOS等探測(cè)手段,突破體積、重量和功耗等限制條件,獲得更高的圖像分辨率成像;或者在相同圖像分辨率成像條件下,讓探測(cè)器的體積、重量和功耗減少到原來(lái)的1/101/100。在空間成本居高不下、傳統(tǒng)成像體制逼近極限的大背景下,高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)的研究可以為未來(lái)提供高分辨率、小體積、輕質(zhì)量和低功耗的新選擇,不僅在軍事空間成像機(jī)理方面有重要的科學(xué)價(jià)值,同時(shí)作為新一代成像技術(shù),可以廣泛推廣到空間探測(cè)、偵查等眾多領(lǐng)域,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)應(yīng)用前景廣闊,但是仍處于研究初級(jí)階段,目前還存在諸多理論和工程應(yīng)用問(wèn)題。主要有以下幾個(gè)方面:（1）系統(tǒng)的透鏡陣列的排布方式?jīng)Q定著空間頻率采樣的數(shù)量和恢復(fù)圖像的質(zhì)量,當(dāng)前對(duì)于透鏡陣列的排布設(shè)計(jì)研究不足導(dǎo)致空間頻率覆蓋不足;（2）光子集成電路是整個(gè)系統(tǒng)的關(guān)鍵部分,但是目前的光子集成電路的尺寸、光路設(shè)計(jì)等還無(wú)法滿足系統(tǒng)的高質(zhì)量成像需求。成像應(yīng)用帶來(lái)的復(fù)雜且數(shù)量巨大的光路給大尺寸光子集成電路的設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn);（3）高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)直接得到的是包含目標(biāo)不完備的空間頻率的振幅和相位信息的復(fù)測(cè)量值,因此圖像重建問(wèn)題是一個(gè)病態(tài)逆問(wèn)題。如何結(jié)合系統(tǒng)的特征,精確重建圖像也是一大挑戰(zhàn)。本論文對(duì)高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)進(jìn)行了整體介紹及重點(diǎn)問(wèn)題的研究,從基本原理介紹和模型入手,到各個(gè)主要問(wèn)題的深入分析和討論。主要研究工作總結(jié)如下:1.本文從基本相干成像原理出發(fā),闡述了高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)的整體光學(xué)過(guò)程,并對(duì)系統(tǒng)的成像過(guò)程以及耦合效率、系統(tǒng)視場(chǎng)、系統(tǒng)分辨率以及接收光能量等性能參數(shù)進(jìn)行了研究,分析了被動(dòng)相干成像技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)。建立了仿真分析模型。2.針對(duì)透鏡陣列的不同排布方式對(duì)空間頻率采樣的影響,進(jìn)行了單個(gè)干涉臂上幾種透鏡的基線組成方式以及對(duì)應(yīng)的透鏡陣列性能的比較和討論。提出了一種基于壓縮感知的光子集成電路設(shè)計(jì)的透鏡排布方式（CS-CPCIT）及其優(yōu)化方案（CS-CPCIT+）,將2N個(gè)透鏡可組成的不同基線數(shù)目由N條分別增加為2N-1條和N×N條,其中CS-CPCIT+可組成的最長(zhǎng)基線長(zhǎng)度增加為N/2倍。仿真結(jié)果表明,當(dāng)SPIDER在波長(zhǎng)范圍12231568nm,使用24個(gè)透鏡組成12條基線、最長(zhǎng)基線為20.88mm、角分辨率為0.74mrad時(shí),CS-CPCIT+可組成基線數(shù)為144條,最長(zhǎng)基線可達(dá)103.68mm,角分辨率為0.12mrad。3.基于分時(shí)采樣思想,提出了一種超大口徑旋轉(zhuǎn)式相干成像系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案,通過(guò)單軸旋轉(zhuǎn)、固定子孔徑+旋轉(zhuǎn)軸式和多旋轉(zhuǎn)軸等方式,可以使用少量子孔徑得到等效超大口徑和較為完備的空間頻率覆蓋。在固定子孔徑+旋轉(zhuǎn)式設(shè)計(jì)中,使用一個(gè)旋轉(zhuǎn)軸和7個(gè)半徑為0.25m的固定子孔徑,在波長(zhǎng)范圍500900nm時(shí),可實(shí)現(xiàn)20m等效口徑、259)(6(9的角分辨率。在旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)45次的情況下,重建圖像的PSNR為26.45dB。4.針對(duì)光子集成電路需排布復(fù)雜且數(shù)目巨大的光路的問(wèn)題,提出了一種基于壓縮感知的光子集成電路優(yōu)化排布設(shè)計(jì)及其優(yōu)化方案,將2N個(gè)透鏡所需的N套傳輸、干涉和測(cè)量設(shè)備減為只需要1套,在簡(jiǎn)化光子集成電路設(shè)計(jì)的同時(shí),實(shí)現(xiàn)空間頻率采樣數(shù)目分別提高2倍和N倍。在仿真中,波長(zhǎng)為700nm,當(dāng)SPIDER使用72個(gè)透鏡組成36條基線、最長(zhǎng)基線為0.36m、角分辨率為1.9(6(9時(shí),CS-CPCIT+可組成基線數(shù)為1296條,最長(zhǎng)基線可達(dá)6.48m,角分辨率為0.11(6(9。5.針對(duì)系統(tǒng)的圖像重建問(wèn)題是病態(tài)逆問(wèn)題,本文結(jié)合天文綜合孔徑圖像重建理論,整理提出了圖像重構(gòu)理論框架,并在此理論框架下給出了多種圖像重建算法的仿真驗(yàn)證。對(duì)USAF圖像使用等式約束的各范數(shù)進(jìn)行圖像重建,相比于直接IFFT的PSNR=16.58dB,TV范數(shù)、1范數(shù)和0范數(shù)的PSNR分別提升了31%、16%和6%。驗(yàn)證了0范數(shù)、1范數(shù)和TV范數(shù)對(duì)重建圖像的提升效果為:TV范數(shù)>1范數(shù)>0范數(shù)。當(dāng)干涉臂數(shù)目為37條,單條干涉臂上采樣數(shù)由6個(gè)增加到144個(gè)時(shí),使用IFFT的PSNR由9.93dB增加到16.81dB;而當(dāng)單條干涉臂上采樣數(shù)為72個(gè),干涉臂數(shù)目由7條增加到111條時(shí),使用IFFT的PSNR由11.33dB增加到28.16dB。通過(guò)對(duì)不同干涉臂數(shù)目和單條干涉臂上采樣數(shù)目的研究,驗(yàn)證了通過(guò)增加干涉臂數(shù)目來(lái)增加采樣數(shù)比通過(guò)增加單條干涉臂上的采樣數(shù)的圖像質(zhì)量效果更好。6.開(kāi)展了光學(xué)相干檢測(cè)原理性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)。采用光纖器件代替光子集成電路中的各個(gè)光學(xué)器件,并使用光纖進(jìn)行連接,組成一條相干基線。通過(guò)對(duì)基線對(duì)應(yīng)的空間頻率信息進(jìn)行采樣,驗(yàn)證了被動(dòng)相干理論的可行性,并對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果和影響因素進(jìn)行了分析和討論。本論文通過(guò)上述關(guān)鍵研究?jī)?nèi)容,闡述了高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)的整體結(jié)構(gòu)和重點(diǎn)問(wèn)題的解決思路,為該技術(shù)實(shí)用化研究提供了理論和技術(shù)支撐,也為新型大口徑、高分辨率成像技術(shù)的發(fā)展提供了新思路。
