一、高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷（論文文獻(xiàn)綜述）
朱惠[1]（2021）在《離子取代對(duì)SrAl2Si2O8系微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能研究》文中研究表明本文采用固相法制備SrAl2Si2O8（SAS）系微波介質(zhì)陶瓷。分別采用Sr2+位離子取代(Mn2+、Zn2+、Ni2+)和Al3+位離子取代(Co3+、Fe3+、Cr3+),研究不同離子摻雜對(duì)SAS陶瓷的燒結(jié)性能、物相和微波介電性能的影響。旨在尋找一種能顯著提高SAS陶瓷微波介電性能的離子,并明確其制備工藝條件和配方比例,為下一步降低燒結(jié)溫度和調(diào)整諧振頻率溫度系數(shù)奠定基礎(chǔ),通過(guò)一系列改性研究,該材料有望應(yīng)用于低溫共燒陶瓷（Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC）技術(shù)領(lǐng)域。本文研究的主要內(nèi)容如下:（1）首先制備未摻雜離子的SAS微波介質(zhì)陶瓷。結(jié)果表明,經(jīng)預(yù)燒溫度為1050℃、保溫3 h,燒結(jié)溫度為1475℃、保溫5 h處理后,陶瓷試樣的密度達(dá)到最大值ρ=3.0469g/cm3,為鍶長(zhǎng)石理論密度的98%,晶體結(jié)構(gòu)致密。經(jīng)XRD分析,陶瓷的物相為單斜鍶長(zhǎng)石相,無(wú)第二相生成。其微波介電性能為:εr=7.01,Q×f=37502 GHz,τf=-42.88×10-6/℃。（2）然后分別采用Mn2+、Zn2+、Ni2+取代Sr2+位離子,研究它們對(duì)SAS陶瓷的燒結(jié)性能、物相和微波介電性能的影響。結(jié)果表明:三種離子均能適當(dāng)提高SAS陶瓷的致密性,理論密度≥98%,經(jīng)XRD物相分析,Mn2+、Zn2+摻雜后,SAS陶瓷試樣均生成單一的單斜鍶長(zhǎng)石,無(wú)第二相生成,而摻雜Ni2+后,陶瓷試樣中生成了雜相Ni O2和Ni2Si O4。三種離子對(duì)SAS的微波介電性能有不同程度的改善。當(dāng)燒結(jié)溫度為1475℃時(shí),(Sr0.995Mn0.005)Al2Si2O8陶瓷試樣的微波介電性能為:εr=7.12、Q×f=45844 GHz、τf=-41.56×10-6/℃。當(dāng)燒結(jié)溫度為1550℃時(shí),(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷的微波介電性能為:εr=7、Q×f=48252 GHz、τf=-36.35×10-6/℃。當(dāng)燒結(jié)溫度為1500℃時(shí),(Sr0.995Ni0.005)Al2Si2O8陶瓷試樣的微波介電性能為:εr=7.03、Q×f=45646 GHz、τf=-34.96×10-6/℃。綜合比較下,(Sr0.99Zn0.01)Al2Si2O8陶瓷的微波介電性能較好。（3）最后分別采用Co3+、Fe3+、Cr3+取代Al3+位離子,研究它們對(duì)SAS陶瓷的燒結(jié)性能、物相以及微波介電性能的影響。結(jié)果表明:Co3+可促進(jìn)SAS陶瓷密度增加并使燒結(jié)溫度降低,經(jīng)XRD物相分析,陶瓷物相為鍶長(zhǎng)石相,無(wú)第二相生成。Fe3+和Cr3+離子摻雜不僅使SAS陶瓷的致密度降低、燒結(jié)溫度升高T≥1500℃,而且分別生成了雜相Fe2Si O4和SrAl2O4。三種離子對(duì)SAS微波介電性能均有不同程度的改善。當(dāng)燒結(jié)溫度為1425℃時(shí),Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷的微波介電性能為:εr=7.14、Q×f=49010 GHz、τf=-38.97×10-6/℃。當(dāng)燒結(jié)溫度為1475℃時(shí),Sr(Al0.9975Fe0.0025)2Si2O8陶瓷的微波介電性能為:εr=6.98、Q×f=42636 GHz、τf=-20.20×10-6/℃。當(dāng)燒結(jié)溫度為1525℃時(shí),Sr(Al0.9925Cr0.0075)2Si2O8陶瓷的微波介電性能為:εr=6.91、Q×f=37960 GHz、τf=-109.20×10-6/℃。綜合比較下,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷的微波介電性能較好。綜合考慮Sr2+位和Al3+位離子摻雜,Sr(Al0.995Co0.005)2Si2O8陶瓷試樣的燒結(jié)溫度最低,微波介電性能最優(yōu)。
欒曉雯[2]（2021）在《低介電微波介質(zhì)陶瓷的制備及其性能優(yōu)化》文中研究指明5G網(wǎng)絡(luò)和現(xiàn)代無(wú)線通訊產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展,極大的促進(jìn)了微波介質(zhì)材料的市場(chǎng)應(yīng)用。為了滿足現(xiàn)代移動(dòng)通訊的高品質(zhì)要求,研究人員需要研發(fā)出擁有更高性能的微波介質(zhì)陶瓷。為了尋找性能優(yōu)良的微波介質(zhì)陶瓷,本文采用固相反應(yīng)法和反應(yīng)燒結(jié)法制備了Sr1+xNd2Al2O7+x（0≤x≤0.04）、Sr1+xSm2Al2O7+x（0≤x≤0.05）、Sr1.03Sm2Al2O7.03+ZL（ZL=ZnO、Li F）、M3ZnTiGe3O12（M=Ca,Mg）等低介電微波陶瓷。（1）采用固相反應(yīng)法和反應(yīng)燒結(jié)兩種方法制備了Sr1+xNd2Al2O7+x（0≤x≤0.04）陶瓷。Sr2+的過(guò)量可以提升陶瓷的微波介電性能。采用固相反應(yīng)法,1550°C燒結(jié)的Sr1+xNd2Al2O7+x（x=0.03）陶瓷表現(xiàn)出優(yōu)異的微波介電性能:（？）r=19.52,τf=-4.29 ppm/°C,Q×f=72700 GHz。采用反應(yīng)燒結(jié)法,1600°C燒結(jié)的Sr1+xNd2Al2O7+x（x=0.03）陶瓷具有良好的綜合性能:Q×f=68600 GHz,τf=-3.49 ppm/°C,（？）r=18.53,體積密度ρ=6.03 g/cm3。（2）通過(guò)固相反應(yīng)法制備的Sr1+xSm2Al2O7+x（0≤x≤0.05）陶瓷,發(fā)現(xiàn)Sr2+的過(guò)量可以顯著提升陶瓷的品質(zhì)因數(shù)。當(dāng)x=0.03時(shí),1550°C燒結(jié)的Sr1+xSm2Al2O7+x陶瓷具備良好的微波介電性能:（？）r=18.31,Q×f=78000 GHz,τf=2.28 ppm/°C。通過(guò)反應(yīng)燒結(jié)制備的Sr1+xSm2Al2O7+x（0≤x≤0.05）陶瓷,步驟簡(jiǎn)單,且具備更加優(yōu)秀的微波性能:當(dāng)x=0.03時(shí),1600℃燒結(jié)的陶瓷具有優(yōu)異的微波介電性能:（？）r=19.0,Q×f=94300 GHz,τf=6.74 ppm/°C。（3）通過(guò)添加0.25 wt%ZnO和0.25 wt%Li F的燒結(jié)助劑,有效降低了Sr1+xSm2Al2O7+x的預(yù)燒溫度,提升了其Q×f值。當(dāng)燒結(jié)溫度為1550℃時(shí),Sr1.03Sm2Al2O7.03+0.25 wt%ZL（ZL=ZnO、Li F）陶瓷表現(xiàn)出優(yōu)異的微波介電性:（？）r=19.4,Q×f=81400 GHz,τf=3.28 ppm/°C。采用反應(yīng)燒結(jié)方法來(lái)簡(jiǎn)化陶瓷的制備工藝,其微波性能為:（？）r=18.8,Q×f=78100 GHz,τf=5.28 ppm/°C。（4）通過(guò)固相反應(yīng)法制備了Ca3ZnTiGe3O12和Mg3ZnTiGe3O12低介電微波陶瓷。Ca3ZnTiGe3O12陶瓷為純相,Mg3ZnTiGe3O12陶瓷除了主相Mg Ge O3之外,還存在第二相Mg Ti2O5和Zn2Ti O4。當(dāng)燒結(jié)溫度為1145°C時(shí),Ca3ZnTiGe3O12陶瓷具有良好的微波介電性能:（？）r=12.55,Q×f=27800 GHz,τf=-43.0 ppm/°C。當(dāng)燒結(jié)溫度為1175°C時(shí),Mg3ZnTiGe3O12陶瓷具有良好的微波介電性能:（？）r=9.94,Q×f=72000 GHz,τf=-48.0 ppm/°C。
王剛[3]（2021）在《低損耗鈮酸鹽系微波介質(zhì)材料低溫?zé)Y(jié)與性能調(diào)控研究》文中進(jìn)行了進(jìn)一步梳理數(shù)字家電、5G移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等新技術(shù)的興起,極大地推動(dòng)了電子元器件高頻化、微型化、集成化及多功能化進(jìn)程,同時(shí)也對(duì)微波介質(zhì)材料提出了更為嚴(yán)格的要求。因此,微波介質(zhì)材料正向著滿足通信系統(tǒng)高集成化、超寬帶、超低損耗方向發(fā)展。這就需要揭示微波介質(zhì)材料的介電機(jī)理,優(yōu)化材料的微波介電性能,發(fā)現(xiàn)性能調(diào)控及內(nèi)在影響機(jī)制,開發(fā)出高性能5G通信用微波介質(zhì)材料,該項(xiàng)研究具有重要的理論和實(shí)踐意義。本文以中介電常數(shù)、低損耗的鈮酸鹽體系ZnZrNb2O8和Li3Mg2NbO8陶瓷作為研究對(duì)象。采用離子取代、非化學(xué)計(jì)量比及燒結(jié)助劑對(duì)微波介電性能進(jìn)行優(yōu)化,并基于化學(xué)鍵理論、結(jié)構(gòu)精修、Raman光譜、鍵能計(jì)算等分析手段,揭示結(jié)構(gòu)-微波介電性能調(diào)控機(jī)理。其次,為了滿足低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù)要求,通過(guò)優(yōu)化燒結(jié)助劑及離子取代方案實(shí)現(xiàn)了鈮酸鹽材料純相、高性能低溫?zé)Y(jié)。并基于此設(shè)計(jì)制作了5G通信用帶通濾波器,測(cè)試分析結(jié)果驗(yàn)證了材料工程應(yīng)用的可行性。主要研究結(jié)果如下:首先,系統(tǒng)地研究了Cu2+離子取代對(duì)ZnZrNb2O8陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、Raman振動(dòng)及微波介電性能的影響。Cu2+離子取代形成了固溶體,導(dǎo)致了晶胞體積的減小,樣品的晶粒形態(tài)從多面體結(jié)構(gòu)向棒狀結(jié)構(gòu)演變。Cu2+離子取代降低了Nb-O鍵離子性及介電常數(shù)。同時(shí)Raman半峰寬的降低及晶格能的增加導(dǎo)致了Q×f值的提升。樣品的τf值主要受Nb-O鍵能影響。當(dāng)燒結(jié)在1175℃時(shí),Zn0.04Cu0.06Zr Nb2O8陶瓷的介電性能較為優(yōu)異:εr=27.9,Q×f=73,200 GHz和τf=-40ppm/℃。其次,采用LBBS助燒劑實(shí)現(xiàn)了ZnZrNb2O8陶瓷的低溫?zé)Y(jié),獲得了優(yōu)異的微波介電性能。LBBS助燒劑的添加能夠?qū)崿F(xiàn)陶瓷純相、低溫?zé)Y(jié),同時(shí)促進(jìn)晶粒生長(zhǎng),提高ZnZrNb2O8陶瓷的致密度。同時(shí)也改變了晶胞體積、NbO6八面體扭曲度、Raman位移和半峰寬,從而影響微波介電性能。ZnZrNb2O8-0.75 wt.%LBBS陶瓷在950℃燒結(jié)時(shí)的微波介電性能良好:εr=27.1,Q×f=54,500 GHz和τf=-48.7ppm/℃。此外,ZnZrNb2O8-0.75 wt.%LBBS陶瓷與銀電極有著良好的化學(xué)兼容性,滿足LTCC器件的應(yīng)用需求。此外,通過(guò)A/B位離子調(diào)控,研究了Li3Mg2NbO6陶瓷微波介電性能調(diào)控機(jī)理。非計(jì)量比的Li添加能夠引入晶格缺陷促進(jìn)燒結(jié)、補(bǔ)償Li揮發(fā)提高致密,增大離子極化率從而大幅度提高微波介電性能。為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)近零的τf值,分別采用Cu/Ta對(duì)Li3Mg2NbO6陶瓷A/B位進(jìn)行取代。Cu2+離子取代后晶胞體積逐漸增加,但原子堆積比逐漸降低,因此導(dǎo)致Q×f值的下降。介電常數(shù)的增大與Cu2+離子的高離子極化率有關(guān)。同時(shí),Cu2+離子取代改變了NbO6八面體扭曲度,使得陶瓷的τf值向正方向移動(dòng)。當(dāng)燒結(jié)在1100℃時(shí),Li3Mg2.98Cu0.02NbO6樣品具有優(yōu)異的微波介電性能:εr=15.75,Q×f=92,000 GHz和τf=-2 ppm/℃。此外,我們也采用Ta5+離子取代同時(shí)實(shí)現(xiàn)提升Q×f值及調(diào)節(jié)τf值。Ta5+離子降低了晶胞體積,導(dǎo)致了原子堆積比的增加。優(yōu)化的微觀結(jié)構(gòu)及高的堆積比導(dǎo)致了Q×f值的顯著增加。而NbO6八面體扭曲度的增加及Nb-O鍵價(jià)的減小提高了陶瓷的溫度穩(wěn)定性。當(dāng)燒結(jié)溫度為1100℃時(shí),x=0.02樣品的微波介電性能極其優(yōu)異:εr=15.58,Q×f=113,000 GHz和τf=-4.5 ppm/℃,滿足下一代毫米波通訊的要求。再者,為了實(shí)現(xiàn)Li3Mg2NbO6陶瓷的低溫?zé)Y(jié)lunwen,我們對(duì)比采用了V5+離子和Li F燒結(jié)助劑。首先,V5+離子進(jìn)入晶格形成固溶體,能夠?qū)崿F(xiàn)陶瓷的純相、低溫?zé)Y(jié)。當(dāng)燒結(jié)在900℃時(shí),Li3Mg2Nb0.98V0.02O6樣品的微波介電性能卓越:εr=16.01,Q×f=131,000 GHz和τf=-26 ppm/℃,且與銀電極的化學(xué)兼容性良好,可以滿足LTCC器件的實(shí)際應(yīng)用。其次,為了解決玻璃助燒劑成分復(fù)雜而在降燒過(guò)程中引入第二相的問(wèn)題,我們采用低熔點(diǎn)的Li F作為燒結(jié)助劑。由于Li F成分簡(jiǎn)單,在液相燒結(jié)的作用下,Li F添加能夠?qū)崿F(xiàn)純相Li3Mg2NbO6陶瓷的低溫?zé)Y(jié)及致密化。當(dāng)燒結(jié)在925℃時(shí),Li3Mg2NbO6-6 wt.%Li F樣品具有近零的τf值:εr=15.4,,Q×f=100,000 GHz和τf=-3.1 ppm/℃。最后,基于Li3Mg2NbO6-6 wt.%Li F陶瓷材料,通過(guò)調(diào)整流延過(guò)程中有機(jī)物比例獲得平整、均勻的流延膜片,采用LTCC工藝設(shè)計(jì)制作了帶通濾波器。測(cè)試結(jié)果表明:中心頻率為3.5GHz,帶內(nèi)插損約為3 dB,3 GHz處|S21|值衰減大于40 dB,4GHz處|S21|值衰減大于50 dB。測(cè)試結(jié)果和仿真結(jié)果的一致性驗(yàn)證了材料在工程應(yīng)用中的可行性和實(shí)用性。
