一、Chua回路的一些仿真結(jié)果(論文文獻(xiàn)綜述)
白家琛[1](2021)在《電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)安全性增強(qiáng)研究》文中研究表明激光混沌系統(tǒng)由于可以輸出動(dòng)力學(xué)行為復(fù)雜,不可預(yù)測,類噪聲的高維混沌信號(hào),是安全通信領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。激光混沌系統(tǒng)主要分為基于激光器內(nèi)部非線性效應(yīng)的全光混沌系統(tǒng)與基于外部非線性反饋環(huán)路的電光反饋激光混沌系統(tǒng)。電光反饋激光混沌系統(tǒng)由于魯棒性強(qiáng),輸出信號(hào)帶寬寬,有較大的實(shí)用性。但是,電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)存在安全問題,電光反饋激光混沌系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)方程為延時(shí)微分方程,系統(tǒng)會(huì)在反饋回路延時(shí)的位置處表現(xiàn)出相當(dāng)高的統(tǒng)計(jì)相關(guān)性,竊聽者通過統(tǒng)計(jì)分析即可輕易竊取系統(tǒng)的時(shí)延參量,而時(shí)延參量是電光反饋混沌系統(tǒng)最重要的密鑰,竊聽者獲取時(shí)延參量后便可以通過人工智能等手段破解整個(gè)系統(tǒng)。本論文針對(duì)電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)的安全性增強(qiáng)展開研究,從兩個(gè)角度仿真設(shè)計(jì)了兩個(gè)創(chuàng)新性的時(shí)延隱藏電光混沌系統(tǒng):(1)復(fù)反饋耦合型激光混沌系統(tǒng)。在經(jīng)典電光混沌系統(tǒng)中引入一路噪聲信號(hào),分析得出當(dāng)電光混沌系統(tǒng)引入噪聲信號(hào)時(shí)系統(tǒng)在反饋時(shí)延處的統(tǒng)計(jì)相關(guān)性會(huì)明顯下降。根據(jù)混沌信號(hào)的類噪聲特性,用可同步的混沌信號(hào)代替原本的噪聲信號(hào),創(chuàng)新性的提出復(fù)反饋理論,并在復(fù)反饋理論和互耦合電光混沌系統(tǒng)的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了復(fù)反饋耦合型激光混沌源。通過對(duì)分岔圖、排列熵等參量分析,得出由于引入了復(fù)反饋回路,系統(tǒng)的非線性動(dòng)力學(xué)行為變得更加復(fù)雜。以自相關(guān)函數(shù),延遲互信息作為指標(biāo)對(duì)系統(tǒng)的統(tǒng)計(jì)特性進(jìn)行分析,得出在較低反饋增益系數(shù)的條件下,系統(tǒng)的時(shí)延參量就無法通過統(tǒng)計(jì)特性分析進(jìn)行竊取,系統(tǒng)的安全性得到了保證。從同步質(zhì)量的角度評(píng)估混沌通信系統(tǒng)性能,分析得出系統(tǒng)同步質(zhì)量對(duì)于時(shí)延參量的失配十分敏感,對(duì)于反饋增益系數(shù)等其他參量失配較為魯棒,系統(tǒng)的時(shí)延參量適合作為密鑰參量。(2)并串轉(zhuǎn)換式電光混沌系統(tǒng)。電光混沌系統(tǒng)的復(fù)雜程度以及時(shí)間統(tǒng)計(jì)特性完全是由反饋回路中馬赫-曾德爾調(diào)制器的驅(qū)動(dòng)電壓決定的。