王鈺潔[9]（2019）在《大視場(chǎng)超分辨定位成像中的數(shù)據(jù)獲取與處理方法》文中提出超分辨定位成像技術(shù)提供了突破衍射極限的空間分辨率,為研究生物大分子及細(xì)胞器的精細(xì)結(jié)構(gòu)、分布規(guī)律及功能等提供了新的光學(xué)成像工具。超分辨定位成像技術(shù)與新型大面陣弱光探測(cè)器相結(jié)合,發(fā)展出了大視場(chǎng)超分辨定位成像技術(shù),為高通量成像、高內(nèi)涵篩選等應(yīng)用領(lǐng)域提供了新的契機(jī)。本文系統(tǒng)研究了基于背照式大面陣科研級(jí)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（Scientific Complementary Metal Oxide Semiconductor,s CMOS）探測(cè)器的超分辨定位成像方法、在線稀疏分子定位方法及在線圖像采集終止時(shí)間的判定,促進(jìn)了大視場(chǎng)超分辨定位成像技術(shù)的發(fā)展和成熟。具體內(nèi)容如下:（1）基于背照式大面陣s CMOS探測(cè)器的大視場(chǎng)超分辨定位成像方法。本文通過(guò)光子傳遞曲線測(cè)量系統(tǒng)和探測(cè)器性能直接評(píng)價(jià)系統(tǒng),在三類指標(biāo)（單像素、單分子、超分辨成像）上對(duì)背照式大面陣s CMOS探測(cè)器進(jìn)行了系統(tǒng)的成像性能評(píng)估?；诰鶆蛉肷涔?、熒光小球和細(xì)胞樣品的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn):與兩款常用弱光探測(cè)器相比,該探測(cè)器在三類指標(biāo)上都具有成像優(yōu)勢(shì)。在此基礎(chǔ)上,初步開(kāi)展了基于背照式大面陣s CMOS探測(cè)器的大視場(chǎng)超分辨定位成像技術(shù)的研究。（2）在線稀疏分子定位方法。本文研究了單分子信號(hào)分布模型,開(kāi)發(fā)了基于單分子頻域信息的在線稀疏分子定位算法---頻域分析法（Fast Fourier Transform Localization,FFTLocalization）。該方法簡(jiǎn)化了從單分子分布中估算精確位置的問(wèn)題,避免了傳統(tǒng)擬合算法中的大量迭代運(yùn)算。在此基礎(chǔ)上,本文開(kāi)發(fā)了以圖形處理器（Graphics Processing Unit,GPU）并行計(jì)算和頻域分析法為基礎(chǔ)的稀疏分子定位軟件。仿真數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,頻域分析法能夠在保證高精度定位的同時(shí),實(shí)現(xiàn)大視場(chǎng)超分辨定位成像的在線稀疏分子定位。（3）圖像采集終止時(shí)間的在線判定。在基本思想“超分辨定位成像的最終目的是獲取目標(biāo)精細(xì)結(jié)構(gòu)而非完整的分子位置列表”的基礎(chǔ)上,本文結(jié)合定位點(diǎn)的相關(guān)性,提出了結(jié)構(gòu)分辨指數(shù)（Structure Resolving Index,SRI）概念,并基于SRI實(shí)現(xiàn)了圖像采集終止時(shí)間的在線判定。SRI用于判定圖像采集終止時(shí)間理論上能夠減少由熒光分子的多次閃爍特性或距離過(guò)近而無(wú)法在超分辨圖像中被分辨的相鄰分子帶來(lái)的額外數(shù)據(jù)量。仿真數(shù)據(jù)和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明,結(jié)構(gòu)分辨指數(shù)能夠用于圖像采集終止時(shí)間的在線判定,且能夠在保證超分辨圖像結(jié)構(gòu)分辨能力的同時(shí),減小26.0%54.9%的原始數(shù)據(jù)量。綜上所述,本文發(fā)展了一系列針對(duì)大視場(chǎng)超分辨定位成像的數(shù)據(jù)獲取與處理方法,提升了大視場(chǎng)超分辨定位成像的性能和易用性,有望促進(jìn)超分辨定位成像在高通量成像、高內(nèi)涵篩選等方面的應(yīng)用。
勞達(dá)寶,崔成君,王國(guó)民,周維虎[10]（2019）在《飛秒激光跟蹤儀跟蹤光路的優(yōu)化設(shè)計(jì)與分析》文中進(jìn)行了進(jìn)一步梳理基于光學(xué)系統(tǒng)對(duì)跟蹤探測(cè)的影響,結(jié)合儀器功能,提出了一種基于膠合透鏡減小跟蹤偏移量的方法,實(shí)現(xiàn)了對(duì)飛秒激光跟蹤儀跟蹤光路的優(yōu)化;改進(jìn)了準(zhǔn)直擴(kuò)束光路,細(xì)化了光學(xué)系統(tǒng),分析了優(yōu)化后光學(xué)系統(tǒng)在接收功率和雜光方面對(duì)跟蹤探測(cè)的影響機(jī)理?；趦?yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì),搭建實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)進(jìn)行了探測(cè)實(shí)驗(yàn)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,補(bǔ)償后的跟蹤探測(cè)精度可達(dá)3μm,這滿足儀器精密跟蹤要求。
二、光探測(cè)器與光學(xué)系統(tǒng)（論文開(kāi)題報(bào)告）
（1）論文研究背景及目的
此處內(nèi)容要求：
首先簡(jiǎn)單簡(jiǎn)介論文所研究問(wèn)題的基本概念和背景，再而簡(jiǎn)單明了地指出論文所要研究解決的具體問(wèn)題，并提出你的論文準(zhǔn)備的觀點(diǎn)或解決方法。
寫(xiě)法范例：
本文主要提出一款精簡(jiǎn)64位RISC處理器存儲(chǔ)管理單元結(jié)構(gòu)并詳細(xì)分析其設(shè)計(jì)過(guò)程。在該MMU結(jié)構(gòu)中,TLB采用叁個(gè)分離的TLB,TLB采用基于內(nèi)容查找的相聯(lián)存儲(chǔ)器并行查找,支持粗粒度為64KB和細(xì)粒度為4KB兩種頁(yè)面大小,采用多級(jí)分層頁(yè)表結(jié)構(gòu)映射地址空間,并詳細(xì)論述了四級(jí)頁(yè)表轉(zhuǎn)換過(guò)程,TLB結(jié)構(gòu)組織等。該MMU結(jié)構(gòu)將作為該處理器存儲(chǔ)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的一個(gè)重要組成部分。
（2）本文研究方法
調(diào)查法：該方法是有目的、有系統(tǒng)的搜集有關(guān)研究對(duì)象的具體信息。
觀察法：用自己的感官和輔助工具直接觀察研究對(duì)象從而得到有關(guān)信息。
實(shí)驗(yàn)法：通過(guò)主支變革、控制研究對(duì)象來(lái)發(fā)現(xiàn)與確認(rèn)事物間的因果關(guān)系。
文獻(xiàn)研究法：通過(guò)調(diào)查文獻(xiàn)來(lái)獲得資料，從而全面的、正確的了解掌握研究方法。
實(shí)證研究法：依據(jù)現(xiàn)有的科學(xué)理論和實(shí)踐的需要提出設(shè)計(jì)。