熊喆[4]（2020）在《Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介質(zhì)陶瓷制備與改性機(jī)理研究》文中研究表明高介微波介質(zhì)陶瓷及LTCC微波陶瓷材料對(duì)微波器件的小型化和集成化有著至關(guān)重要的作用。本文以正交鎢青銅結(jié)構(gòu)的Ba3.75Nd9.5Ti18O54（BNT,εr～85）和正交鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Ca0.61Nd0.26Ti O3（CNT,εr～107）高介微波陶瓷為研究對(duì)象,對(duì)其存在的Ti還原問(wèn)題展開深入、系統(tǒng)的研究。此外,本文通過(guò)選取合適的燒結(jié)助劑制備出了BNT和CNT基高介L(zhǎng)TCC微波介質(zhì)陶瓷材料。本文主要研究成果如下:（1）首先用四種不同的低價(jià)金屬離子(Cu2+、Cr3+、Al3+、Mn2+)對(duì)BNT陶瓷進(jìn)行B位等量取代,有效地抑制了BNT陶瓷中弱束縛電子與晶格Ti的結(jié)合,進(jìn)而阻止Ti還原的發(fā)生;而且還能降低BNT陶瓷的電導(dǎo)率,從而提升其Q×f值。用復(fù)合離子(Al0.5Nb0.5)4+對(duì)BNT陶瓷（BNTAN）進(jìn)行等價(jià)的B位取代不僅在一定程度上可以提升陶瓷的Q×f值,還能持續(xù)降低體系的τf值,當(dāng)(Al0.5Nb0.5)4+取代量為x=2時(shí),BNT陶瓷的τf值降低到+0.3 ppm/℃。通過(guò)分析BNTAN樣品的拉曼光譜發(fā)現(xiàn):晶胞體積減小使得氧八面體收縮、扭曲,拉曼位移隨之增加。氧八面體的收縮、扭曲造成了體系諧振頻率溫度系數(shù)的降低。晶胞體積的收縮減小了電子活動(dòng)的空間,離子的電子云分布空間隨之收縮,離子極化率變小,所以樣品介電常數(shù)減小。在前人的研究基礎(chǔ)上,對(duì)BNT陶瓷進(jìn)行了A、B位的協(xié)同取代研究。用離子半徑較小的Sm3+取代Ba3.75Nd9.5Ti17.5(Cr0.5Nb0.5)0.5O54（BNTCN）中的Nd3+,通過(guò)降低氧八面體的傾角來(lái)降低BNTCN體系的τf值。當(dāng)Sm3+取代量為x=3時(shí),樣品的內(nèi)部應(yīng)變最小,Q×f值最大。（2）為了獲得更高介電常數(shù)、低介質(zhì)損耗的微波介質(zhì)陶瓷,采用了五種不同金屬離子(Cr3+、Al3+、Cu2+、Mn2+、Sn4+)對(duì)CNT陶瓷進(jìn)行額外摻雜研究,發(fā)現(xiàn)Cr3+和Al3+比其它三種離子在抑制CNT陶瓷的Ti還原方面,效果更好,所以Cr3+和Al3+摻雜對(duì)陶瓷Q×f值的提升效果更顯著?；诖?我們又設(shè)計(jì)研究了Ca0.61Nd0.26Ti1-xCrxO3（CNTC）陶瓷樣品。結(jié)果表明,CNTC樣品介電常數(shù)的降低不僅與樣品的晶粒尺寸和離子極化率的降低有關(guān),還依賴于Ca-O、Nd-O及B-O鍵的離子性的降低。當(dāng)x=0.01時(shí),CNTC樣品的Q×f值達(dá)到最大,為16078GHz。在此基礎(chǔ)上,分別用兩種含Cr的復(fù)合離子(Cr0.5Ta0.5)4+和(Cr0.5Nb0.5)4+對(duì)CNT陶瓷（CNTCT、CNTCN）進(jìn)行了B位取代研究。CNTCT和CNTCN樣品在x=0～0.1范圍內(nèi)均表現(xiàn)為單一正交鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的相。而且,兩種含Cr的CNTC和CNTCT陶瓷樣品在770 cm-1處都出現(xiàn)新的拉曼強(qiáng)峰,這表明Cr3+對(duì)CNT晶體內(nèi)部電子云分布造成了巨大影響,從而加強(qiáng)或產(chǎn)生了拉曼峰。CNTCT和CNTCN樣品的Q×f值分別在x=0.05和x=0.06時(shí)達(dá)到最大,分別為14860和14590 GHz。這三種離子取代都會(huì)明顯地降低CNT陶瓷的介電常數(shù)和τf值。τf值的降低主要與CNT晶格中的氧八面體畸變度的降低有關(guān)。（3）本文研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-xAlxO3（CNTA）陶瓷樣品的TEM結(jié)果表明,x=0.05的樣品中存在超晶格結(jié)構(gòu)。這種超晶格結(jié)構(gòu)可能是由于B位離子Ti/Al有序排列造成的。XPS結(jié)果表明CNTA樣品中的Ti還原在x=0.01時(shí)就被完全抑制,因此其Q×f值在x=0.01時(shí)就得到了大幅度提升。雖然Al3+取代會(huì)主動(dòng)產(chǎn)生額外的氧空位,但是氧空位會(huì)與Al’Ti結(jié)合形成Al’Ti-OV··缺陷偶極子,在一定程度上降低氧空位的遷移率,從而降低樣品的電導(dǎo)率和電導(dǎo)損耗。所以CNTA樣品的Q×f值隨著取代量的增加而一直升高。在所設(shè)計(jì)研究的Ca0.61Nd0.26Ti1-x(Al0.5Nb0.5)xO3（x=0～0.12,CNTAN）樣品中,x=0.12的樣品出現(xiàn)B位1:1有序結(jié)構(gòu),這在一定程度上有利于樣品Q×f值的提升。CNTAN樣品中的Ti還原在x=0.04時(shí)可以被完全抑制。Al3+和(Al0.5Nb0.5)4+取代都會(huì)大幅度、持續(xù)地提升CNT陶瓷的Q×f值并在一定程度上改善其τf值。Ca0.61Nd0.26Ti0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3樣品的微波介電性能為:εr=102.4,Q×f=15300 GHz,τf=+242.5 ppm/℃。基于該陶瓷樣品優(yōu)異的微波介電性能,我們?cè)O(shè)計(jì)并制備了(Ca0.61Nd0.26)1-x(Li0.5Nd0.5)xTi0.96(Al0.5Nb0.5)0.04O3（x=0～0.8,CLNTAN）陶瓷樣品。當(dāng)x=0.76時(shí),CLNTAN樣品的微波介電性能為:εr=129.2,Q×f=2210 GHz,τf=-1.4ppm/℃。拉曼光譜結(jié)果表明,CLNTAN樣品的拉曼峰的半峰寬的不斷增大,即拉曼振動(dòng)阻尼增大,表明陶瓷樣品內(nèi)部損耗提升,所以樣品Q×f值不斷降低。（4）在高溫下,熔融的LB助燒劑（Li2O-B2O3-Si O2和Ba O-Zn O-B2O3組合而成）形成的液相對(duì)BNTCN陶瓷有很好的浸潤(rùn)性,有效地降低了陶瓷的燒結(jié)激活能。所以,BNTCN的燒結(jié)溫度從1390℃降低到了950℃。當(dāng)LB助燒劑摻雜量為5 wt%時(shí),BNTCN陶瓷在950oC下可燒結(jié)致密,并擁有極具競(jìng)爭(zhēng)性的微波介電性能:εr=73.4,Q×f=5280 GHz,τf=+7.1 ppm/℃。此外,本文選擇Ba O-Zn O-Li2O-B2O3-Si O2助燒劑成功地將Ca0.244Li0.3Nd0.404Ti0.96Al0.02Nb0.02O3陶瓷的燒結(jié)溫度從1230℃降低到了950℃。摻雜4 wt%BZLBS助燒劑的陶瓷樣品在950oC下燒結(jié)后的微波介電性能為:εr=104.7,Q×f=2560 GHz,τf=-2.1 ppm/℃。
王耿[5]（2020）在《鎢青銅結(jié)構(gòu)高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的性能調(diào)控》文中研究說(shuō)明第五代（5G）移動(dòng)通信系統(tǒng)的快速發(fā)展對(duì)介質(zhì)諧振器、濾波器等微波器件提出了更高的性能要求。微波介質(zhì)陶瓷作為制造微波器件的核心材料,一直以來(lái)都是研究的熱點(diǎn)。相比于其他高介電常數(shù)（εr）微波介質(zhì)陶瓷材料,鎢青銅結(jié)構(gòu)Ba6-3xM8+2xTi18O54（M=鑭系元素）系陶瓷具有較好的綜合介電性能,但相對(duì)較低的品質(zhì)因數(shù)（Q×f）和偏大的諧振頻率溫度系數(shù)（TCF）限制了它在5G移動(dòng)通信中的應(yīng)用。本文首先系統(tǒng)研究了鑭系元素對(duì)Ba4M28/3Ti18O54（M=La,Pr,Nd,Sm）陶瓷燒結(jié)特性、晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、化學(xué)鍵參量、振動(dòng)光譜以及微波介電性能的影響,深入分析了振動(dòng)模式、化學(xué)鍵參量與微波介電性能的關(guān)系。在此基礎(chǔ)上,以提升Ba4M28/3Ti18O54陶瓷系列的綜合微波介電性能為目標(biāo),詳細(xì)研究了A位置換改性Ba4Sm28/3Ti18O54、A/B位協(xié)同置換改性Ba4Pr28/3Ti18O54以及B位置換改性Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷。主要研究如下:通過(guò)固相法制備了單相正交鎢青銅結(jié)構(gòu)Ba4M28/3Ti18O54（M=La,Pr,Nd,Sm）陶瓷。晶體結(jié)構(gòu)精修結(jié)果顯示隨著鑭系元素離子半徑的減小,晶胞參數(shù)和晶胞體積逐漸減小,Ba-O、M-O與Ti-O鍵的平均鍵長(zhǎng)逐漸變短?；趶?fù)雜晶體化學(xué)鍵理論,計(jì)算了Ba-O、M-O與Ti-O鍵的化學(xué)鍵參量（離子性、晶格能及鍵能）,建立了微波介電性能與化學(xué)鍵參量之間的聯(lián)系。研究發(fā)現(xiàn)Ba4M28/3Ti18O54陶瓷εr的減小與離子極化率、化學(xué)鍵的離子性以及晶胞體積的減小相關(guān),Q×f值的增大與原子堆積密度、總晶格能增大以及Ag與B1g拉曼峰半高寬的減小密切相關(guān),TCF值向負(fù)方向偏移則與容忍因子減小以及總鍵能增大有關(guān)。紅外反射光譜分析表明在微波頻段范圍,Ba4M28/3Ti18O54陶瓷體系的主要介電極化貢獻(xiàn)來(lái)源于紅外頻段的聲子振蕩吸收。隨鑭系元素離子半徑的減小,位于低頻的紅外活性振動(dòng)模式的振動(dòng)強(qiáng)度減弱,對(duì)介電極化的貢獻(xiàn)減小。在Ba4M28/3Ti18O54陶瓷基體的研究基礎(chǔ)上,為解決Ba4Sm28/3Ti18O54陶瓷中所存在的Ti變價(jià)及TCF值偏大的問(wèn)題,研究了A位少量Pr置換Sm對(duì)Ba4Sm28/3Ti18O54陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、振動(dòng)光譜及微波介電性能的影響,分析了氧化劑Pr6O11在抑制Ti4+還原中所起的作用。通過(guò)Pr置換能有效改善Ba4Sm28/3Ti18O54陶瓷的“黑心”現(xiàn)象,抑制Ti4+還原和氧空位生成,從而降低介電損耗。Pr4+具有較強(qiáng)的氧化性是抑制Ti4+還原和氧空位生成的關(guān)鍵。隨Pr置換量的增大,εr增大,同時(shí)Q×f值提升,TCF向正方向偏移。當(dāng)y=0.15時(shí),Ba4(Sm1-yPry)28/3Ti18O54（0≤y≤0.25）在1375℃下燒結(jié)4h具有優(yōu)良的微波介電性能:εr=80.5,Q×f=9700 GHz,TCF=-0.9 ppm/℃。為提升Ba4M28/3Ti18O54系陶瓷的綜合微波介電性能,系統(tǒng)研究了A/B位協(xié)同置換對(duì)Ba4Pr28/3Ti18O54陶瓷晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌、振動(dòng)光譜及微波介電性能的影響。通過(guò)Sm3+/Al3+協(xié)同置換,Ba4(Pr1-xSmx)28/3Ti18-yAl4y/3O54（0.4≤x≤0.7;0≤y≤1.5）陶瓷系列在較大的范圍內(nèi)（0.4≤x≤0.7）均能獲得優(yōu)異的微波介電性能:高εr（εr≥70）,高Q×f值（Q×f≥12,000 GHz）以及近零的TCF值（-10<TCF<+10 ppm/℃）,實(shí)現(xiàn)了εr及TCF的連續(xù)可調(diào)。針對(duì)Ba4(Pr0.5Sm0.5)28/3Ti18-yAl4y/3O54（x=0.5;0≤y≤1.5）陶瓷系列,通過(guò)XPS證實(shí)了Al3+置換能有效抑制Ti4+的還原,提升Q×f值,并結(jié)合拉曼光譜與紅外反射光譜分析了B位離子有序度對(duì)微波介電性能的影響。當(dāng)y=1.25時(shí),Ba4(Pr0.5Sm0.5)28/3Ti18-yAl4y/3O54陶瓷在1375℃燒結(jié)4h具有優(yōu)異的微波介電性能:εr=72.5,Q×f=13,900 GHz,TCF=+1.3 ppm/℃。為保持相對(duì)更高的εr,通過(guò)Sm3+/Ga3+協(xié)同置換成功制備了Ba4(Pr0.4Sm0.6)28/3Ti18-yGa4y/3O54（x=0.6;0≤y≤1）固溶體陶瓷。相比于純Ba4Pr28/3Ti18O54陶瓷,協(xié)同置換后Q×f值提升了約90%,TCF值從+150 ppm/℃調(diào)節(jié)到了近零,且εr保持在一個(gè)相對(duì)較高的值。當(dāng)y=0.75時(shí),Ba4(Pr0.4Sm0.6)28/3Ti18-yGa4y/3O54陶瓷在1375℃下燒結(jié)4h具有最佳的綜合介電性能:εr=78.5,Q×f=12,400 GHz,TCF=+2.1 ppm/℃。為進(jìn)一步提升Ba4M28/3Ti18O54系陶瓷的綜合微波介電性能,首先研究了B位不同類型離子置換(少量施主Nb5+、受主Ga3+及施受主(Ga1/2Nb1/2)4+置換)對(duì)Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷介電性能的影響。受主Ga3+置換能有效抑制Ti4+離子的還原,促進(jìn)晶粒的生長(zhǎng),大幅提升了品質(zhì)因數(shù);施主Nb5+置換加劇了Ti4+離子的還原,抑制了晶粒的生長(zhǎng),嚴(yán)重惡化了品質(zhì)因數(shù);施受主(Ga1/2Nb1/2)4+協(xié)同置換也能在一定程度上抑制Ti4+離子的還原,提升品質(zhì)因數(shù),但晶粒尺寸并未發(fā)生明顯變化。此外,各類型離子置換均能有效改善Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷的TCF。在此基礎(chǔ)上,研究了不同置換量的Ga3+離子對(duì)Ba4Nd28/3Ti18O54陶瓷晶體結(jié)構(gòu)、微觀形貌及介電性能的影響。當(dāng)y=1.5及y=2時(shí),Ba4Nd28/3Ti18-yGa4y/3O54（0≤y≤2）陶瓷在1400℃下燒結(jié)4h具有優(yōu)異的綜合微波介電性能:y=1.5時(shí),εr=72.8,Q×f=14,600 GHz,TCF=+4.1 ppm/℃;y=2時(shí),εr=70.3,Q×f=15,500 GHz,TCF=+3.9 ppm/℃?？傮w來(lái)說(shuō),本文通過(guò)對(duì)Ba4M28/3Ti18O54陶瓷體系離子極化率、容忍因子的精細(xì)調(diào)控以及對(duì)Ti變價(jià)的抑制,成功制備了一系列εr在70-80可調(diào)、高Q×f值（最高達(dá)15,500GHz）以及近零TCF的微波介質(zhì)陶瓷材料,可應(yīng)用于高性能微波器件的制備。
彭昶[6]（2020）在《堇青石基微波介質(zhì)陶瓷的制備及性能研究》文中研究表明隨著微波通信逐步往高頻化方向發(fā)展,保障器件在高頻下的工作性能與集成化顯得尤為重要。這對(duì)微波介質(zhì)陶瓷提出了更高的要求,即更高的工作穩(wěn)定性,更低的介電損耗。堇青石(Mg2Al4Si5O18)微波介質(zhì)陶瓷成本低廉、微波介電性能優(yōu)異,具有良好的應(yīng)用前景。本文通過(guò)固相法制備Mg2Al4Si5O18陶瓷,研究了制備工藝、摻雜改性等對(duì)材料微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。采用控制變量法探究Mg2Al4Si5O18陶瓷的制備工藝。研究了預(yù)燒溫度和燒結(jié)溫度對(duì)陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和微波性能的影響,以及其他工藝對(duì)陶瓷品質(zhì)因數(shù)的影響。通過(guò)改善Mg2Al4Si5O18陶瓷的制備工藝,使微波介電性能獲得一定的提升:Q×f=52314 GHz,εr=4.86,τf=-28 ppm/℃。研究了MgO含量對(duì)Al6Si2O13第二相的抑制作用。通過(guò)增加MgO的含量,有效抑制了Al6Si2O13第二相的生成,獲得單相堇青石陶瓷。添加MgO還可以改善陶瓷的微觀結(jié)構(gòu),提高粒的均勻性。通過(guò)消除Al6Si2O13第二相,顯著提升了陶瓷的品質(zhì)因數(shù)。在MgO過(guò)量0.2mol處獲得了最佳的微波介電性能:εr=5.18,Q×f=86374GHz,τf=-27 ppm/℃。采用添加TiO2的方式,調(diào)節(jié)Mg2.2Al4Si5O18.2的諧振頻率溫度系數(shù)。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,TiO2可以與Mg2.2Al4Si5O18.2形成固溶體,提高陶瓷的致密度,同時(shí)析出的金紅石相能有效的調(diào)節(jié)Mg2.2Al4Si5O18.2陶瓷的頻率溫度系數(shù)。當(dāng)TiO2含量為6 wt.%時(shí),陶瓷兼具高品質(zhì)因數(shù)和高溫度穩(wěn)定性,其微波介電性能為Q×f=68264 GHz,εr=5.56,τf=-9.95 ppm/℃。在TiO2含量為8 wt.%時(shí),陶瓷具有近零的諧振頻率溫度系數(shù)τf=-3.62 ppm/℃,Q×f=56626 GHz,εr=5.84。研究了RO2（R=Ce,Mn,Zr,Sn）對(duì)Mg2Al4Si5O18陶瓷材料微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響。研究表明,RO2（R=Ce,Mn,Zr,Sn）可以與Mg2Al4Si5O18形成固溶體,從而提高陶瓷的致密度。添加MnO2能促進(jìn)陶瓷晶粒的生長(zhǎng),提高陶瓷的品質(zhì)因數(shù)。添加ZrO2可以調(diào)節(jié)諧振頻率溫度系數(shù)。摻入CeO2會(huì)促使β-堇青石轉(zhuǎn)化為α-堇青石,導(dǎo)致陶瓷品質(zhì)因數(shù)下降。加入SnO2可以降低陶瓷的燒結(jié)溫度,拓寬燒結(jié)區(qū)間,在60℃的范圍內(nèi),Mg2Al4Si5O18-SnO2陶瓷品質(zhì)因數(shù)的波動(dòng)小于5000 GHz。