從馬赫-曾德爾調(diào)制器的驅(qū)動(dòng)電壓入手,參考相關(guān)文獻(xiàn),針對(duì)相關(guān)類型系統(tǒng)隱藏時(shí)延參量所需反饋增益系數(shù)過高、系統(tǒng)時(shí)延參量會(huì)在多路傳輸信號(hào)的互相關(guān)函數(shù)中暴露等問題設(shè)計(jì)了并串轉(zhuǎn)換式電光混沌系統(tǒng)。該系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)行為特性與傳統(tǒng)電光混沌系統(tǒng)類似,通過仿真不同反饋增益系數(shù)條件下系統(tǒng)的時(shí)序波形圖直觀地展現(xiàn)出系統(tǒng)從穩(wěn)定狀態(tài)逐漸進(jìn)入混沌的過程。當(dāng)反饋增益系數(shù)較低時(shí)系統(tǒng)時(shí)序波形具有明顯的周期性,增加反饋增益系數(shù),系統(tǒng)的時(shí)序周期性會(huì)漸漸消失,最終進(jìn)入混沌狀態(tài)。以排列熵為指標(biāo)分析了系統(tǒng)的復(fù)雜程度,由于系統(tǒng)引入了并串轉(zhuǎn)換式結(jié)構(gòu),系統(tǒng)的復(fù)雜程度得到了很大的提升。通過分析自相關(guān)函數(shù),延遲互信息得出,在較低反饋增益系數(shù)條件下,系統(tǒng)的時(shí)延參量就無法通過統(tǒng)計(jì)分析手段獲取,系統(tǒng)的安全性得到了保證?;诓⒋D(zhuǎn)換式電光混沌系統(tǒng)設(shè)計(jì)了混沌同步通信系統(tǒng),分析了同步質(zhì)量對(duì)于收發(fā)端參量失配的敏感程度。因?yàn)橄到y(tǒng)對(duì)于時(shí)延參量失配十分敏感,所以時(shí)延參量適合作為系統(tǒng)的密鑰參量。由于引入了更多的可調(diào)諧時(shí)延參量,系統(tǒng)的密鑰空間得到了極大的拓寬。綜上所述,本論文針對(duì)傳統(tǒng)電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)存在的安全性問題設(shè)計(jì)了兩種時(shí)延隱藏電光混沌系統(tǒng),并對(duì)兩系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)行為特性,復(fù)雜性,安全性,同步性能進(jìn)行了深入的分析,相關(guān)成果也得到了同行評(píng)審的認(rèn)可。本論文是作者在電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)安全性增強(qiáng)方向上做的進(jìn)一步探索與創(chuàng)新,希望能夠?yàn)榧す饣煦缤ㄐ诺陌l(fā)展做出貢獻(xiàn)。
徐影,陳菊芳[2](2020)在《一組等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的設(shè)計(jì)》文中研究表明通過改變元件參數(shù),將不同結(jié)構(gòu)的RC正弦波振蕩電路等效為LC并聯(lián)諧振回路,用具有非線性特性的憶阻器代替蔡氏電路中的蔡氏二極管,設(shè)計(jì)4種等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路,并在理論上給出等價(jià)條件.仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析和數(shù)值計(jì)算結(jié)果一致,電路調(diào)節(jié)方便,魯棒性更好.