定性分析法：對(duì)研究對(duì)象進(jìn)行“質(zhì)”的方面的研究，這個(gè)方法需要計(jì)算的數(shù)據(jù)較少。
定量分析法：通過(guò)具體的數(shù)字，使人們對(duì)研究對(duì)象的認(rèn)識(shí)進(jìn)一步精確化。
跨學(xué)科研究法：運(yùn)用多學(xué)科的理論、方法和成果從整體上對(duì)某一課題進(jìn)行研究。
功能分析法：這是社會(huì)科學(xué)用來(lái)分析社會(huì)現(xiàn)象的一種方法，從某一功能出發(fā)研究多個(gè)方面的影響。
模擬法：通過(guò)創(chuàng)設(shè)一個(gè)與原型相似的模型來(lái)間接研究原型某種特性的一種形容方法。
三、光探測(cè)器與光學(xué)系統(tǒng)（論文提綱范文）
（1）玻璃基板表面高度信息獲取方法的研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1.緒論 |
| 1.1. 課題研究背景、意義及來(lái)源 |
| 1.1.1. 課題來(lái)源 |
| 1.1.2. 課題研究背景及意義 |
| 1.2. 玻璃基板表面高度獲取方法 |
| 1.2.1. 接觸法 |
| 1.2.2. 非接觸法 |
| 1.3. 光譜共焦技術(shù)的國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.3.1. 光譜共焦技術(shù)的國(guó)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.3.2. 光譜共焦技術(shù)的國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀 |
| 1.4. 本文的主要研究?jī)?nèi)容 |
| 2.光譜共焦玻璃基板高度信息獲取系統(tǒng)原理分析 |
| 2.1. 光譜共焦位移測(cè)量原理 |
| 2.2. 光譜共焦位移傳感器性能分析 |
| 2.2.1. 測(cè)量范圍 |
| 2.2.2. 分辨率 |
| 2.2.3. 被測(cè)物允許的最大傾斜角度 |
| 2.3. 光譜共焦玻璃基板表面高度信息獲取系統(tǒng)總體方案 |
| 2.4. 本章小結(jié) |
| 3.光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)及仿真 |
| 3.1. 測(cè)量系統(tǒng) |
| 3.2. 系統(tǒng)硬件選型 |
| 3.2.1. 光學(xué)系統(tǒng)的性能指標(biāo) |
| 3.2.2. 光源選擇 |
| 3.2.3. DMD的選擇 |
| 3.2.4. 準(zhǔn)直透鏡的設(shè)計(jì) |
| 3.2.5. 色散物鏡的設(shè)計(jì) |
| 3.2.6. 探測(cè)器 |
| 3.3. 光路仿真分析 |
| 3.4. 本章小結(jié) |
| 4.光譜共焦高度信息獲取系統(tǒng)的算法研究 |
| 4.1. 顏色模型的轉(zhuǎn)換算法研究 |
| 4.2. 顏色模型 |
| 4.2.1. 工業(yè)顏色模型 |
| 4.2.2. 計(jì)算顏色模型 |
| 4.3. 顏色轉(zhuǎn)換算法的選擇 |
| 4.3.1. 基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的顏色模型轉(zhuǎn)換 |
| 4.3.2. BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)參數(shù)的選擇 |
| 4.4. 本章小結(jié) |
| 5.實(shí)驗(yàn)仿真及結(jié)果分析 |
| 5.1. 實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建 |
| 5.2. 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 |
| 5.2.1. 基于光譜圖像的色度坐標(biāo)及RGB數(shù)值獲取 |
| 5.2.2. BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型仿真 |
| 5.3. 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證及誤差分析 |
| 5.3.1. 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 |
| 5.3.2. 實(shí)驗(yàn)誤差分析 |
| 5.4. 本章小結(jié) |
| 6.總結(jié)與展望 |
| 6.1. 總結(jié) |
| 6.2. 展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
（2）光通信系統(tǒng)中亞波長(zhǎng)光柵分束器及屋形諧振腔的研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符號(hào)說(shuō)明 |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 論文研究背景 |
| 1.2 論文研究的意義 |
| 1.3 論文結(jié)構(gòu)安排 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第二章 亞波長(zhǎng)光柵的研究進(jìn)展及應(yīng)用 |
| 2.1 基于亞波長(zhǎng)光柵的高反射鏡 |
| 2.2 基于亞波長(zhǎng)光柵的抗反射表面 |
| 2.3 基于亞波長(zhǎng)光柵的光波導(dǎo) |
| 2.4 基于亞波長(zhǎng)光柵的偏振控制器件 |
| 2.5 基于亞波長(zhǎng)光柵的相位控制器件 |
| 2.6 基于亞波長(zhǎng)光柵的耦合器 |
| 2.7 基于亞波長(zhǎng)光柵的濾波器 |
| 2.8 亞波長(zhǎng)光柵的應(yīng)用前景 |
| 2.9 本章小結(jié) |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第三章 亞波長(zhǎng)光柵的嚴(yán)格耦合波分析法及器件設(shè)計(jì)方法 |
| 3.1 周期結(jié)構(gòu)亞波長(zhǎng)光柵的嚴(yán)格耦合波分析法 |
| 3.1.1 一維條形周期結(jié)構(gòu)亞波長(zhǎng)光柵的嚴(yán)格耦合波分析 |
| 3.1.2 二維塊狀周期結(jié)構(gòu)亞波長(zhǎng)光柵的嚴(yán)格耦合波分析 |
| 3.2 基于亞波長(zhǎng)光柵的光學(xué)器件設(shè)計(jì)方法 |
| 3.2.1 基于一維條形亞波長(zhǎng)光柵的器件設(shè)計(jì) |
| 3.2.2 基于二維塊狀亞波長(zhǎng)光柵的器件設(shè)計(jì) |
| 3.3 本章小結(jié) |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第四章 一維亞波長(zhǎng)光柵分束器的研究 |
| 4.1 基于一維亞波長(zhǎng)光柵的功率分束器 |
| 4.1.1 透射光為平行光束的功率分束器 |
| 4.1.2 基于一維亞波長(zhǎng)光柵的合束器 |
| 4.1.3 透射光為會(huì)聚光束的功率分束器 |
| 4.1.4 一維條形亞波長(zhǎng)光柵雙焦透鏡 |
| 4.2 基于一維亞波長(zhǎng)光柵的偏振分束器 |
| 4.2.1 偏振分束器模型 |
| 4.2.2 偏振分束器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) |