孫竹葉[7]（2020）在《高介電常數(shù)NPO電容器介質(zhì)材料的制備及性能研究》文中提出為制備高介電常數(shù)綜合性能優(yōu)異的NPO陶瓷,本文采用氧化物固相反應(yīng)法制備了（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Ca0.8Sr0.2）TiO3（BLT-CST）、（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Na0.5La0.5）TiO3（BLT-NLT）和（Bi0.9La0.1）2Ti2O7-（Ca0.6La0.8/3）Ti03（BLT-CLT）三種體系的陶瓷材料,系統(tǒng)研究了三種體系陶瓷材料的相結(jié)構(gòu)、微觀形貌以及介電性能隨組成的變化規(guī)律,并探討了相結(jié)構(gòu)和微觀形貌對(duì)陶瓷介電性能的影響機(jī)理。主要內(nèi)容如下:采用固相反應(yīng)法制備xBLT-（1-x）CST（0.5 ≤x:≤0.9）介質(zhì)陶瓷材料。研究該體系陶瓷的相結(jié)構(gòu)隨組成的變化規(guī)律,以及隨之引起的陶瓷介電性能的變化。在所研究的組成范圍內(nèi),陶瓷由兩相構(gòu)成,其中一相為偏離正?；瘜W(xué)計(jì)量比的具有焦綠石結(jié)構(gòu)的（Bi,La）2-yTi2O7-z,另一相是具有鉍層狀結(jié)構(gòu)的 n（Ca0.8Sr0.2）TiO3·（Bi,La）4Ti3O12。xBLT-（1-x）CST陶瓷的介電常數(shù)溫度特性與物相組成緊密相關(guān)。通過(guò)對(duì)xBLT-（1-x）NLT（0.4≤x≤0.75）陶瓷進(jìn)行物相分析,在所研究的組成范圍內(nèi),陶瓷中均檢測(cè)到偏離化學(xué)計(jì)量比的焦綠石相Bi1.74Ti2O6.624。在0.4≤x≤0.65范圍內(nèi),存在鈣鈦礦相（Na0.5La0.5）Ti03,當(dāng)x繼續(xù)增加到0.75時(shí),鈣鈦礦相消失。在所研究的組成范圍內(nèi),陶瓷同時(shí)還在鉍層狀結(jié)構(gòu)相（Nao.sLao.5）TiO3·（Bi0.9La0.1）4Ti3O12,xBLT-（1-x）NLT 陶瓷的高介電常數(shù)很可能與此相的存在有關(guān)。通過(guò)對(duì)xBLT-（1-x）CLT（0.3 ≤ x≤0.7）陶瓷進(jìn)行物相分析,在所研究的組成范圍內(nèi),陶瓷中均檢測(cè)到偏離化學(xué)計(jì)量比的焦綠石相Bi1.74Ti2O6.624。在0.3 ≤ x ≤ 0.4范圍內(nèi),存在鈣鈦礦相（Ca0.6La0.8/3）TiO3,當(dāng)x繼續(xù)增加到0.5時(shí),鈣鈦礦相消失。在xBLT-（1-x）CLT 陶瓷中還存在鉍層狀結(jié)構(gòu)相 n（Ca0.6Lar0.8/3）Ti03·（Bi0.9La0.1）4Ti3012,在 0.3 ≤x≤0.6組成范圍內(nèi),n=1,當(dāng)x增大到0.7時(shí),n=0.5。當(dāng)x=0.5時(shí),陶瓷介質(zhì)材料滿足NP0特性,其介電常數(shù)K～130,介電損耗tanδ～0.0015,介電常數(shù)溫度系數(shù)TCK～-6.7ppm/℃。
王文文[8]（2020）在《Li-Mg-Nb系微波介質(zhì)陶瓷改性研究》文中指出近年來(lái),隨著移動(dòng)通信全球性的普及,作為微波通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵性材料,微波介質(zhì)陶瓷以諧振器、濾波器、微波振蕩器、介質(zhì)雙工器以及微波天線等微波元器件的形式成為整個(gè)系統(tǒng)必不可少的關(guān)鍵材料。微波介質(zhì)陶瓷材料對(duì)于當(dāng)今5G以及未來(lái)6G的發(fā)展具有重要影響。然而,應(yīng)用在通信系統(tǒng)中的微波介質(zhì)材料一般應(yīng)具有較高的介電常數(shù)（εr）,低的介質(zhì)損耗（tanδ）（或高Q值）以及好的溫度穩(wěn)定性（諧振頻率溫度系數(shù)（τf）近零）。因此,研發(fā)出具有良好性能的微波介質(zhì)陶瓷新體系是國(guó)家通信領(lǐng)域的重要關(guān)鍵技術(shù)之一。本文中所有陶瓷樣品均采用傳統(tǒng)固相反應(yīng)法合成。以Li3Mg2NbO6微波介質(zhì)陶瓷作為基體材料,利用低熔點(diǎn)玻璃摻雜、兩相復(fù)合等手段,旨在獲得具有低燒結(jié)溫度、高Q×f值及近零τf值的微波介質(zhì)陶瓷材料體系。利用X射線衍射（XRD）、能譜儀（EDS）、掃描電鏡（SEM）和網(wǎng)絡(luò)分析儀等儀器對(duì)陶瓷材料的物相結(jié)構(gòu)和介電性能等進(jìn)行分析,得出以下主要結(jié)論:1.為了降低Li3Mg2NbO6陶瓷材料的燒結(jié)溫度,使其能夠兼容低溫共燒陶瓷（LTCC）技術(shù),本文利用低熔點(diǎn)的Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3（LBSCA）玻璃作為燒結(jié)助劑,以期達(dá)到降低燒結(jié)溫度的目的。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),添加適量的LBSCA玻璃能有效降低燒結(jié)溫度至960℃以下,且無(wú)第二相產(chǎn)生。當(dāng)LBSCA玻璃摻雜量為0.5 wt.%且燒結(jié)溫度在925℃時(shí),樣品的微波介電性能較為優(yōu)異:er=15.16,Q×f=90557 GHz,tf=-16.22 ppm/℃。2.為了得到高溫度穩(wěn)定性即tf值近零的微波介質(zhì)陶瓷材料,采用傳統(tǒng)固相合成工藝,制備出了兩相共存的Li3Mg2NbO6-Ba3（VO4）2以及Li3Mg2NbO6-CaTiO3復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷材料。（1）對(duì)于Li3Mg2NbO6-xBa3（VO4）2（x=0.2-0.5）體系,當(dāng)x值從0.2增加到0.5時(shí),諧振頻率溫度系數(shù)從-3.16 ppm/℃增加到+11.8 ppm/℃;當(dāng)x=0.3時(shí),Li3Mg2NbO6-xBa3（VO4）2陶瓷材料在1025℃時(shí)燒結(jié)4 h的性能最優(yōu),其微波介電性能為:?r=15.36,Q×f=64830 GHz,tf=+1.55 ppm/℃。（2）對(duì)于Li3Mg2NbO6-xCaTiO3（x=0.04-0.1）,當(dāng)x值從0.04增加到0.1時(shí),諧振頻率溫度系數(shù)從-8.7 ppm/℃增加到+5.83 ppm/℃;當(dāng)x=0.08時(shí),Li3Mg2NbO6-xCaTiO3陶瓷材料在1125℃下燒結(jié)4 h的性能較為優(yōu)異:?r=16.45,Q×f=131711 GHz,tf=-2.2 ppm/℃。3.在保證諧振頻率溫度系數(shù)近零的前提下,為了獲得滿足LTCC技術(shù)要求的低溫?zé)Y(jié)微波介質(zhì)陶瓷材料,采用Li2O-MgO-B2O3（LMB）玻璃作為助燒劑對(duì)Li3Mg2NbO6-0.1CaTiO3陶瓷進(jìn)行降燒。隨著LMB玻璃含量的增加,tf值逐漸降低。當(dāng)LMB玻璃添加量為2 wt.%時(shí),該體系能夠在925℃實(shí)現(xiàn)低溫?zé)Y(jié),且具有較好的微波介電性能:er=13.54,Q×f=58120 GHz,tf=+1.2 ppm/℃。
黃鑫[9]（2020）在《Ti基中高介電常數(shù)陶瓷的制備與性能研究》文中研究說(shuō)明隨著通信技術(shù)的飛速發(fā)展,具有高效、微型、高穩(wěn)定性的器件需求越來(lái)越大,電介質(zhì)陶瓷材料作為電子元器件的關(guān)鍵材料,面臨著嚴(yán)峻的考驗(yàn)。近些年來(lái),我們國(guó)家在電子工業(yè)相關(guān)的家電、汽車、通信、軍事等領(lǐng)域極速發(fā)展,這些領(lǐng)域?qū)﹄娊橘|(zhì)材料的需求也日益劇增。并且,隨著5G通信的普及以及對(duì)6G通信的展望對(duì)電介質(zhì)陶瓷材料提出了更高的要求。CaCu3Ti4O12（CCTO）具有超高介電常數(shù),優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性,在頻率102-105Hz范圍內(nèi)介電常數(shù)保持恒定的介電特性,因此本工作首先研究了巨介電常數(shù)的CCTO電介質(zhì)陶瓷。CCTO電介質(zhì)陶瓷在射頻范圍內(nèi)只能用于1MHz頻率以內(nèi),隨頻率增加介電常數(shù)開始快速衰減。然而,目前的通信信道有向著高頻率發(fā)展的趨勢(shì),引導(dǎo)著我們也研究了NiTiNb2O8微波電介質(zhì)陶瓷,NiTiNb2O8陶瓷在高頻具有較高的介電常數(shù),兩者可以互補(bǔ)特長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)射頻段高介電材料應(yīng)用的覆蓋。本論文基于CCTO陶瓷和NiTiNb2O8陶瓷為研究對(duì)象。具體工作如下:（1）探討不同離子位置摻雜對(duì)CCTO陶瓷性能的影響,通過(guò)測(cè)試CCTO禁帶寬度探索了晶界處的肖特基勢(shì)壘對(duì)CCTO陶瓷性能的影響。通過(guò)La3+離子摻雜取代CCTO晶格A位的Ca2+離子和Cu2+離子,研究發(fā)現(xiàn)La3+離子摻雜在A1位替代Ca2+離子要比A2位替代Cu2+離子的燒結(jié)溫度低,擁有高的介電常數(shù)和較低的介電損耗。通過(guò)Sr2+離子對(duì)CCTO陶瓷的摻雜,探索了CCTO陶瓷晶粒半導(dǎo)體特性與晶粒大小對(duì)CCTO陶瓷的性能影響。Sr2+離子摻雜導(dǎo)致CCTO陶瓷的禁帶寬度增加,通過(guò)晶界處的肖特基勢(shì)壘模型分析,隨Sr2+離子摻雜含量的增加,CCTO陶瓷的介電常數(shù)相應(yīng)減小,晶界阻抗也會(huì)增加。與純的CCTO對(duì)比,Sr2+離子摻雜導(dǎo)致CCTO陶瓷的介電常數(shù)增加,晶界阻抗減小。SEM分析可以解釋為,晶界處形成的肖特基勢(shì)壘是CCTO形成超高介電常數(shù)的重要原因,同時(shí)La3+、Sr2+離子摻雜的CCTO陶瓷中,晶粒大小的變化將嚴(yán)重影響CCTO陶瓷的介電性能。（2）探索了F-離子摻雜形成氧缺陷對(duì)CCTO性能的影響,降低CCTO陶瓷的介電損耗。F-離子摻雜后的CCTO陶瓷晶粒尺寸相對(duì)減小,晶界阻抗增加,CCTO陶瓷的介電損耗降低。通過(guò)電模量的建模分析,計(jì)算出CCTO陶瓷介電馳豫的活化能,該活化能高低與晶界處的勢(shì)壘高度相關(guān),F-離子的摻雜增加了CCTO陶瓷晶界處的勢(shì)壘高度,導(dǎo)致晶界阻抗增加,說(shuō)明CCTO晶界是一類熱活化的馳豫過(guò)程。優(yōu)化F-摻雜量為x=0.8時(shí),CCTO陶瓷的介電損耗在5KHz時(shí)降低為0.05。（3）摻雜優(yōu)化NiTiNb2O8陶瓷的介電性能,降低燒結(jié)溫度。首先,通過(guò)Zn2+離子取代NiTiNb2O8中的Ni2+離子合成了Ni1-xZnxTiNb2O8陶瓷,隨Zn2+離子取代含量的增加,Ni1-xZnxTiNb2O8介電常數(shù)會(huì)逐漸降低,品質(zhì)因數(shù)Q×f值有所升高,諧振頻率溫度系數(shù)逐漸降低。其次,采用B2O3-ZnO（BZ）玻璃對(duì)Ni0.3Zn0.7TiNb2O8陶瓷進(jìn)行了低溫?zé)Y(jié)助熔研究,添加3 wt%的BZ玻璃,Ni0.3Zn0.7TiNb2O8陶瓷在950℃燒結(jié)時(shí)能獲得較好的介電性能:εr=34.3,Q×f=20255GHz,τf=-4.14ppm/℃。BZ玻璃助燒的Ni0.3Zn0.7TiNb2O8陶瓷可以很好的應(yīng)用于LTCC技術(shù)。再者,針對(duì)前面研究體系中具有最高品質(zhì)因數(shù)的Ni0.4Zn0.6TiNb2O8陶瓷（εr=51.23,Q×f=32114GHz,τf=38.1 ppm/℃）進(jìn)行再優(yōu)化,采用Zr4+對(duì)Ti4+離子進(jìn)行摻雜取代。隨著Zr4+離子摻雜含量的增加,NiTiNb2O8晶相減少而ZnTiNb2O8晶相增加,相對(duì)密度增加。最終,通過(guò)調(diào)控?fù)诫s我們制備出具有優(yōu)秀的溫度穩(wěn)定性的Ni0.4Zn0.6Ti0.9Zr0.1Nb2O8陶瓷（εr=35.3,Q×f=45733GHz,τf=3ppm/℃）,以及具有較高品質(zhì)因數(shù)的Ni0.4Zn0.6Ti0.7Zr0.3Nb2O8陶瓷（εr=29.7,Q×f=92078GHz,τf=-38ppm/℃）。（4）研究NbO6八面體中的離子極化對(duì)NiTiNb2O8陶瓷介電性能的影響。本工作采用Ta5+離子摻雜取代NiTiNb2O8陶瓷的Nb5+離子。當(dāng)Ta5+離子的替代量增加時(shí),NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷中四個(gè)較長(zhǎng)的Nb-O鍵的長(zhǎng)度逐漸減小,兩個(gè)較短的Nb-O鍵的長(zhǎng)度逐漸增加。根據(jù)Clausius-Mostti公式,氧八面體中較長(zhǎng)的鍵決定了陶瓷的極化強(qiáng)度,隨著Nb-O鍵長(zhǎng)度的變化,氧八面體中的極化也受到限制而變?nèi)?介電常數(shù)減小。同時(shí),Ta5+離子摻雜后導(dǎo)致NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷Nb-O鍵的鍵能增加,因此NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷的品質(zhì)因數(shù)增加。通過(guò)計(jì)算Nb-O鍵的扭曲度發(fā)現(xiàn),Ta5+離子的摻雜導(dǎo)致NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷的Nb-O鍵的扭曲度減小,NiTiNb2-2xTa2xO8陶瓷的諧振頻率溫度系數(shù)減小。優(yōu)化摻雜和燒結(jié)溫度,發(fā)現(xiàn)NiTiNb1.6Ta0.4O8陶瓷在1140℃燒結(jié)時(shí)能獲得較好的介電性能:εr=48.5,Q×f=17500GHz,τf=88.6 ppm/℃。（5）探索NiTiNb2O8陶瓷低溫?zé)Y(jié),滿足LTCC技術(shù)中燒結(jié)溫度低于960℃的要求。使用BiVO4陶瓷作為助熔劑來(lái)分析NiTiNb2O8陶瓷低溫?zé)Y(jié)對(duì)性能的影響。采用固相法合成了NiTiNb2O8+xwt%BiVO4（2.5<x<10）陶瓷。BiVO4陶瓷的添加有效的降低NiTiNb2O8陶瓷的燒結(jié)溫度,明顯促進(jìn)了NiTiNb2O8陶瓷的燒結(jié)進(jìn)程。同時(shí)介電常數(shù)和品質(zhì)因數(shù)得到了提高,NiTiNb2O8陶瓷諧振頻率溫度系數(shù)得到降低。經(jīng)大量實(shí)驗(yàn)與配方優(yōu)化,最終實(shí)現(xiàn)Ni0.5Ti0.5NbO4+10wt%BiVO4在900℃燒結(jié)時(shí)的微波介電性能為:εr=56.7,Q×f=7062GHz,τf=+55.59ppm/℃,可以應(yīng)用于LTCC工藝制備相關(guān)生瓷料帶。