楊志昌[3](2020)在《基于連續(xù)型混沌脈寬調(diào)制的電力電子變換器電磁頻譜量化與性能分析方法研究》文中指出隨著電力電子裝置功率密度的不斷提高,電力電子變換器面臨的電磁干擾問題逐漸成為制約電力電子技術(shù)發(fā)展的瓶頸?;煦缑}寬調(diào)制能夠從電磁干擾源抑制電磁干擾,得到了廣泛關(guān)注和研究。但是電力電子變換器的混沌脈寬調(diào)制在推向?qū)嶋H工程應(yīng)用還存在諸多問題。一方面,混沌脈寬調(diào)制的電力電子變換器頻譜分析和混沌信號(hào)選擇方法上還存在不足,尚沒有一個(gè)能夠準(zhǔn)確衡量頻譜分布特性的標(biāo)準(zhǔn),不利于混沌調(diào)制信號(hào)的選擇;另一方面,對(duì)于混沌脈寬調(diào)制電力電子變換器的性能分析方法還存在空白,系統(tǒng)建模與穩(wěn)定性分析,損耗分析等關(guān)系到變換器安全穩(wěn)定運(yùn)行的問題還沒有得到分析與解決。針對(duì)上述問題,本文主要開展了如下工作:提出了混沌脈寬調(diào)制的電力電子變換器干擾源電壓的頻譜量化方法。首先分析了電力電子變換器的傳導(dǎo)電磁干擾產(chǎn)生機(jī)理和傳導(dǎo)路徑,并建立傳導(dǎo)電磁干擾的等效電路,確定干擾源電壓。介紹了混沌脈寬調(diào)制的一般實(shí)現(xiàn)方法和抑制電磁干擾機(jī)理。根據(jù)混沌脈寬調(diào)制的調(diào)制原理,基于傅里葉變換理論,提出了電磁干擾源電壓頻譜量化方法,并基于頻譜量化解析表達(dá)式,分析了混沌脈寬調(diào)制中影響頻譜分布的因素。最后,通過仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了頻譜量化方法的正確性?;诙鄿u卷混沌系統(tǒng),提出了多渦卷混沌脈寬調(diào)制抑制電磁干擾優(yōu)化方法。針對(duì)傳統(tǒng)混沌脈寬調(diào)制頻譜擴(kuò)展范圍過寬的問題,提出了基于多渦卷混沌系統(tǒng)的混沌脈寬調(diào)制抑制電磁干擾方法。首先,基于混沌理論實(shí)現(xiàn)了多渦卷混沌吸引子的生成,通過對(duì)混沌吸引子的采樣獲得混沌調(diào)制信號(hào),實(shí)現(xiàn)電力電子變換器的多渦卷混沌脈寬調(diào)制。基于頻譜量化解析表達(dá)式,定義了平均序列變化量參數(shù)用于揭示混沌信號(hào)特征對(duì)于頻譜分布的作用規(guī)律,在此基礎(chǔ)上,提出了多渦卷混沌脈寬調(diào)制的混沌調(diào)制信號(hào)選擇方法。最后,通過仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了所提出的多渦卷混沌脈寬調(diào)制抑制電磁干擾的優(yōu)化效果,并驗(yàn)證了混沌信號(hào)選擇方法的有效性?;谒岢龅亩鄿u卷混沌脈寬調(diào)制,不僅能夠更為有效地降低電磁干擾峰值,同時(shí)保證頻譜擴(kuò)展范圍在設(shè)定頻率偏移范圍內(nèi),實(shí)現(xiàn)了更為有效地抑制電磁干擾?;诿枋龊瘮?shù)法,提出了混沌脈寬調(diào)制建模與穩(wěn)定性分析方法。針對(duì)混沌脈寬調(diào)制的電力電子變換器系統(tǒng)建模與穩(wěn)定性分析困難的問題,提出了基于描述函數(shù)法的系統(tǒng)建模與穩(wěn)定性分析方法。首先,基于描述函數(shù)法建模原理,建立了考慮開關(guān)頻率混沌變化和開關(guān)過程非線性特征的描述函數(shù)模型。依據(jù)描述函數(shù)法的穩(wěn)定性判據(jù),判定了變換器由穩(wěn)定狀態(tài)通向不穩(wěn)定狀態(tài)的臨界穩(wěn)定狀態(tài)。同時(shí),分析了混沌脈寬調(diào)制和定頻脈寬調(diào)制的穩(wěn)定性范圍。進(jìn)一步地,從機(jī)理上揭示了開關(guān)頻率偏移量對(duì)于穩(wěn)定性范圍的作用效果。最后,利用仿真和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了描述函數(shù)系統(tǒng)建模與穩(wěn)定性分析方法的正確性。