| 4.2.3 偏振分束器的仿真驗(yàn)證 |
| 4.3 本章小結(jié) |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第五章 二維亞波長(zhǎng)光柵分束器的研究 |
| 5.1 基于二維亞波長(zhǎng)光柵的1×N功率分束器 |
| 5.1.1 具有會(huì)聚功能的透射型1×N功率分束器模型 |
| 5.1.2 1×N功率分束器的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) |
| 5.1.3 1×N功率分束器的仿真驗(yàn)證 |
| 5.1.4 一種1×9功率分束器 |
| 5.2 基于二維亞波長(zhǎng)光柵的柱面透鏡、柱面反射鏡 |
| 5.2.1 柱面透鏡和柱面反射鏡模型 |
| 5.2.2 柱面透鏡和柱面反射鏡的設(shè)計(jì)與仿真 |
| 5.2.3 柱面透鏡的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 |
| 5.3 基于二維亞波長(zhǎng)光柵的柱面分束透鏡 |
| 5.4 基于二維亞波長(zhǎng)光柵的光束偏轉(zhuǎn)器 |
| 5.4.1 光束偏轉(zhuǎn)器模型及光束控制機(jī)理 |
| 5.4.2 光束偏轉(zhuǎn)器的性能仿真 |
| 5.4.3 光束偏轉(zhuǎn)器的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 |
| 5.5 本章小結(jié) |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第六章 光柵功率分束器與光探測(cè)器陣列集成的研究 |
| 6.1 單行載流子光探測(cè)器原理 |
| 6.2 與亞波長(zhǎng)光柵功率分束器集成的光探測(cè)器陣列結(jié)構(gòu) |
| 6.3 1×N光柵功率分束器的設(shè)計(jì)與制備 |
| 6.4 集成光探測(cè)器陣列的設(shè)計(jì)與制備 |
| 6.5 集成光探測(cè)器陣列的性能測(cè)試 |
| 6.5.1 暗電流測(cè)試 |
| 6.5.2 頻率響應(yīng)特性測(cè)試 |
| 6.5.3 交流飽和特性測(cè)試 |
| 6.6 本章小結(jié) |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第七章 屋形光學(xué)諧振腔的研究 |
| 7.1 一種屋形光學(xué)諧振腔 |
| 7.1.1 屋形諧振腔的結(jié)構(gòu)及分析 |
| 7.1.2 屋形諧振腔的模式特性 |
| 7.2 一種錐頂形光學(xué)諧振腔 |
| 7.2.1 錐頂形諧振腔結(jié)構(gòu)及分析 |
| 7.2.2 錐頂形諧振腔的模式特性 |
| 7.3 本章小結(jié) |
| 參考文獻(xiàn) |
| 第八章 總結(jié)與展望 |
| 8.1 總結(jié) |
| 8.2 展望 |
| 致謝 |
| 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及申請(qǐng)的專利 |
| 學(xué)術(shù)論文 |
| 申請(qǐng)專利 |
（3）空間TOF相機(jī)光機(jī)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 緒論 |
| 1.1 課題研究背景及意義 |
| 1.2 TOF技術(shù)的發(fā)展 |
| 1.3 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.3.1 TOF相機(jī)國(guó)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.3.2 TOF相機(jī)國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀 |
| 1.4 論文主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第2章 3D-TOF相機(jī)工作原理及數(shù)學(xué)模型 |
| 2.1 3D-TOF相機(jī)的工作原理 |
| 2.2 3D-TOF相機(jī)的數(shù)學(xué)模型 |
| 2.3 主流3D相機(jī)測(cè)量技術(shù) |
| 2.3.1 雙目視覺(jué)技術(shù) |
| 2.3.2 3D結(jié)構(gòu)光技術(shù) |
| 2.3.3 三種3D相機(jī)技術(shù)的對(duì)比 |
| 2.4 本章小結(jié) |
| 第3章 空間TOF相機(jī)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與優(yōu)化 |
| 3.1 光學(xué)系統(tǒng) |
| 3.2 像質(zhì)分析 |
| 3.3 相機(jī)機(jī)械結(jié)構(gòu)材料選擇 |
| 3.4 空間TOF相機(jī)整機(jī)結(jié)構(gòu)方案 |
| 3.4.1 光學(xué)鏡頭組件 |
| 3.4.2 光源器組件 |
| 3.4.3 遮光罩 |
| 3.4.4 電箱組件 |
| 3.5 光學(xué)鏡頭組件的結(jié)構(gòu)優(yōu)化 |
| 3.5.1 參數(shù)優(yōu)化模型 |
| 3.5.2 鏡筒參數(shù)優(yōu)化結(jié)果 |
| 3.6 本章小結(jié) |
| 第4章 空間TOF相機(jī)靜動(dòng)態(tài)特性分析 |
| 4.1 靜力學(xué)分析 |
| 4.1.1 溫度及過(guò)載適應(yīng)性分析 |
| 4.1.2 鏡面面形分析 |
| 4.2 模態(tài)分析 |
| 4.3 空間TOF相機(jī)的頻率響應(yīng)分析 |
| 4.3.1 相機(jī)在橫向正弦振動(dòng)激勵(lì)下的響應(yīng) |
| 4.3.2 相機(jī)在縱向正弦振動(dòng)激勵(lì)下的響應(yīng) |
| 4.4 空間TOF相機(jī)的隨機(jī)振動(dòng)分析 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 第5章 空間TOF相機(jī)鏡頭檢測(cè) |
| 5.1 鏡頭具體研制流程 |
| 5.2 大小視場(chǎng)光學(xué)鏡頭檢測(cè) |
| 5.3 本章小結(jié) |
| 第6章 總結(jié)與展望 |
| 6.1 全文總結(jié) |
| 6.2 研究展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 作者簡(jiǎn)介 |
| 攻讀學(xué)位期間研究成果 |
| 攻讀學(xué)位期間參與項(xiàng)目 |
（4）全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦納米材料的可控制備及光電性質(zhì)研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 納米材料 |
| 1.2.1 納米材料的簡(jiǎn)單介紹 |
| 1.2.2 納米材料的基本屬性 |
| 1.3 全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料 |
| 1.4 全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦納米材料的制備合成方法 |
| 1.4.1 化學(xué)氣相沉積法 |
| 1.4.2 液相生長(zhǎng)法 |
| 1.4.3 導(dǎo)向生長(zhǎng)法 |