方梓烜[10]（2019）在《高介Ti基與低介L(zhǎng)i基微波陶瓷的制備及性能機(jī)理研究》文中研究表明隨著5G時(shí)代的到來(lái),微波集成電路有追求極高頻和寬頻的趨勢(shì),在微波陶瓷器件領(lǐng)域有小型化、高穩(wěn)定性、超低損耗等要求。新型高品質(zhì)微波介質(zhì)陶瓷材料的研究將主要圍繞以下兩大方向展開:（1）探索介電常數(shù)（εr）大于100.0的新材料體系;（2）追求超高Q值的極限新材料體系（Q×f≥100000 GHz）。我們以鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的Na1/2Sm1/2TiO3（NST）基（εr>100.0）陶瓷和Ca0.35Nd0.35Li0.25TiO3（CLNT）基（εr>130.0）陶瓷為高介電常數(shù)陶瓷研究對(duì)象,以巖鹽結(jié)構(gòu)的Li2Mg3BO6（B=Ti,Sn）基低介超高Q值陶瓷（εr≤20且Q×f≥100000 GHz）為研究對(duì)象,實(shí)現(xiàn)了對(duì)其微觀結(jié)構(gòu)及介電性能的有效調(diào)控,獲得了系統(tǒng)的陶瓷微結(jié)構(gòu)與介電性能的調(diào)控機(jī)理,制備了系列化的高介常數(shù)（εr>100.0）陶瓷和超高Q值（εr≤20.0,Q×f≥100000 GHz,τf0 ppm/℃）的微波介質(zhì)陶瓷,本論文的主要研究結(jié)果如下:（1）NST晶體結(jié)構(gòu)模型被確定為正交鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（Pnma空間群）,NST的晶體結(jié)構(gòu)具有一定量的A位空位和氧空位。為了抑制Ti還原或自由電子所引起的本征損耗,我們首先采用一次性合成工藝向陶瓷中引入受主Cr3+抑制自由電子,有效地抑制了Ti3+的產(chǎn)生。為了改善空位聲子散射引起的本征損耗,我們向NST陶瓷中外摻CeO2,適量的Ce4+進(jìn)A位將填充空位或取代(Na1/2Sm1/2)2+抑制氧空位,從而降低相應(yīng)本征損耗;但過(guò)量的Ce4+會(huì)進(jìn)入B位惡化介電性能。τf值高度依賴于B位陽(yáng)離子鍵價(jià),Cr3+和Ce4+的引入有助于增強(qiáng)B位陽(yáng)離子鍵價(jià),其τf可以被一定程度上改善。為了有效調(diào)控NST陶瓷的εr和τf值,我們分別利用Nd/Sn和Nd/Zr對(duì)NST陶瓷進(jìn)行A/B位離子協(xié)同取代。我們先引入離子極化率較大的Nd3+對(duì)NST陶瓷進(jìn)行A位離子取代,其εr可以從100.0提升至110.0。在此基礎(chǔ)上,分別采用Sn和Zr來(lái)取代NST陶瓷的Ti離子,在固溶體范圍內(nèi),隨著t（t<0.9596）的降低,τf高度依賴于晶體結(jié)構(gòu)的容忍因子,τf可從206.0 ppm/℃調(diào)節(jié)至0 ppm/℃附近,但超過(guò)固溶體范圍時(shí),Nd2Ti2O7相的出現(xiàn)會(huì)嚴(yán)重惡化綜合微波性能。在上述研究中,Na0.5Nd0.2Sm0.3Ti0.98Zr0.02O3具有優(yōu)異的微波介電性能:εr=107.0,Q×f=9600 GHz和τf=190.2 ppm/℃。（2）為了制備更高介電常數(shù)陶瓷,我們對(duì)CLNT（εr>130）鈣鈦礦陶瓷展開研究。我們先采用Al3+對(duì)Ca0.35Nd0.35Li0.25Ti1-x-x AlxO3（CLNTAx）進(jìn)行B位取代提升了Q值,在實(shí)驗(yàn)中將粉料直接干壓成型,簡(jiǎn)化了陶瓷需要等靜壓的制備工藝。CLNTAx的結(jié)構(gòu)模型被確立為正交鈣鈦礦結(jié)構(gòu)（Pnma空間群）。CLNTAx陶瓷的介電本征損耗因原子堆積密度的改善而被降低。但Al含量的增加會(huì)導(dǎo)致B位陽(yáng)離子鍵價(jià)下降,晶體的αobs與αtheo均降低且Δα=αobs-αtheo逐步增大;較小的B位鍵價(jià)表明氧和B位離子之間的鍵強(qiáng)較弱,從而導(dǎo)致B位的聲子散射效應(yīng)增強(qiáng),所以εr和τf均被惡化。特別地,Ca0.35Nd0.35Li0.25Ti0.97Al0.03O3（CLNTA3）陶瓷具有良好的綜合性能:εr=128.0,Q×f=4329 GHz,τf=74.8 ppm/℃。為了有效調(diào)控CLNT陶瓷的τf值,我們分別通過(guò)(Zn1/3Ta2/3)4+和(Mg1/3Ta2/3)4+復(fù)合離子對(duì)CLNT陶瓷進(jìn)行B位取代研究。Raman光譜分析表明Ag模式對(duì)短程有序（SRO）效應(yīng)非常敏感,因?yàn)閆n2+與Ta5+的不同電荷和離子半徑為形成SRO結(jié)構(gòu)提供了驅(qū)動(dòng)力,所以Ag模式的強(qiáng)度逐漸增大,SRO效應(yīng)變強(qiáng)。[TiO6]八面體的傾斜度增大和第二相的出現(xiàn)極大地影響著τf的變化,τf可被有效地從67.9 ppm/℃調(diào)控至10.3 ppm/℃。在對(duì)CLNT（MT）x的研究中,其主要結(jié)論與(Zn1/3Ta2/3)4+相似。與其不同的是,（1 2 1）衍射峰的衛(wèi)星峰（2 0 0）和（0 0 2）的峰強(qiáng)逐漸增強(qiáng)說(shuō)明(Mg1/3Ta2/3)4+組分有助于{1 0 0}或{0 0 1}晶面族的生長(zhǎng)。當(dāng)x=0.08時(shí),具有較低溫度系數(shù)的CLNT（MT）0.08陶瓷的微波介電性能為εr=121.5,Q×f=3865 GHz,τf=+22.1 ppm/℃。為了制備一種高介電常數(shù)低溫共燒陶瓷（LTCC）材料,我們研究了BaCu（B2O5）降燒助劑對(duì)CLNTA3的低溫共燒機(jī)理。CLNTA3+5 wt.%BCB2陶瓷在950℃具有優(yōu)異的微波介電性能:εr=110.0,Q×f=2979GHz和τf=41.2 ppm/℃,而且該瓷料滿足LTCC的技術(shù)要求。（3）為了獲得超高Q值陶瓷,我們以Li2Mg3BO6（B=Ti,Sn）陶瓷為基礎(chǔ)系統(tǒng)地展開致密燒結(jié)、物相衍變、晶體結(jié)構(gòu)和介電性能的調(diào)控機(jī)理研究。我們開發(fā)了保護(hù)氣氛的控制燒結(jié)法,有效地抑制了由鋰元素的揮發(fā)形成的氣孔或由相變導(dǎo)致材料有大量的微裂紋或斷裂紋,實(shí)現(xiàn)了Li2Mg3SnO6陶瓷在富鋰保護(hù)氣氛下的致密燒結(jié)。在物相衍變研究中,我們發(fā)現(xiàn)Li2SnO3將與MgO發(fā)生固溶反應(yīng)生并成立方巖鹽結(jié)構(gòu)的Li2Mg3SnO6相,但在高溫空氣中,Li2Mg3SnO6會(huì)分解為Mg2SnO4,MgO和Li2O;而且分解產(chǎn)物MgO將繼續(xù)與Li2Mg3SnO6相反應(yīng)生成類Li2Mg3SnO6面心立方相?；谇捌诘奈锵嘌茏兎治?我們推導(dǎo)出Li2SnO3-MgO系列化固溶體的化學(xué)通式為L(zhǎng)i2/3（1-x）Sn1/3（1-x）MgxO和Li2MgySnO3+y（x=04/7,y=04,x=y/（3+y））。我們將保護(hù)氣氛控制燒結(jié)法推廣至Li2/3（1-x）Sn1/3（1-x）MgxO（x=04/7）陶瓷,SEM表明所有樣品的晶粒完整飽滿,晶界清晰,樣品的微觀形貌平滑致密,保護(hù)氣氛控制燒結(jié)被證明適用于LSMxO系列化陶瓷的致密燒結(jié)。由TEM分析可知,Li2Mg3SnO6（x=1/2）具有特殊的短程有序超晶格結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)使其具有超低本征損耗（超Q值）。LSMxO系列化陶瓷的微波性能連續(xù)可調(diào),包括溫度穩(wěn)定型Li2SnO3/Li2Mg3SnO6復(fù)相陶瓷（x=1/7）的性能為εr=15.4,Q×f=80902 GHz和τf=+5.6 ppm/℃,極高Q×f值的Li2Mg3SnO6（x=1/2）單相陶瓷的性能為εr=12.7,Q×f=168330 GHz和τf=-27.4 ppm/℃。（4）對(duì)于Li2Mg3TiO6基陶瓷,我們先對(duì)Li2Mg3-x-x CaxTiO6（x=00.18,LMCxT）陶瓷進(jìn)行物相衍變和微波介電性能的調(diào)控機(jī)理研究。MgO將與Li2TiO3發(fā)生固溶反應(yīng),并生成具有巖鹽結(jié)構(gòu)的Li2Mg3TiO6相（Fm-3m空間群）。Ca原子因其半徑太大無(wú)法溶入Li2Mg3TiO6中而形成CaTiO3相,CaTiO3與Li2Mg3TiO6共存形成穩(wěn)定的復(fù)相陶瓷。因此,我們通過(guò)一次性合成工藝制備了溫度穩(wěn)定型復(fù)相陶瓷Li2Mg0.28Ca0.12TiO6（Li2Mg3TiO6/CaTiO3）,其性能為εr=17.8,Q×f=102246 GHz和τf=-0.7 ppm/℃。我們也發(fā)現(xiàn)在Li2Mg3-xTiO6中,Mg低于正?；瘜W(xué)計(jì)量比3時(shí),所有樣品仍為類Li2Mg3TiO6相,所以后續(xù)深入展開了Li2Mg3-x-x TiO6陶瓷的物相衍變研究。我們推導(dǎo)出Li2TiO3-MgO系列化陶瓷的化學(xué)通式為L(zhǎng)i2/3（1-x）Ti1/3（1-x）MgxO和Li2MgyTiO3+y（x=04/7,y=04,x=y/（3+y））,并繼續(xù)采用氣氛燒結(jié)法制備了高度致密的Li2/3（1-x）Ti1/3（1-x）MgxO（x=04/7,LTMxO）陶瓷,保護(hù)氣氛控制燒結(jié)法被再次證明適用于其它易揮發(fā)體系。在0≤x≤4/7范圍內(nèi),TEM分析證明Li2Mg3TiO6（x=1/2）具有短程有序超晶格結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)使Li2Mg3TiO6（x=1/2）陶瓷具有高Q值。特別地,固溶體Li2Mg0.5TiO3.5（x=1/7）的性能為εr=21.5,Q×f=82495 GHz和τf=-5.3 ppm/℃,Li2Mg3TiO6陶瓷擁有極高的品質(zhì)因數(shù)Q×f=148713 GHz。
二、高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷（論文開題報(bào)告）
（1）論文研究背景及目的
此處內(nèi)容要求：
首先簡(jiǎn)單簡(jiǎn)介論文所研究問(wèn)題的基本概念和背景，再而簡(jiǎn)單明了地指出論文所要研究解決的具體問(wèn)題，并提出你的論文準(zhǔn)備的觀點(diǎn)或解決方法。
寫法范例：
本文主要提出一款精簡(jiǎn)64位RISC處理器存儲(chǔ)管理單元結(jié)構(gòu)并詳細(xì)分析其設(shè)計(jì)過(guò)程。在該MMU結(jié)構(gòu)中,TLB采用叁個(gè)分離的TLB,TLB采用基于內(nèi)容查找的相聯(lián)存儲(chǔ)器并行查找,支持粗粒度為64KB和細(xì)粒度為4KB兩種頁(yè)面大小,采用多級(jí)分層頁(yè)表結(jié)構(gòu)映射地址空間,并詳細(xì)論述了四級(jí)頁(yè)表轉(zhuǎn)換過(guò)程,TLB結(jié)構(gòu)組織等。該MMU結(jié)構(gòu)將作為該處理器存儲(chǔ)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的一個(gè)重要組成部分。
（2）本文研究方法
調(diào)查法：該方法是有目的、有系統(tǒng)的搜集有關(guān)研究對(duì)象的具體信息。
觀察法：用自己的感官和輔助工具直接觀察研究對(duì)象從而得到有關(guān)信息。
實(shí)驗(yàn)法：通過(guò)主支變革、控制研究對(duì)象來(lái)發(fā)現(xiàn)與確認(rèn)事物間的因果關(guān)系。
文獻(xiàn)研究法：通過(guò)調(diào)查文獻(xiàn)來(lái)獲得資料，從而全面的、正確的了解掌握研究方法。
實(shí)證研究法：依據(jù)現(xiàn)有的科學(xué)理論和實(shí)踐的需要提出設(shè)計(jì)。
定性分析法：對(duì)研究對(duì)象進(jìn)行“質(zhì)”的方面的研究，這個(gè)方法需要計(jì)算的數(shù)據(jù)較少。
定量分析法：通過(guò)具體的數(shù)字，使人們對(duì)研究對(duì)象的認(rèn)識(shí)進(jìn)一步精確化。
跨學(xué)科研究法：運(yùn)用多學(xué)科的理論、方法和成果從整體上對(duì)某一課題進(jìn)行研究。
功能分析法：這是社會(huì)科學(xué)用來(lái)分析社會(huì)現(xiàn)象的一種方法，從某一功能出發(fā)研究多個(gè)方面的影響。
模擬法：通過(guò)創(chuàng)設(shè)一個(gè)與原型相似的模型來(lái)間接研究原型某種特性的一種形容方法。
三、高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷（論文提綱范文）
（1）離子取代對(duì)SrAl2Si2O8系微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷的分類 |
| 1.2.1 低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.2.2 中介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.2.3 高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.3 微波介質(zhì)陶瓷的性能參數(shù) |
| 1.3.1 介電常數(shù) |
| 1.3.2 品質(zhì)因數(shù) |
| 1.3.3 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 1.4 鍶長(zhǎng)石系微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.4.1 SrAl_2Si_2O_8陶瓷的晶體結(jié)構(gòu) |
| 1.4.2 SrAl_2Si_2O_8的研究現(xiàn)狀 |
| 1.5 研究目的和研究?jī)?nèi)容 |
| 1.5.1 研究目的 |
| 1.5.2 研究?jī)?nèi)容 |
| 2 材料的制備與性能表征 |
| 2.1 陶瓷試樣的制備方法 |
| 2.1.1 傳統(tǒng)固相法 |
| 2.1.2 熔鹽法 |
| 2.1.3 溶膠-凝膠法 |
| 2.1.4 水熱法 |
| 2.1.5 共沉淀法 |
| 2.2 陶瓷的成型方法 |
| 2.2.1 干壓成型 |
| 2.2.2 等靜壓成型 |
| 2.2.3 注漿成型 |
| 2.2.4 流延成型 |
| 2.3 SrAl_2Si_2O_8陶瓷的制備工藝流程 |
| 2.3.1 配料 |
| 2.3.2 一次球磨 |
| 2.3.3 預(yù)燒 |
| 2.3.4 二次球磨 |
| 2.3.5 造粒 |
| 2.3.6 壓片 |
| 2.3.7 排粘和燒結(jié) |
| 2.4 陶瓷的表征方法 |
| 2.4.1 密度 |
| 2.4.2 晶體結(jié)構(gòu) |
| 2.4.3 微觀形貌 |
| 2.4.4 微波介電性能測(cè)試 |
| 2.5 本章小結(jié) |
| 3 燒結(jié)溫度對(duì)SrAl_2Si_2O_8陶瓷結(jié)構(gòu)及微波介電性能的影響 |