提出了混沌脈寬調(diào)制電力電子變換器的開關(guān)器件損耗計(jì)算方法。基于離散損耗計(jì)算模型,對(duì)混沌脈寬調(diào)制的開關(guān)器件損耗進(jìn)行理論計(jì)算。首先,基于損耗計(jì)算模型和混沌脈寬調(diào)制原理,提出適用于混沌脈寬調(diào)制的開關(guān)器件損耗計(jì)算模型;其次,根據(jù)損耗計(jì)算模型對(duì)比了不同開關(guān)頻率、不同變換器拓?fù)涞幕煦缑}寬調(diào)制和定頻脈寬調(diào)制損耗,揭示了混沌脈寬調(diào)制對(duì)于開關(guān)器件損耗的作用規(guī)律;最后通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了開關(guān)器件損耗計(jì)算方法的正確性。分析結(jié)果表明,混沌脈寬調(diào)制對(duì)于開關(guān)器件損耗的影響很小,在電力電子變換器中引入混沌脈寬調(diào)制,不需要額外考慮熱設(shè)計(jì)。綜上所述,本文致力于解決混沌脈寬調(diào)制在電力電子變換器應(yīng)用中的關(guān)鍵理論和技術(shù)問題,從混沌頻譜量化、混沌信號(hào)選擇和電磁干擾抑制效果優(yōu)化、系統(tǒng)建模與穩(wěn)定性分析、損耗計(jì)算方法等方面對(duì)電力電子變換器的設(shè)計(jì)與控制提供全面的理論指導(dǎo)和技術(shù)支撐。
鄧勇[4](2020)在《憶阻型混沌系統(tǒng)的建模、動(dòng)力學(xué)分析及其實(shí)現(xiàn)》文中指出2008年,美國HP實(shí)驗(yàn)室宣布首次物理制成了納米級(jí)的第四種基本電路元件——憶阻器。這一重大突破,隨即引發(fā)了國內(nèi)外關(guān)于憶阻器材料、模型以及應(yīng)用等方面井噴式的研究熱潮。由于憶阻器具有特殊記憶性,其在非易失性存儲(chǔ)器、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、非線性電路系統(tǒng)等領(lǐng)域均表現(xiàn)出了巨大應(yīng)用價(jià)值。在非線性系統(tǒng)領(lǐng)域,新構(gòu)建的憶阻型非線性電路系統(tǒng)能產(chǎn)生出保密通信、圖像加密時(shí)所需要的復(fù)雜度高、隨機(jī)性強(qiáng)的混沌信號(hào),且其效率、安全性以及保密性均比一般的混沌電路系統(tǒng)更高。因而,構(gòu)建出具有復(fù)雜動(dòng)力學(xué)行為的新憶阻混沌系統(tǒng),具有重要應(yīng)用價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。本文基于不同的憶阻器模型構(gòu)建出了兩個(gè)新的憶阻混沌系統(tǒng),并對(duì)新構(gòu)建的憶阻混沌系統(tǒng)進(jìn)行了深入的理論分析與研究?;谒鶚?gòu)建的系統(tǒng)設(shè)計(jì)了對(duì)應(yīng)的憶阻混沌電路,并采用硬件電路、DSP硬件平臺(tái)對(duì)系統(tǒng)可行性和物理可實(shí)現(xiàn)性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。具體內(nèi)容概括為如下兩個(gè)部分:(1)通過引入一個(gè)二次磁控憶阻器模型作為經(jīng)典Liu-Chen系統(tǒng)的反饋項(xiàng),構(gòu)建出了一個(gè)具有吸引子旋轉(zhuǎn)的四翼憶阻Liu-Chen混沌系統(tǒng)。隨后,對(duì)系統(tǒng)的相位圖、分岔圖、吸引盆、Lyapunov指數(shù)等進(jìn)行常規(guī)動(dòng)力學(xué)分析,發(fā)現(xiàn)這個(gè)具有線平衡點(diǎn)的憶阻混沌系統(tǒng)能夠隨著憶阻器初始值的改變產(chǎn)生出多種狀態(tài)下共存吸引子旋轉(zhuǎn)的新穎現(xiàn)象,以及其它共存吸引子的暫態(tài)轉(zhuǎn)移、持續(xù)混沌等復(fù)雜動(dòng)力學(xué)行為。