| 1.5 帶隙調(diào)制的內(nèi)容與意義 |
| 1.6 本論文的研究目的、內(nèi)容及意義 |
| 1.6.1 本論文的研究目的和意義 |
| 1.6.2 本論文的研究?jī)?nèi)容 |
| 第2章 帶隙調(diào)制銫鉛鹵化物鈣鈦礦納米晶在單基片上的合成及光學(xué)性質(zhì)研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑 |
| 2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 2.2.3 材料的制備 |
| 2.2.4 樣品的常規(guī)表征 |
| 2.3 結(jié)果與討論 |
| 2.4 本章小結(jié) |
| 第3章 銫鉛鹵化物鈣鈦礦納米線及其異質(zhì)結(jié)的制備與光學(xué)性質(zhì)研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑 |
| 3.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 3.2.3 樣品的制備 |
| 3.2.4 樣品的常規(guī)表征 |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第4章 CdS-CdS_xSe_(1-x)-CdS合金納米帶橫向異質(zhì)結(jié)的制備及光電性質(zhì)研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑 |
| 4.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 4.2.3 樣品的制備 |
| 4.2.4 樣品的常規(guī)表征 |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第5章 結(jié)論與展望 |
| 5.1 結(jié)論 |
| 5.2 展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀學(xué)位期間獲得與學(xué)位論文相關(guān)的科研成果目錄 |
| 致謝 |
（5）基于PbS量子點(diǎn)/硅微孔陣列窄帶近紅外探測(cè)器的研究（論文提綱范文）
| 致謝 |
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光電探測(cè)器概述 |
| 1.2.1 光電探測(cè)器工作原理 |
| 1.2.2 光電探測(cè)器的應(yīng)用 |
| 1.2.3 硅微納結(jié)構(gòu)光探測(cè)器的研究現(xiàn)狀 |
| 1.3 量子點(diǎn)的簡(jiǎn)介 |
| 1.3.1 量子點(diǎn)的研究背景 |
| 1.3.2 量子點(diǎn)的物理性質(zhì)及特點(diǎn) |
| 1.4 PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)光探測(cè)器的研究背景 |
| 1.4.1 PbS量子點(diǎn)的研究現(xiàn)狀 |
| 1.4.2 陷光結(jié)構(gòu)原理 |
| 1.4.3 光電探測(cè)器的性能參數(shù) |
| 1.4.4 實(shí)驗(yàn)儀器簡(jiǎn)介 |
| 1.5 本課題的研究?jī)?nèi)容及選題依據(jù) |
| 第二章 硅微孔陣列肖特基型窄帶近紅外探測(cè)器建模及設(shè)計(jì) |
| 2.1 引言 |
| 2.2 SiMHs/Gr窄帶近紅外光探測(cè)器的3D模型建立 |
| 2.3 SiMHs/Gr肖特基結(jié)光探測(cè)器仿真結(jié)果與分析 |
| 2.3.1 材料參數(shù)及物理模型 |
| 2.3.2 器件特性 |
| 2.3.3 器件仿真結(jié)果分析 |
| 2.4 光照參數(shù)對(duì)SiMHs/Gr肖特基結(jié)光探測(cè)器光吸收特性的影響 |
| 2.4.1 光吸收與光照波長(zhǎng)的關(guān)系 |
| 2.4.2 光吸收與光照角度的關(guān)系 |
| 2.5 本章小結(jié) |
| 第三章 PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)窄帶光電探測(cè)器的制備及光電特性研究. |
| 3.1 引言 |
| 3.2 PbS QDs的制備與表征 |
| 3.2.1 PbS量子點(diǎn)的制備 |
| 3.2.2 PbS QDs的表征 |
| 3.3 PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)窄帶光探測(cè)器的制備 |
| 3.3.1 基于ICP方法的硅微孔陣列的制備 |
| 3.3.2 PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)光探測(cè)器的制備 |
| 3.4 PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)窄帶近紅外光電探測(cè)器的性能研究 |
| 3.4.1 光譜響應(yīng) |
| 3.4.2 響應(yīng)度與探測(cè)率 |
| 3.4.3 響應(yīng)速度 |
| 3.5 本章小結(jié) |
| 第四章 基于PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)窄帶近紅外光電探測(cè)器在心率檢測(cè)中的應(yīng)用研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 心率檢測(cè)原理及現(xiàn)狀 |
| 4.2.1 把脈 |
| 4.2.2 心電監(jiān)測(cè)儀 |
| 4.2.3 光電容積描記法 |
| 4.3 基于PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)光電探測(cè)器的心率檢測(cè)電路搭建 |
| 4.4 基于PbS QDs/SiMHs/Gr肖特基結(jié)光電探測(cè)器的心率檢測(cè)電路檢測(cè)結(jié)果分析 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 第五章 全文總結(jié)與展望 |
| 5.1 本文的主要研究?jī)?nèi)容和總結(jié) |
| 5.2 未來(lái)展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士學(xué)位期間的學(xué)術(shù)活動(dòng)及成果情況 |
（6）大尺寸高質(zhì)量鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)及其光電性能研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 緒論 |
| 1.1 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)及單晶研究進(jìn)展 |
| 1.1.1 鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu) |
| 1.1.2 鈣鈦礦單晶研究進(jìn)展 |
| 1.2 光探測(cè)器的分類、工作原理及基本參數(shù) |
| 1.2.1 光探測(cè)器的分類 |
| 1.2.2 光伏探測(cè)器工作原理 |
| 1.2.3 光電導(dǎo)探測(cè)器工作原理 |
| 1.2.4 光探測(cè)器中的暗電流 |
| 1.2.5 光探測(cè)器的基本參數(shù) |
| 1.3 X射線探測(cè)器的工作模式、原理及基本參數(shù) |