| 3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) |
| 3.2 預(yù)燒溫度 |
| 3.3 燒結(jié)特性 |
| 3.4 XRD物相分析 |
| 3.5 顯微形貌分析 |
| 3.6 微波介電性能分析 |
| 3.7 本章小結(jié) |
| 4 Sr位離子取代對(duì)SrAl_2Si_2O_8陶瓷的結(jié)構(gòu)和微波介電性能研究 |
| 4.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) |
| 4.2 Mn~(2+)取代Sr~(2+)對(duì)SAS陶瓷結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響 |
| 4.2.1 Mn~(2+)取代燒結(jié)特性分析 |
| 4.2.2 Mn~(2+)取代XRD分析 |
| 4.2.3 Mn~(2+)取代顯微形貌分析 |
| 4.2.4 Mn~(2+)取代微波介電性能分析 |
| 4.3 Zn~(2+)取代Sr~(2+)對(duì)SAS陶瓷結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響 |
| 4.3.1 Zn~(2+)取代燒結(jié)特性分析 |
| 4.3.2 Zn~(2+)取代XRD分析 |
| 4.3.3 Zn~(2+)取代顯微形貌分析 |
| 4.3.4 Zn~(2+)取代微波介電性能分析 |
| 4.4 Ni~(2+)取代Sr~(2+)對(duì)SAS陶瓷結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響 |
| 4.4.1 Ni~(2+)取代燒結(jié)特性分析 |
| 4.4.2 Ni~(2+)取代XRD分析 |
| 4.4.3 Ni~(2+)取代顯微結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.4.4 Ni~(2+)取代微波介電性能分析 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 5 Al位離子取代對(duì)SrAl_2Si_2O_8陶瓷的結(jié)構(gòu)和微波介電性能研究 |
| 5.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì) |
| 5.2 Co~(3+)取代Al~(3+)對(duì)SAS陶瓷結(jié)構(gòu)和微波介電性能的研究 |
| 5.2.1 Co~(3+)取代燒結(jié)特性分析 |
| 5.2.2 Co~(3+)取代XRD分析 |
| 5.2.3 Co~(3+)取代顯微結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.2.4 Co~(3+)取代微波介電性能分析 |
| 5.3 Fe~(3+)取代Al~(3+)對(duì)SAS陶瓷結(jié)構(gòu)和微波介電性能的研究 |
| 5.3.1 Fe~(3+)取代燒結(jié)特性分析 |
| 5.3.2 Fe~(3+)取代XRD分析 |
| 5.3.3 Fe~(3+)取代顯微結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.3.4 Fe~(3+)取代微波介電性能分析 |
| 5.4 Cr~(3+)取代Al~(3+)對(duì)SAS陶瓷結(jié)構(gòu)和微波介電性能的研究 |
| 5.4.1 Cr~(3+)取代燒結(jié)特性分析 |
| 5.4.2 Cr~(3+)取代XRD分析 |
| 5.4.3 Cr~(3+)取代顯微結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.4.4 Cr~(3+)取代微波介電性能分析 |
| 5.5 本章小結(jié) |
| 結(jié)論 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 致謝 |
（2）低介電微波介質(zhì)陶瓷的制備及其性能優(yōu)化（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷的發(fā)展概況 |
| 1.3 微波介質(zhì)陶瓷的分類及研究現(xiàn)狀 |
| 1.3.1 低介電常數(shù)微波介質(zhì)材料 |
| 1.3.2 中介電常數(shù)微波介質(zhì)材料 |
| 1.3.3 高介電常數(shù)的微波介質(zhì)材料 |
| 1.4 微波介質(zhì)陶瓷的性能參數(shù) |
| 1.4.1 相對(duì)介電常數(shù) |
| 1.4.2 品質(zhì)因數(shù) |
| 1.4.3 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 1.5 低介微波介質(zhì)陶瓷存在的問(wèn)題及改性方案 |
| 1.6 立題依據(jù)及研究?jī)?nèi)容 |
| 第2章 材料的制備、表征及性能分析 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)原料及相關(guān)儀器 |
| 2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料 |
| 2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及測(cè)試儀器 |
| 2.2 制備工藝 |
| 2.2.1 粉體制備方法 |
| 2.2.2 陶瓷的成型技術(shù) |
| 2.2.3 陶瓷的燒結(jié)方法 |
| 2.3 材料結(jié)構(gòu)的表征和性能測(cè)試 |
| 2.3.1 微波介電性能測(cè)試 |
| 2.3.2 密度測(cè)試 |
| 2.3.3 XRD圖譜分析 |
| 2.3.4 SEM圖像及EDS分析 |
| 第3章 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)陶瓷的制備、表征及微波介電性能研究 |
| 3.1 研究背景及原因 |
| 3.2 樣品制備 |
| 3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論 |
| 3.3.1 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的物相分析 |
| 3.3.2 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的微觀形貌分析 |
| 3.3.3 Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的微波介電性能分析 |
| 3.3.4 反應(yīng)燒結(jié)制備的Sr_(1+x)Nd_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.04)陶瓷的結(jié)構(gòu)及微波介電性能分析 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第4章 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)陶瓷的制備、表征及微波介電性能研究 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 樣品制備 |
| 4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論 |
| 4.3.1 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.05)陶瓷的物相分析 |
| 4.3.2 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.05)陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.3.3 Sr_(1+x)Sm_2Al_2O_(7+x)(0≤x≤0.05)陶瓷的微波介電性能分析 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第5章 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、Li F)陶瓷的制備、表征及微波介電性能的研究 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 樣品制備 |
| 5.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論 |
| 5.3.1 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%m(m=ZnO、LiF的一種或幾種)陶瓷的物相及微觀形貌分析 |
| 5.3.2 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%m(m=ZnO、LiF的一種或幾種)陶瓷的微波介電性能分析 |
| 5.3.3 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、Li F)陶瓷的物相分析 |
| 5.3.4 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、LiF)陶瓷的微觀形貌分析 |
| 5.3.5 Sr_(1.03)Sm_2Al_2O_(7.03)+0.25 wt%ZL(ZL=ZnO、Li F)陶瓷的微波介電性能分析 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第6章 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的制備及其微波介電性能 |
| 6.1 研究背景 |
| 6.2 樣品制備 |
| 6.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及討論 |
| 6.3.1 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的物相分析 |
| 6.3.2 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的微觀形貌分析 |
| 6.3.3 M_3ZnTiGe_3O_(12)(M=Ca,Mg)陶瓷的微波介電性能分析 |
| 6.4 本章小結(jié) |
| 第7章 結(jié)論 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士期間發(fā)表的論文 |
| 致謝 |
（3）低損耗鈮酸鹽系微波介質(zhì)材料低溫?zé)Y(jié)與性能調(diào)控研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷材料分類及研究現(xiàn)狀 |
| 1.2.1 低介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.2.2 中介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.2.3 高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.3 微波介質(zhì)材料在電路中的應(yīng)用 |
| 1.4 LTCC技術(shù)及微波介質(zhì)陶瓷低溫共燒 |
| 1.5 選題意義和主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第二章 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷結(jié)構(gòu)與性能關(guān)系研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 CuO取代ZnZrNb_2O_8樣品制備及表征 |
| 2.3 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷微結(jié)構(gòu)分析 |
| 2.4 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷化學(xué)鍵理論計(jì)算 |
| 2.5 CuO取代ZnZrNb_2O_8性能研究 |
| 2.6 本章小結(jié) |
| 第三章 低溫?zé)Y(jié)ZnZrNb_2O_8陶瓷結(jié)構(gòu)及微波介電性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 LBBS摻雜ZnZrNb_2O_8陶瓷制備及表征 |
| 3.3 LBBS摻雜ZnZrNb_2O_8陶瓷微結(jié)構(gòu)研究 |
| 3.4 LBBS摻雜ZnZrNb_2O_8陶瓷微波介電性能研究 |
| 3.5 LBBS摻雜ZnZrNb_2O_8陶瓷與銀共燒研究 |
| 3.6 本章小結(jié) |
| 第四章 A/B位離子調(diào)控Li_3Mg_2NbO_6陶瓷結(jié)構(gòu)及介電性能研究 |
| 4.1 非計(jì)量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷結(jié)構(gòu)及介電性能研究 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 非計(jì)量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷制備與表征 |
| 4.1.3 非計(jì)量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷微結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.1.4 非計(jì)量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷微波介電性能分析 |
| 4.2 Cu~(2+)離子取代增強(qiáng)Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介電性能研究 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 Cu~(2+)離子取代增強(qiáng)Li_3Mg_2NbO_6陶瓷制備及表征 |
| 4.2.3 Cu~(2+)離子取代增強(qiáng)Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.2.4 Cu~(2+)離子取代增強(qiáng)Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介電性能分析 |
| 4.3 Ta~(5+)離子取代增強(qiáng)Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介電性能研究 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷制備及表征 |
| 4.3.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷微結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.3.4 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷微波介電性能分析 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 低溫?zé)Y(jié)Li_3Mg_2NbO_6陶瓷結(jié)構(gòu)與微波介電性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 樣品制備及表征 |
| 5.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷低溫?zé)Y(jié) |
| 5.3.1 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.3.2 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷微波介電性能分析 |
| 5.3.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷與銀共燒研究 |