接著,對(duì)所提出的憶阻混沌系統(tǒng)進(jìn)行了相應(yīng)電路的設(shè)計(jì)、仿真與硬件實(shí)驗(yàn),電路實(shí)驗(yàn)結(jié)果與數(shù)值理論仿真分析結(jié)果基本一致。并以該憶阻Liu-Chen混沌系統(tǒng)為研究對(duì)象,對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了分?jǐn)?shù)階化處理,根據(jù)有限時(shí)間穩(wěn)定性定理設(shè)計(jì)出了合理的分?jǐn)?shù)階控制器,實(shí)現(xiàn)了分?jǐn)?shù)階憶阻Liu-Chen混沌系統(tǒng)的有限時(shí)間同步。(2)通過把一個(gè)雙曲正切憶阻器引入到Holmes型Duffing方程中,得到了一個(gè)雙曲正切憶阻型Duffing系統(tǒng)。通過分析系統(tǒng)的相位圖、轉(zhuǎn)換相圖、分岔圖等,揭示出了該系統(tǒng)具有目前神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中研究較熱的簇發(fā)現(xiàn)象以及其它豐富動(dòng)力學(xué)行為。例如,通過改變外加激勵(lì)的頻率F可以產(chǎn)生非完全對(duì)稱的雙邊簇發(fā)、振蕩尖峰數(shù)目可控的簇發(fā)、非完全對(duì)稱的單邊共存簇發(fā)、多種周期混沌共存等動(dòng)力學(xué)行為。并通過分岔圖及平衡點(diǎn)分析,研究了簇發(fā)振蕩產(chǎn)生的機(jī)理。最后,采用Multisim電路仿真與數(shù)字信號(hào)處理平臺(tái)(DSP)對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行了硬件實(shí)現(xiàn),其實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析一致,從而驗(yàn)證了系統(tǒng)的可行性和物理可實(shí)現(xiàn)性。
章智凱[5](2020)在《輸出受約束系統(tǒng)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制》文中研究指明任何實(shí)際控制系統(tǒng)出于物理器件局限性、性能和安全需要等因素考慮都不可避免地會(huì)受到各種約束條件的限制。如果系統(tǒng)運(yùn)行過程中這些約束條件得不到滿足,將可能導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降甚至造成不穩(wěn)定。另一方面,隨著科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展,控制領(lǐng)域研究對(duì)象日趨復(fù)雜,人們對(duì)控制品質(zhì)要求也日益提高。在實(shí)際需求和理論挑戰(zhàn)的驅(qū)動(dòng)下,輸出受約束系統(tǒng)的控制近年來受到廣泛關(guān)注。動(dòng)態(tài)面控制是在經(jīng)典Backstepping方法的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種主流非線性控制設(shè)計(jì)方法。它具有Backstepping方法的優(yōu)點(diǎn)而克服了其固有的“復(fù)雜性爆炸”缺陷,因此在理論和應(yīng)用研究中都備受青睞。然而,基于現(xiàn)有動(dòng)態(tài)面控制方法所設(shè)計(jì)控制器穩(wěn)定性條件與系統(tǒng)的初始條件、參考輸入都密切相關(guān),控制器參數(shù)取值范圍無法明確給出。另外,最終控制精度也依賴于設(shè)計(jì)參數(shù)取值因而無法事先指定。