| 1.3.1 X射線探測(cè)器工作模式及其工作原理 |
| 1.3.2 X射線探測(cè)器的基本參數(shù) |
| 1.4 鈣鈦礦光探測(cè)器及X射線探測(cè)器研究進(jìn)展 |
| 1.4.1 鈣鈦礦用于光探測(cè)器的優(yōu)勢(shì) |
| 1.4.2 鈣鈦礦用于X射線探測(cè)器的優(yōu)勢(shì) |
| 1.4.3 鈣鈦礦光探測(cè)器研究進(jìn)展 |
| 1.4.4 鈣鈦礦X射線探測(cè)器研究進(jìn)展 |
| 1.5 本論文的研究意義、研究?jī)?nèi)容與創(chuàng)新點(diǎn) |
| 1.5.1 研究意義 |
| 1.5.2 研究?jī)?nèi)容與創(chuàng)新點(diǎn) |
| 第2章 晶體成核與生長(zhǎng)理論基礎(chǔ)、模型 |
| 2.1 晶體成核理論 |
| 2.1.1 均相成核 |
| 2.1.2 異相成核 |
| 2.2 晶體生長(zhǎng)理論與模型 |
| 2.2.1 擴(kuò)散-控制生長(zhǎng)模型和反應(yīng)控制的增長(zhǎng)模型 |
| 2.2.2 奧斯特瓦爾德熟化(Ostwald ripening) |
| 2.3 本章小結(jié) |
| 第3章 基礎(chǔ)材料制備與表征方法 |
| 3.1 實(shí)驗(yàn)所用試劑,儀器與材料合成 |
| 3.1.1 實(shí)驗(yàn)所用試劑 |
| 3.1.2 合成所用儀器設(shè)備 |
| 3.1.3 基礎(chǔ)材料合成 |
| 3.2 主要表征方法與簡(jiǎn)單原理 |
| 3.2.1 表征儀器與設(shè)備 |
| 3.2.2 器件性能表征方法與簡(jiǎn)單原理 |
| 3.3 本章小結(jié) |
| 第4章 低溫梯度結(jié)晶生長(zhǎng)大尺寸三維鈣鈦礦單晶及其光探測(cè)性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.2.1 基本表征和測(cè)試 |
| 4.2.2 低溫梯度結(jié)晶(LTGC)生長(zhǎng)鈣鈦礦單晶 |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.3.1 低溫梯度結(jié)晶(LTGC)生長(zhǎng)鈣鈦礦單晶過(guò)程研究 |
| 4.3.2 溶液中鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)過(guò)飽和模型 |
| 4.3.3 單晶晶體結(jié)構(gòu) |
| 4.3.4 單晶光電性質(zhì) |
| 4.3.5 單晶的光探測(cè)性能 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第5章 大尺寸高質(zhì)量三維鈣鈦礦單晶及其數(shù)字圖像傳感性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 5.2.1 CH_3NH_3Br晶體合成 |
| 5.2.2 單晶生長(zhǎng) |
| 5.2.3 單晶探測(cè)器的制備 |
| 5.3 結(jié)果與討論 |
| 5.3.1 單晶的晶體結(jié)構(gòu) |
| 5.3.2 單晶的缺陷態(tài)密度和光學(xué)性質(zhì) |
| 5.3.3 單晶光探測(cè)性能 |
| 5.3.4 單晶探測(cè)器陣列及數(shù)字圖像傳感性能 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第6章 外圍誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)大面積二維鈣鈦礦單晶薄膜及其柔性光探測(cè)器 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 6.2.1 單晶薄膜的生長(zhǎng) |
| 6.2.2 單晶薄膜器件制備 |
| 6.2.3 單晶及其探測(cè)器表征方法 |
| 6.3 結(jié)果與討論 |
| 6.3.1 單晶薄膜生長(zhǎng)過(guò)程研究 |
| 6.3.2 單晶薄膜的厚度控制及其彎曲性 |
| 6.3.3 單晶薄膜晶體結(jié)構(gòu)表征 |
| 6.3.4 單晶薄膜的光學(xué)和電荷傳輸性質(zhì) |
| 6.3.5 柔性單晶探測(cè)器及探測(cè)性能 |
| 6.4 結(jié)論 |
| 第7章 表面張力控制結(jié)晶生長(zhǎng)高質(zhì)量二維鈣鈦礦單晶及其各向異性光探測(cè)性能研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 7.2.1 表面張力控制結(jié)晶生長(zhǎng)塊體2D鈣鈦礦單晶 |
| 7.2.2 平面型鈣鈦礦單晶探測(cè)器制備 |
| 7.2.3 單晶材料及器件性能表征 |
| 7.2.4 理論計(jì)算 |
| 7.3 結(jié)果與討論 |
| 7.3.1 表面張力控制溶液表面成核分析 |
| 7.3.2 晶體結(jié)構(gòu)的各向異性 |
| 7.3.3 單晶的光學(xué)性質(zhì)和缺陷態(tài)密度 |
| 7.3.4 鈣鈦礦單晶的各向異性電荷傳輸 |
| 7.3.5 單晶探測(cè)器及其各向異性光探測(cè)性能 |
| 7.4 結(jié)論 |
| 第8章 大尺寸零維結(jié)構(gòu)非鉛類鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)及用于高靈敏穩(wěn)定X射線成像 |
| 8.1 引言 |
| 8.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 8.2.1 單晶生長(zhǎng) |
| 8.2.2 單晶X射線探測(cè)器制備 |
| 8.2.3 單晶材料表征與X射線探測(cè)器性能測(cè)試 |
| 8.2.4 理論計(jì)算 |
| 8.3 結(jié)果與討論 |
| 8.3.1 單晶晶體結(jié)構(gòu) |
| 8.3.2 單晶光學(xué)性質(zhì)與穩(wěn)定性 |
| 8.3.3 單晶X射線探測(cè)器及其性能 |
| 8.3.4 單晶X射線探測(cè)器中的離子遷移 |
| 8.3.5 單晶X射線成像 |
| 8.4 結(jié)論 |
| 第9章 總結(jié)與展望 |
| 9.1 結(jié)論 |
| 9.2 展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 致謝 |
| 攻讀博士學(xué)位期間的科研成果 |
（7）深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像:現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與未來(lái)（論文提綱范文）
| 1 引 言 |
| 2 深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像:現(xiàn)狀 |
| 1) 從“物理模型驅(qū)動(dòng)”到“樣本數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)” |
| 2) 從“分步/分治”到“端到端學(xué)習(xí)” |
| 3) 從“病態(tài)非線性逆問(wèn)題”到“直接(偽)正向非線性建?！?/td> |
| 1) 提升傳統(tǒng)計(jì)算成像技術(shù)的信息獲取能力: |
| 2) 降低傳統(tǒng)計(jì)算成像技術(shù)對(duì)“正向物理模型”或“逆向重構(gòu)算法”的過(guò)度依賴: |