| 5.4 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷低溫?zé)Y(jié)研究 |
| 5.4.1 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.4.2 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷微波介電性能分析 |
| 5.5 本章小結(jié) |
| 第六章 基于Li_3Mg_2Nb O_6材料的5G通信用帶通濾波器研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 LTCC工藝研究 |
| 6.3 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用帶通濾波器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) |
| 6.3.1 交指型濾波器基礎(chǔ)理論 |
| 6.3.2 帶通濾波器指標(biāo) |
| 6.3.3 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用帶通濾波器設(shè)計(jì) |
| 6.3.4 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用帶通濾波器制作及測(cè)試 |
| 6.4 本章小結(jié) |
| 第七章 全文總結(jié)與展望 |
| 7.1 主要結(jié)論及創(chuàng)新點(diǎn) |
| 7.2 有待深入研究的問(wèn)題 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀博士學(xué)位期間取得的成果 |
（4）Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介質(zhì)陶瓷制備與改性機(jī)理研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷的研究歷史與應(yīng)用前景 |
| 1.2.1 研究歷史 |
| 1.2.2 應(yīng)用前景 |
| 1.3 微波介電性能參數(shù) |
| 1.3.1 相對(duì)介電常數(shù) |
| 1.3.2 品質(zhì)因數(shù) |
| 1.3.3 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 1.4 微波介質(zhì)陶瓷主要體系 |
| 1.4.1 低介微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.4.2 中高介微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.4.3 高介微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.5 低溫和超低溫共燒陶瓷 |
| 1.6 選題意義和主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第二章 陶瓷樣品的制備和分析測(cè)試方法 |
| 2.1 陶瓷樣品的制備 |
| 2.2 陶瓷樣品的性能測(cè)試 |
| 2.3 陶瓷樣品的宏觀與微觀特性表征 |
| 第三章 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)高介微波陶瓷的改性機(jī)理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微量離子取代對(duì)Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的微波介電性能影響 |
| 3.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷設(shè)計(jì)與樣品制備 |
| 3.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷樣品的微結(jié)構(gòu)與微觀形貌 |
| 3.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)M_(0.5)O_(54)陶瓷樣品的微波介電性能分析 |
| 3.3 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)對(duì)Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18)O_(54)陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 3.3.1 Ba3_(.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷樣品的制備 |
| 3.3.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的結(jié)構(gòu)與微觀形貌分析 |
| 3.3.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(18-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_(54)陶瓷的微波介電性能 |
| 3.4 Sm~(3+)對(duì)Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷的A位取代機(jī)制研究 |
| 3.4.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷樣品的制備 |
| 3.4.2 Ba_(3.75)Nd_(9.s-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷樣品的結(jié)構(gòu)和微觀形貌 |
| 3.4.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5-x)SmxTi_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)陶瓷樣品的微波介電性能 |
| 3.5 本章小結(jié) |
| 第四章 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3高介微波陶瓷的改性機(jī)理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振動(dòng)光譜分析及其P-V-L理論 |
| 4.2.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的拉曼振動(dòng)光譜分析 |
| 4.2.2 基于Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的復(fù)雜化學(xué)鍵理論 |
| 4.3 微量添加劑對(duì)Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的微波介電性能影響 |
| 4.3.1 摻雜的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的制備 |
| 4.3.2 摻雜的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的相成分與微觀形貌分析 |
| 4.3.3 摻雜的Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3陶瓷的致密度與微波介電性能分析 |
| 4.4 Cr~(3+)對(duì)Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 4.4.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷樣品的制備 |
| 4.4.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷樣品的結(jié)構(gòu)和微觀形貌分析 |
| 4.4.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Cr_xO_3陶瓷樣品的微波介電性能分析 |
| 4.5 (Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))~(4+)對(duì)Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 4.5.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)(Ta/Nb)_(0.5))_xO_3陶瓷樣品的制備 |
| 4.5.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Ta_(0.5))_xO_3陶瓷樣品結(jié)構(gòu)和微波介電性能分析 |
| 4.5.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷樣品結(jié)構(gòu)和微波介電性能分析 |
| 4.6 Al~(3+)對(duì)Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 4.6.1 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO3陶瓷樣品的制備 |
| 4.6.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷樣品的結(jié)構(gòu)和微觀形貌分析 |
| 4.6.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)Al_xO_3陶瓷樣品的微波介電性能分析 |
| 4.7 (Al_(0.5)Nb_(0.5))~(4+)對(duì)Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 4.7.1 Ca_(0.6)1Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al0.5Nb0.5)_xO_3陶瓷樣品的制備 |
| 4.7.2 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷樣品的結(jié)構(gòu)和微觀形貌分析 |
| 4.7.3 Ca_(0.61)Nd_(0.26)Ti_(1-x)(Al_(0.5)Nb_(0.5))_xO_3陶瓷樣品的微波介電性能分析 |
| 4.8 Ca_(0.61)Nd_(0.26)TiO_3基陶瓷的A、B位離子協(xié)同取代機(jī)制研究 |
| 4.8.1 CLNTAN陶瓷樣品的制備 |
| 4.8.2 CLNTAN陶瓷樣品的結(jié)構(gòu)和微觀形貌分析 |
| 4.8.3 CLNTAN陶瓷樣品的微波介電性能分析 |
| 4.9 本章小結(jié) |
| 第五章 高介L(zhǎng)TCC陶瓷材料的制備和低溫?zé)Y(jié)及介電性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基LTCC材料的研究與制備 |
| 5.2.1 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低溫?zé)Y(jié)陶瓷的制備 |
| 5.2.2 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基陶瓷的低溫?zé)Y(jié)特性研究 |
| 5.2.3 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低溫?zé)Y(jié)陶瓷的微結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.2.4 Ba_(3.75)Nd_(9.5)Ti_(17.5)(Cr_(0.5)Nb_(0.5))_(0.5)O_(54)基低溫?zé)Y(jié)陶瓷介電性能 |
| 5.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基LTCC材料的研究和制備 |
| 5.3.1 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低溫?zé)Y(jié)陶瓷的制備 |
| 5.3.2 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基陶瓷的低溫?zé)Y(jié)特性研究 |
| 5.3.3 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低溫?zé)Y(jié)陶瓷的微結(jié)構(gòu) |
| 5.3.4 Ca_(0.244)Li_(0.3)Nd_(0.404)Ti_(0.96)Al_(0.02)Nb_(0.02)O_3基低溫?zé)Y(jié)陶瓷介電性能 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 論文總結(jié)和展望 |
| 6.1 論文主要結(jié)論 |
| 6.2 論文創(chuàng)新點(diǎn) |
| 6.3 后續(xù)研究工作展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀博士學(xué)位期間取得的成果 |
（5）鎢青銅結(jié)構(gòu)高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的性能調(diào)控（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷的介電性能及影響因素 |
| 1.3 微波介質(zhì)陶瓷材料的分類及研究進(jìn)展 |
| 1.4 鎢青銅結(jié)構(gòu)Ba_(6-3x)M_(8+2x)Ti_(18)O_(54)系微波介質(zhì)陶瓷研究進(jìn)展 |
| 1.5 課題的提出與研究?jī)?nèi)容 |
| 2 制備工藝及測(cè)試方法 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)原料及實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
| 2.2 樣品制備流程 |
| 2.3 測(cè)試與表征 |
| 2.4 本章小結(jié) |
| 3 Ba_4M_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷的晶體結(jié)構(gòu)、振動(dòng)光譜及介電性能研究 |
| 3.1 Ba_4M_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷研究背景 |
| 3.2 樣品的制備與測(cè)試 |
| 3.3 燒結(jié)特性分析 |
| 3.4 晶相與微觀形貌分析 |
| 3.5 振動(dòng)光譜及微波介電性能分析 |
| 3.6 本章小結(jié) |
| 4 A位置換改性Ba_4Sm_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 4.1 Ba_4Sm_(28/3)Ti_(18)O_(54)基陶瓷研究背景 |
| 4.2 樣品的制備與測(cè)試 |
| 4.3 晶相與微觀形貌分析 |
| 4.4 振動(dòng)光譜及微波介電性能分析 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 5 A/B位協(xié)同置換改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 5.1 Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)基陶瓷研究背景 |
| 5.2 A位Sm~(3+)置換改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.3 A/B位Sm~(3+)/Al~(3+)協(xié)同置換改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.4 A/B位Sm~(3+)/Ga~(3+)協(xié)同置換改性Ba_4Pr_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 5.5 本章小結(jié) |