| 3) 突破傳統(tǒng)計(jì)算成像技術(shù)所能夠達(dá)到的功能/性能疆界: |
| 2.1 提升傳統(tǒng)計(jì)算成像技術(shù)的信息獲取能力 |
| 1) 時(shí)域相移解調(diào)法: |
| 2) 空域相位解調(diào)法: |
| 2.2 降低傳統(tǒng)計(jì)算成像技術(shù)對(duì)“正向物理模型”或“逆向重構(gòu)算法”的過(guò)度依賴 |
| 2.3 突破傳統(tǒng)計(jì)算成像技術(shù)所能夠達(dá)到的功能/性能疆界 |
| 3 深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像:挑戰(zhàn) |
| 3.1 (實(shí)測(cè))訓(xùn)練數(shù)據(jù)的獲取與標(biāo)注成本高 |
| 1) 耗時(shí)費(fèi)力: |
| 2) 真值難知: |
| 3.2 目標(biāo)合作度與環(huán)境穩(wěn)定性要求高 |
| 1) 目標(biāo)合作度要求高: |
| 2) 環(huán)境穩(wěn)定性要求高: |
| 3.3 網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的選取趨于經(jīng)驗(yàn)主義 |
| 3.4 “調(diào)參好比煉丹”式的試錯(cuò)法訓(xùn)練機(jī)制 |
| 3.5 特定樣本訓(xùn)練后的網(wǎng)絡(luò)缺乏泛化能力 |
| 3.6 “深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算機(jī)視覺(jué)”≠“深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像” |
| 3.7 “深度學(xué)習(xí)”缺乏“深入理解”的能力 |
| 4 深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像:未來(lái) |
| 4.1 搭上深度學(xué)習(xí)技術(shù)發(fā)展的順風(fēng)車 |
| 4.1.1 對(duì)抗學(xué)習(xí)(GAN) |
| 4.1.2 遷移學(xué)習(xí)與少樣本學(xué)習(xí) |
| 4.1.3 自動(dòng)化機(jī)器學(xué)習(xí)(AutoML) |
| 4.2 物理模型驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)物理模型 |
| 4.2.1 物理模型驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù) |
| 4.2.2 數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)物理模型 |
| 4.3 深度學(xué)習(xí)的可解釋性有待進(jìn)一步探究 |
| 4.4 腦神經(jīng)科學(xué)啟發(fā)的思路值得更多的重視 |
| 4.5 既要“深度”又要“深入” |
| 4.6 既要“有所為”又要“有所不為” |
| 5 結(jié)束語(yǔ) |
（8）高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 英文縮略詞說(shuō)明 |
| 第1章 引言 |
| 1.1 研究背景及意義 |
| 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.2.1 綜合孔徑技術(shù)介紹 |
| 1.2.2 被動(dòng)相干成像國(guó)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.2.3 被動(dòng)相干成像國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀 |
| 1.2.4 發(fā)展趨勢(shì)和主要問(wèn)題 |
| 1.3 本文主要研究?jī)?nèi)容及論文章節(jié)安排 |
| 1.3.1 本文主要研究?jī)?nèi)容 |
| 1.3.2 論文章節(jié)安排 |
| 第2章 高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)理論基礎(chǔ) |
| 2.1 基本成像原理 |
| 2.1.1 雙光束干涉 |
| 2.1.2 范西特-澤尼克定理 |
| 2.1.3 邁克爾遜型光纖干涉儀 |
| 2.2 被動(dòng)相干成像系統(tǒng)整體光學(xué)過(guò)程和成像過(guò)程 |
| 2.2.1 整體光學(xué)過(guò)程 |
| 2.2.2 成像過(guò)程和評(píng)價(jià)指標(biāo) |
| 2.3 系統(tǒng)性能參數(shù) |
| 2.3.1 耦合效率 |
| 2.3.2 波導(dǎo)視場(chǎng)和系統(tǒng)視場(chǎng) |
| 2.3.3 片上干涉過(guò)程 |
| 2.3.4 系統(tǒng)分辨率和空間頻率覆蓋 |
| 2.3.5 能量傳輸過(guò)程 |
| 2.3.6 系統(tǒng)信噪比 |
| 2.4 被動(dòng)相干成像技術(shù)優(yōu)劣勢(shì)分析 |
| 2.4.1 性能參數(shù)與系統(tǒng)結(jié)構(gòu)參數(shù)的關(guān)系 |
| 2.4.2 被動(dòng)相干成像技術(shù)與傳統(tǒng)單孔徑成像技術(shù)的比較 |
| 2.5 系統(tǒng)理論框架 |
| 2.6 本章小結(jié) |
| 第3章 新型透鏡排布方式研究 |
| 3.1 透鏡排布和基線組成 |
| 3.1.1 基線組成方式 |
| 3.1.2 透鏡排布原則 |
| 3.2 透鏡陣列整體設(shè)計(jì) |
| 3.2.1 笛卡爾坐標(biāo)采樣 |
| 3.2.2 極坐標(biāo)采樣 |
| 3.2.3 極坐標(biāo)排布的優(yōu)劣 |
| 3.3 不同透鏡排布方式 |
| 3.3.1 直接排布及仿真結(jié)果 |
| 3.3.2 優(yōu)化排布及仿真結(jié)果 |
| 3.3.3 可移動(dòng)基線排布及仿真結(jié)果 |
| 3.4 優(yōu)化排布組合的尋找算法 |
| 3.4.1 回溯法 |
| 3.4.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
| 3.5 基于壓縮感知的排布方式及仿真結(jié)果 |
| 3.5.1 CS-CPCIT透鏡排布 |
| 3.5.2 CS-CPCIT+透鏡排布 |
| 3.6 透鏡各種排布方式比較 |
| 3.7 超大口徑旋轉(zhuǎn)式系統(tǒng)設(shè)計(jì) |
| 3.7.1 單軸旋轉(zhuǎn)式設(shè)計(jì) |
| 3.7.2 固定+旋轉(zhuǎn)式設(shè)計(jì) |
| 3.7.3 影響因素研究 |
| 3.7.4 減少子孔徑數(shù)目設(shè)計(jì) |
| 3.8 本章小結(jié) |
| 第4章 光子集成電路布局設(shè)計(jì)和優(yōu)化 |
| 4.1 光子集成電路的材料選擇 |
| 4.2 SPIDER的 PIC設(shè)計(jì) |
| 4.2.1 第一代PIC |
| 4.2.2 第二代PIC |
| 4.3 基于壓縮感知的光子集成電路優(yōu)化設(shè)計(jì) |
| 4.3.1 壓縮感知簡(jiǎn)介 |
| 4.3.2 CS-CPCIT的基本原理 |
| 4.3.3 實(shí)驗(yàn)仿真 |
| 4.4 CS-CPCIT升級(jí)設(shè)計(jì) |
| 4.4.1 測(cè)量矩陣不相等 |