| 6 B位置換改性Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介質(zhì)陶瓷 |
| 6.1 Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)基陶瓷研究背景 |
| 6.2 不同類型離子置換對(duì)Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷介電性能的影響 |
| 6.3 受主Ga~(3+)置換改性Ba_4Nd_(28/3)Ti_(18)O_(54)陶瓷 |
| 6.4 本章小結(jié) |
| 7 總結(jié)與展望 |
| 7.1 總結(jié) |
| 7.2 展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 附錄1 攻讀博士學(xué)位期間的主要研究成果 |
（6）堇青石基微波介質(zhì)陶瓷的制備及性能研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 國(guó)內(nèi)外微波介質(zhì)陶瓷的發(fā)展歷程 |
| 1.3 微波介質(zhì)陶瓷的分類 |
| 1.4 低介電微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.4.1 低介電常數(shù)硅酸鹽微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.4.2 其他低介電微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.5 微波介質(zhì)陶瓷的性能及參數(shù) |
| 1.5.1 介電常數(shù) |
| 1.5.2 品質(zhì)因數(shù) |
| 1.5.3 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 1.6 堇青石微波介質(zhì)陶瓷 |
| 1.7 選題的意義和主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第二章 實(shí)驗(yàn)過(guò)程和性能測(cè)試 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)思路 |
| 2.2 實(shí)驗(yàn)原料與儀器 |
| 2.3 實(shí)驗(yàn)工藝工程 |
| 2.4 微波性能測(cè)試 |
| 2.5 結(jié)構(gòu)與非電學(xué)性能測(cè)試 |
| 2.5.1 密度測(cè)試 |
| 2.5.2 XRD物相分析 |
| 2.5.3 微觀形貌分析 |
| 第三章 堇青石陶瓷工藝研究 |
| 3.1 預(yù)燒溫度和燒結(jié)溫度對(duì)堇青石陶瓷的影響 |
| 3.1.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 3.1.2 預(yù)燒溫度和燒結(jié)溫度對(duì)陶瓷結(jié)構(gòu)的影響 |
| 3.1.3 預(yù)燒溫度和燒結(jié)溫度對(duì)陶瓷微波介電性能的影響 |
| 3.2 其他工藝對(duì)陶瓷性能與結(jié)構(gòu)的影響 |
| 3.2.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 3.2.2 其他工藝對(duì)陶瓷性能的影響 |
| 3.3 本章小節(jié) |
| 第四章 MgO含量對(duì)Mg_2Al_4Si_5O_(18)陶瓷性能的影響 |
| 4.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 4.2 Mg~(2+x)Al_4Si_5O_(18+x)陶瓷的結(jié)構(gòu) |
| 4.3 Mg~(2+x)Al_4Si_5O_(18+x)陶瓷的微波介電性能 |
| 4.4 本章小節(jié) |
| 第五章 氧化物對(duì)Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)陶瓷微波介電性能的影響 |
| 5.1 Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)+x wt.%TiO_2 陶瓷微波介電性能研究 |
| 5.1.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 5.1.2 Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)+x wt.%TiO_2 陶瓷的結(jié)構(gòu) |
| 5.1.3 Mg_(2.2)Al_4Si_5O_(18.2)+x wt.%TiO_2 陶瓷的微波性能 |
| 5.1.4 本章小節(jié) |
| 5.2 其它金屬氧化摻雜對(duì)Mg_2Al_4Si_5O_(18) 陶瓷介電常數(shù)的影響 |
| 5.2.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 5.2.2 Mg_2Al_4Si_5O_(18)-RO2 陶瓷的結(jié)構(gòu) |
| 5.2.3 Mg_2Al_4Si_5O_(18)-RO2 陶瓷的微波介電性能 |
| 5.3 本章小節(jié) |
| 第六章 結(jié)論與展望 |
| 6.1 全文總結(jié) |
| 6.2 后續(xù)工作與展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士期間取得的成果 |
（7）高介電常數(shù)NPO電容器介質(zhì)材料的制備及性能研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 電介質(zhì)材料的介電性能 |
| 1.2.1 介電常數(shù) |
| 1.2.2 介電損耗 |
| 1.2.3 介電常數(shù)溫度系數(shù) |
| 1.2.4 介電混合法則 |
| 1.3 NPO陶瓷電容器及NPO陶瓷介質(zhì)材料 |
| 1.3.1 陶瓷電容器 |
| 1.3.2 MLCC陶瓷電容器 |
| 1.3.3 NPO陶瓷電容器 |
| 1.3.4 高介電常數(shù)NPO陶瓷制備方法 |
| 1.3.5 高介電常數(shù)NPO陶瓷的研究現(xiàn)狀 |
| 1.4 選題依據(jù)與研究?jī)?nèi)容 |
| 2 材料制備及分析測(cè)試方法 |
| 2.1 材料制備 |
| 2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料與設(shè)備 |
| 2.1.2 材料制備工藝流程 |
| 2.2 性能表征 |
| 2.2.1 X射線衍射分析(XRD) |
| 2.2.2 掃描電鏡分析(SEM) |
| 2.2.3 介電性能測(cè)試 |
| 3 Li_(0.5)Ln_(0.5)TiO_3基陶瓷的結(jié)構(gòu)及介電性能 |
| 3.1 樣品的制備 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 |
| 3.3 本章小結(jié) |
| 4 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)(Ca_(0.8)Sr_(0.2))TiO_3陶瓷的結(jié)構(gòu)及介電性能 |
| 4.1 樣品的制備 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 |
| 4.2.1 物相分析 |
| 4.2.2 介電性能分析 |
| 4.3 本章小結(jié) |
| 5 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)(Na_(0.5)La_(0.5))TiO_3陶瓷的結(jié)構(gòu)及介電性能 |
| 5.1 樣品的制備 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 |
| 5.2.1 物相分析 |
| 5.2.2 微觀形貌分析 |
| 5.2.3 介電性能分析 |
| 5.3 本章小結(jié) |
| 6 x(Bi_(0.9)La_(0.1))_2Ti_2O_7-(1-x)Ca_(0.6)La_(0.8/3)TiO_3陶瓷的結(jié)構(gòu)及介電性能 |
| 6.1 樣品的制備 |
| 6.2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論 |
| 6.2.1 物相分析 |
| 6.2.2 微觀形貌分析 |
| 6.2.3 介電性能分析 |
| 6.3 本章小結(jié) |
| 結(jié)論 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士學(xué)位期間取得的學(xué)術(shù)成果 |
| 致謝 |
（8）Li-Mg-Nb系微波介質(zhì)陶瓷改性研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷材料發(fā)展歷史、研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì) |
| 1.2.1 微波介質(zhì)陶瓷材料發(fā)展歷史 |
| 1.2.2 微波介質(zhì)陶瓷國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀 |
| 1.2.3 微波介質(zhì)陶瓷的研究發(fā)展趨勢(shì) |
| 1.3 微波介質(zhì)陶瓷材料主要體系 |
| 1.4 微波介質(zhì)陶瓷材料的主要性能參數(shù) |
| 1.4.1 介電常數(shù) |
| 1.4.2 品質(zhì)因數(shù) |
| 1.4.3 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 1.5 Li_3Mg_2NbO_6系陶瓷研究現(xiàn)狀 |
| 1.6 選題意義和主要研究?jī)?nèi)容 |
| 1.6.1 選題意義 |
| 1.6.2 主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第二章 微波介質(zhì)陶瓷制備與表征 |
| 2.1 微波介質(zhì)陶瓷的制備 |
| 2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料 |
| 2.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 2.1.3 工藝流程 |
| 2.2 微波介質(zhì)陶瓷材料的燒結(jié)特性與微觀結(jié)構(gòu)表征 |
| 2.2.1 樣品的致密度 |
| 2.2.2 樣品的XRD測(cè)試 |
| 2.2.3 樣品的SEM和EDS測(cè)試 |
| 2.3 微波介質(zhì)陶瓷材料的介電性能測(cè)試 |
| 第三章 Li_3Mg_2NbO_6系微波介質(zhì)陶瓷的低溫?zé)Y(jié)研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 3.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)wt.%LBSCA陶瓷微觀結(jié)構(gòu)表征與分析 |
| 3.3.1 燒結(jié)特性 |
| 3.3.2 物相分析 |
| 3.3.3 晶體結(jié)構(gòu) |
| 3.3.4 微觀形貌 |
| 3.4 Li_3Mg_2NbO_(6-x)wt.%LBSCA陶瓷介電性能表征與分析 |
| 3.4.1 介電常數(shù) |
| 3.4.2 介質(zhì)損耗 |
| 3.4.3 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 3.5 本章小結(jié) |
| 第四章 Li_3Mg_2NbO_6系復(fù)合微波介質(zhì)陶瓷的制備與性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 陶瓷微觀結(jié)構(gòu)與介電性能表征與分析 |
| 4.2.1 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 陶瓷的制備 |
| 4.2.2 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 物相分析 |
| 4.2.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 微觀形貌分析 |
| 4.2.4 Li_3Mg_2NbO_(6-x)Ba_3(VO_4)_2 微波介電性能分析 |
| 4.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3陶瓷微觀結(jié)構(gòu)與介電性能表征與分析 |
| 4.3.1 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3陶瓷的制備 |
| 4.3.2 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3物相分析 |
| 4.3.3 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3微觀形貌分析 |
| 4.3.4 Li_3Mg_2NbO_(6-x)CaTiO_3微波介電性能分析 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 Li_3Mg_2NbO_6-0.1CaTiO_3微波介質(zhì)陶瓷低溫?zé)Y(jié)研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程 |
| 5.3 Li_3Mg_2NbO_6-0.1CaTiO_(3-x) wt.%LMB陶瓷微觀結(jié)構(gòu)與介電性能分析 |
| 5.3.1 物相分析 |
| 5.3.2 陶瓷SEM和EDS研究 |
| 5.3.3 微波介電性能分析 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 結(jié)論 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果 |
（9）Ti基中高介電常數(shù)陶瓷的制備與性能研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 研究背景及選題意義 |
| 1.2 射頻域超高介電常數(shù)電介質(zhì)材料研究現(xiàn)狀 |
| 1.2.1 鈦酸鋇陶瓷 |
| 1.2.2 鈮鎂酸鉛陶瓷 |
| 1.2.3 鈦酸銅鈣陶瓷 |
| 1.3 超低損耗電介質(zhì)陶瓷研究現(xiàn)狀 |
| 1.3.1 低介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷 |
| 1.3.2 中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷 |
| 1.3.3 高介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷 |
| 1.3.4 鈮酸鹽中介電常數(shù)微波電介質(zhì)陶瓷 |
| 1.4 本論文的主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第二章 離子摻雜對(duì)CaCu_3Ti_4O_(12) 介電性能的影響 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 不同位置La~(3+)摻雜對(duì)CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料介電性能的影響 |
| 2.2.1 La~(3+)摻雜CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的制備與表征 |
| 2.2.2 La~(3+)摻雜CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 2.3 Sr~(2+)摻雜對(duì)CaCu_3Ti_4O_(12) 晶粒半導(dǎo)體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響 |
| 2.3.1 Sr~(2+)摻雜CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的制備與表征 |
| 2.3.2 Sr~(2+)摻雜CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 2.4 本章小結(jié) |
| 第三章 氧缺陷對(duì)CaCu_3Ti_4O_(12) 晶粒半導(dǎo)體性能及微觀結(jié)構(gòu)的影響 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 F~-離子取代CaCu_3Ti_4O_(12) 陶瓷材料的制備與表征 |
| 3.3 測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 離子摻雜改善NiTiNb_2O_8 性能及低溫?zé)Y(jié)的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Zn~(2+)取代Ni~(2+)對(duì)NiTiNb_2O_8 陶瓷性能的影響及低溫?zé)Y(jié)研究 |
| 4.2.1 Ni_(1-x)Zn_xTiNb_2O_8 陶瓷的制備與表征 |
| 4.2.2 測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 4.3 Zr~(4+)摻雜取代Ti~(4+)對(duì)Ni_(0.4)Zn_(0.6)TiNb_2O_8 陶瓷介電性能的影響 |
| 4.3.1 Ni_(0.4)Zn_(0.6)Ti_((1-x))Zr_xNb_2O_8 陶瓷材料的制備與表征 |
| 4.3.2 測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 NbO_6 八面體的改性對(duì)NiTiNb_2O_8 陶瓷介電性能的影響 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Ta~(5+)摻雜對(duì)NiTiNb_2O_8 陶瓷材料的制備與表征 |
| 5.3 測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 添加BiVO_4對(duì)NiTiNb_2O_8 陶瓷低溫?zé)Y(jié)的研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 NiTiNb_2O_8+xwt%BiVO_4 陶瓷材料的制備與表征 |
| 6.3 測(cè)試結(jié)果與分析 |
| 6.4 本章小結(jié) |
| 第七章 全文總結(jié)及展望 |
| 7.1 全文總結(jié)及創(chuàng)新點(diǎn) |
| 7.2 后續(xù)工作展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀博士學(xué)位期間的成果 |
（10）高介Ti基與低介L(zhǎng)i基微波陶瓷的制備及性能機(jī)理研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 微波介質(zhì)陶瓷的全球研發(fā)歷史和前景 |
| 1.2.1 發(fā)展史 |
| 1.2.2 國(guó)內(nèi)外研究狀況和行業(yè)前景 |
| 1.3 電介質(zhì)極化理論與介電性能 |
| 1.3.1 電介質(zhì)極化理論 |
| 1.3.2 相對(duì)介電常數(shù) |
| 1.3.3 品質(zhì)因數(shù) |
| 1.3.3.1 本征介質(zhì)損耗 |
| 1.3.3.2 非本征損耗 |
| 1.3.4 諧振頻率溫度系數(shù) |
| 1.3.4.1 介電常數(shù)的影響 |
| 1.3.4.2 結(jié)構(gòu)容忍因子和氧八面體畸變 |
| 1.3.4.3 陽(yáng)離子鍵價(jià)理論 |
| 1.4 微波介質(zhì)陶瓷的分類與研究路線圖 |
| 1.4.1 微波介質(zhì)陶瓷的分類 |
| 1.4.2 微波介質(zhì)陶瓷的研究路線圖 |
| 1.5 選題意義和主要研究?jī)?nèi)容 |
| 第二章 微波介質(zhì)陶瓷的制備和表征方法 |
| 2.1 陶瓷樣品的制備 |
| 2.1.1 實(shí)驗(yàn)所需原料 |
| 2.1.2 實(shí)驗(yàn)所需設(shè)備 |
| 2.1.3 實(shí)驗(yàn)樣品制備工藝過(guò)程 |
| 2.2 微波介電性能測(cè)試與微結(jié)構(gòu)表征 |
| 2.2.1 介電性能測(cè)試 |
| 2.2.2 表觀密度、相對(duì)密度和氣孔率 |
| 2.2.3 粉末X射線衍射和Rietveld晶體結(jié)構(gòu)精修法 |
| 2.2.4 掃描電子顯微鏡微觀形貌分析 |
| 2.2.5 Raman散射光譜-晶格振動(dòng)分析 |
| 第三章 Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3基高介低損陶瓷的改性機(jī)理研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 微量摻雜劑對(duì)Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能研究 |
| 3.2.1 一次性合成高Q值 Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_~(3+)Cr_2O_3陶瓷的介電性能研究 |
| 3.2.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 3.2.1.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 3.2.1.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 3.2.2 CeO_2對(duì)Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷微觀結(jié)構(gòu)和微波介電性能的影響 |
| 3.2.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 3.2.2.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 3.2.2.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 3.3 Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3系陶瓷的A/B位取代研究 |
| 3.3.1 基于Nd~(3+)離子對(duì)Na_(1/2)Sm_(1/2)TiO_3陶瓷的A位取代機(jī)理研究 |
| 3.3.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 3.3.1.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 3.3.1.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 3.3.2 基于Sn~(4+)離子對(duì)Na_(0.5)Nd_(0.2)Sm_(0.3)TiO_3陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 3.3.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 3.3.2.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變 |
| 3.3.2.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 3.3.3 基于Zr~(4+)對(duì)Na_(0.5)Nd_(0.2)Sm_(0.3)TiO_3陶瓷的B位取代機(jī)制研究 |
| 3.3.3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 3.3.3.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 3.3.3.3 NNSTZx陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3基高介陶瓷的改性機(jī)理研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3基陶瓷的B位離子取代機(jī)理研究 |
| 4.2.1 基于Al~(3+)離子對(duì)Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3 陶瓷B位取代機(jī)理研究 |
| 4.2.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 4.2.1.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 4.2.1.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 4.2.2 基于Zn_(1/3)Ta_(2/3) 離子對(duì)Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3陶瓷B位取代機(jī)理研究 |
| 4.2.2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 4.2.2.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.2.2.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 4.2.3 基于Mg_(1/3)Ta_(2/3) 離子對(duì)Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3陶瓷B位取代研究 |
| 4.2.3.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 4.2.3.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.2.3.3 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 4.3 Ca_(0.35)Nd_(0.35)Li_(0.25)TiO_3體系陶瓷的低溫?zé)Y(jié)機(jī)理研究 |
| 4.3.1 基于BaCu(B_2O_5)對(duì)CLNTA3 陶瓷的低溫?zé)Y(jié)研究 |
| 4.3.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 4.3.1.2 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.3.1.3 陶瓷材料的致密度與微波性能分析 |
| 4.3.1.4 與銀電極低溫共燒兼容性研究 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 Li_2Mg_3BO_6(B=Ti,Sn)基超高Q值陶瓷的改性機(jī)理研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 Li_2Mg_3SnO_6基陶瓷的新型氣氛控制燒結(jié)與改性機(jī)理研究 |
| 5.2.1 Li_(2+x)Mg_3SnO_6陶瓷的氣氛控制致密燒結(jié)與微波介電性能研究 |
| 5.2.1.1 研究思路 |
| 5.2.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 5.2.1.3 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 5.2.1.4 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 5.2.2 Li_(2/3(1-x))Sn_(1/3(1-x))Mg_xO系列陶瓷材料的結(jié)構(gòu)衍變機(jī)理與性能研究 |
| 5.2.2.1 研究思路 |
| 5.2.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 5.2.2.3 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 5.2.2.4 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 5.3 Li_2Mg_3TiO_6基陶瓷的物相衍變、微結(jié)構(gòu)與改性機(jī)理研究 |
| 5.3.1 一次性合成Li_2Mg_3TiO_6-CaTiO_3 復(fù)相陶瓷的結(jié)構(gòu)與介電性能研究 |
| 5.3.1.1 研究思路 |
| 5.3.1.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 5.3.1.3 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 5.3.1.4 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 5.3.2 Li_(2/3(1-x))Ti_(1/3(1-x))Mg_xO系列化陶瓷的結(jié)構(gòu)衍變機(jī)理與介電性能研究 |
| 5.3.2.1 研究思路 |
| 5.3.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與測(cè)試 |
| 5.3.2.3 陶瓷材料的晶相與微觀結(jié)構(gòu)衍變分析 |
| 5.3.2.4 陶瓷材料的致密度與微波介電性能分析 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 論文總結(jié)、創(chuàng)新點(diǎn)和展望 |
| 6.1 本論文的主要結(jié)論 |
| 6.2 本論文的創(chuàng)新點(diǎn) |
| 6.3 展望 |
| 致謝 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀博士學(xué)位期間取得的研究成果 |
四、高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷（論文參考文獻(xiàn)）
- [1]離子取代對(duì)SrAl2Si2O8系微波介質(zhì)陶瓷的結(jié)構(gòu)和性能研究[D]. 朱惠. 西華大學(xué), 2021(02)
- [2]低介電微波介質(zhì)陶瓷的制備及其性能優(yōu)化[D]. 欒曉雯. 桂林理工大學(xué), 2021(01)
- [3]低損耗鈮酸鹽系微波介質(zhì)材料低溫?zé)Y(jié)與性能調(diào)控研究[D]. 王剛. 電子科技大學(xué), 2021(01)
- [4]Ba/Ca-Nd-Ti基高介微波介質(zhì)陶瓷制備與改性機(jī)理研究[D]. 熊喆. 電子科技大學(xué), 2020(03)
- [5]鎢青銅結(jié)構(gòu)高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的性能調(diào)控[D]. 王耿. 華中科技大學(xué), 2020
- [6]堇青石基微波介質(zhì)陶瓷的制備及性能研究[D]. 彭昶. 電子科技大學(xué), 2020(01)
- [7]高介電常數(shù)NPO電容器介質(zhì)材料的制備及性能研究[D]. 孫竹葉. 北京有色金屬研究總院, 2020(08)
- [8]Li-Mg-Nb系微波介質(zhì)陶瓷改性研究[D]. 王文文. 電子科技大學(xué), 2020(07)
- [9]Ti基中高介電常數(shù)陶瓷的制備與性能研究[D]. 黃鑫. 電子科技大學(xué), 2020(07)
- [10]高介Ti基與低介L(zhǎng)i基微波陶瓷的制備及性能機(jī)理研究[D]. 方梓烜. 電子科技大學(xué), 2019(04)
標(biāo)簽：陶瓷論文; 介電常數(shù)論文; 微波設(shè)備論文;