| 4.4.2 透鏡陣列優(yōu)化 |
| 4.4.3 實(shí)驗(yàn)仿真 |
| 4.5 各種PIC布局設(shè)計(jì)比較 |
| 4.6 本章小結(jié) |
| 第5章 圖像重構(gòu)理論模型和方法研究 |
| 5.1 問(wèn)題描述 |
| 5.1.1 貝葉斯推理 |
| 5.1.2 似然概率選擇 |
| 5.1.3 高斯噪聲和線性模型 |
| 5.2 正則項(xiàng) |
| 5.2.1 常用的正則項(xiàng) |
| 5.2.2 正則項(xiàng)的選擇 |
| 5.3 優(yōu)化策略 |
| 5.4 理論模型總結(jié) |
| 5.5 圖像重建實(shí)驗(yàn) |
| 5.5.1 實(shí)驗(yàn)準(zhǔn)備 |
| 5.5.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果和討論 |
| 5.6 本章小結(jié) |
| 第6章 光學(xué)相干檢測(cè)原理性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn) |
| 6.1 光學(xué)相干檢測(cè)原理驗(yàn)證方法 |
| 6.1.1 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 6.1.2 實(shí)驗(yàn)裝置 |
| 6.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
| 6.3 討論 |
| 6.3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)意義 |
| 6.3.2 對(duì)簡(jiǎn)單目標(biāo)進(jìn)行采樣的實(shí)驗(yàn)討論 |
| 6.3.3 誤差分析 |
| 6.4 本章小結(jié) |
| 第7章 總結(jié)與展望 |
| 7.1 論文的主要?jiǎng)?chuàng)新點(diǎn) |
| 7.2 論文的其它研究?jī)?nèi)容 |
| 7.3 未來(lái)工作展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 致謝 |
| 作者簡(jiǎn)歷及攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文與研究成果 |
（9）大視場(chǎng)超分辨定位成像中的數(shù)據(jù)獲取與處理方法（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 超分辨顯微成像技術(shù)概論 |
| 1.2 超分辨定位成像 |
| 1.3 適用于大視場(chǎng)超分辨定位成像的弱光探測(cè)器 |
| 1.4 大視場(chǎng)超分辨定位成像中的數(shù)據(jù)處理方法 |
| 1.5 本文工作 |
| 2 基于背照式大面陣s CMOS探測(cè)器的大視場(chǎng)超分辨定位成像方法 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 弱光探測(cè)器成像性能的表征方法 |
| 2.3 背照式大面陣s CMOS探測(cè)器的成像性能 |
| 2.4 基于背照式大面陣sCMOS探測(cè)器的大視場(chǎng)超分辨定位成像 |
| 2.5 本章小結(jié) |
| 3 大視場(chǎng)超分辨定位成像中的在線稀疏分子定位方法 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 適用于大面陣弱光探測(cè)器的稀疏分子定位算法 |
| 3.3 稀疏分子定位算法的加速 |
| 3.4 稀疏分子定位方法的性能分析 |
| 3.5 本章小結(jié) |
| 4 大視場(chǎng)超分辨定位成像中圖像采集終止時(shí)間的在線判定 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 結(jié)構(gòu)分辨指數(shù) |
| 4.3 基于結(jié)構(gòu)分辨指數(shù)圖像采集終止時(shí)間的判定 |
| 4.4 基于結(jié)構(gòu)分辨指數(shù)的圖像采集終止判定方法的性能 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 5 總結(jié)與展望 |
| 5.1 工作總結(jié) |
| 5.2 文章創(chuàng)新點(diǎn) |
| 5.3 研究展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 附錄1 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的論文與研究成果 |
（10）飛秒激光跟蹤儀跟蹤光路的優(yōu)化設(shè)計(jì)與分析（論文提綱范文）
| 1 引 言 |
| 2 飛秒激光跟蹤儀光學(xué)系統(tǒng) |
| 3 跟蹤儀雜光對(duì)跟蹤探測(cè)的影響 |
| 4 光學(xué)系統(tǒng)優(yōu)化設(shè)計(jì) |
| 5 光路優(yōu)化分析 |
| 5.1 優(yōu)化后功率分析 |
| 5.2 優(yōu)化后雜光分析 |
| 6 實(shí) 驗(yàn) |
| 7 結(jié) 論 |
四、光探測(cè)器與光學(xué)系統(tǒng)（論文參考文獻(xiàn)）
- [1]玻璃基板表面高度信息獲取方法的研究[D]. 石國(guó)強(qiáng). 西安理工大學(xué), 2021(01)
- [2]光通信系統(tǒng)中亞波長(zhǎng)光柵分束器及屋形諧振腔的研究[D]. 武剛. 北京郵電大學(xué), 2021(01)
- [3]空間TOF相機(jī)光機(jī)結(jié)構(gòu)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 魏加立. 長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué), 2021(08)
- [4]全無(wú)機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦納米材料的可控制備及光電性質(zhì)研究[D]. 張巖焱. 信陽(yáng)師范學(xué)院, 2021(09)
- [5]基于PbS量子點(diǎn)/硅微孔陣列窄帶近紅外探測(cè)器的研究[D]. 張濤. 合肥工業(yè)大學(xué), 2021(02)
- [6]大尺寸高質(zhì)量鈣鈦礦單晶生長(zhǎng)及其光電性能研究[D]. 劉渝城. 陜西師范大學(xué), 2020(02)
- [7]深度學(xué)習(xí)下的計(jì)算成像:現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)與未來(lái)[J]. 左超,馮世杰,張翔宇,韓靜,陳錢. 光學(xué)學(xué)報(bào), 2020(01)
- [8]高分辨率緊湊被動(dòng)相干成像技術(shù)研究[D]. 劉罡. 中國(guó)科學(xué)院大學(xué)(中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所), 2019(05)
- [9]大視場(chǎng)超分辨定位成像中的數(shù)據(jù)獲取與處理方法[D]. 王鈺潔. 華中科技大學(xué), 2019(03)
- [10]飛秒激光跟蹤儀跟蹤光路的優(yōu)化設(shè)計(jì)與分析[J]. 勞達(dá)寶,崔成君,王國(guó)民,周維虎. 中國(guó)激光, 2019(03)
標(biāo)簽：仿真軟件論文; 結(jié)構(gòu)光論文;