這些缺點(diǎn)使得控制器實(shí)現(xiàn)時(shí)設(shè)計(jì)參數(shù)選擇尤為棘手,給設(shè)計(jì)者帶來不便?;诂F(xiàn)有動(dòng)態(tài)面控制方法對(duì)輸出受約束系統(tǒng)設(shè)計(jì)會(huì)使控制參數(shù)選擇和系統(tǒng)調(diào)試難度進(jìn)一步增大,且參數(shù)取值還會(huì)對(duì)初始輸出可行區(qū)域大小產(chǎn)生影響??紤]上述背景,本論文提出一種改進(jìn)的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制方法,并以此為基礎(chǔ),系統(tǒng)地對(duì)輸出受約束的不確定下三角非線性系統(tǒng)控制進(jìn)行研究,并將所提出的理論方法應(yīng)用于考慮攻角約束的高超聲速飛行器縱向控制設(shè)計(jì)。全文主要研究內(nèi)容包括:1.提出了一種改進(jìn)的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制方法克服現(xiàn)有動(dòng)態(tài)面控制方法的局限性。這種改進(jìn)方法在傳統(tǒng)Backstepping方法的基礎(chǔ)上,引入非線性自適應(yīng)濾波器避免對(duì)虛擬控制律進(jìn)行復(fù)雜的求導(dǎo)運(yùn)算,同時(shí)結(jié)合帶有平坦區(qū)域的Lyapunov函數(shù)進(jìn)行穩(wěn)定性分析?;谠摲椒ㄋO(shè)計(jì)的控制器不但可以保證閉環(huán)系統(tǒng)所有信號(hào)一致最終有界和跟蹤誤差收斂到事先指定精度,而且穩(wěn)定性條件也與系統(tǒng)的初始條件、參考輸入無關(guān),控制參數(shù)取值范圍可以明確給出。因此,控制器實(shí)現(xiàn)時(shí)設(shè)計(jì)者只需從參數(shù)可行范圍內(nèi)自由取值以提高閉環(huán)系統(tǒng)動(dòng)態(tài)性能。數(shù)值仿真結(jié)果進(jìn)一步驗(yàn)證了所提方法的有效性。2.針對(duì)輸出受時(shí)變非對(duì)稱約束的不確定嚴(yán)格反饋系統(tǒng)跟蹤控制問題,提出了基于時(shí)變非對(duì)稱障礙Lyapunov函數(shù)的和基于非線性映射(Nonlinear Mapping,NM)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制方案。所得控制器能在保證輸出約束滿足前提下使得系統(tǒng)輸出以指定精度跟蹤參考信號(hào),且閉環(huán)系統(tǒng)所有信號(hào)一致最終有界。與已有結(jié)果相比,所提的兩種控制方案都能將初始輸出可行區(qū)域擴(kuò)大為整個(gè)約束區(qū)間,放寬對(duì)初始條件要求,并且控制參數(shù)的取值范圍可以明確給定。其中,基于NM的設(shè)計(jì)所得控制器結(jié)構(gòu)簡單,便于設(shè)計(jì)者使用。仿真研究進(jìn)一步驗(yàn)證了所提約束控制方案的有效性。3.利用基于NM的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制方法研究了輸出受約束的不確定純反饋系統(tǒng)的跟蹤控制。從解決非仿射特性帶來困難的角度出發(fā)提出兩種控制方案。一種是利用系統(tǒng)變換將非仿射系統(tǒng)轉(zhuǎn)化為嚴(yán)格反饋系統(tǒng),繼而按照嚴(yán)格反饋系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)約束控制器。另一種是直接利用純反饋系統(tǒng)本身結(jié)構(gòu),結(jié)合新型坐標(biāo)變換進(jìn)行設(shè)計(jì)。借鑒“最少學(xué)習(xí)參數(shù)”的思想,通過估計(jì)每一步設(shè)計(jì)中不確定參數(shù)的最大值而不是參數(shù)本身,既可以減少在線調(diào)節(jié)參數(shù)個(gè)數(shù),又能一定程度避免過參數(shù)化問題。所得的控制器結(jié)構(gòu)簡單,計(jì)算量小,還克服了現(xiàn)有結(jié)果中常見的控制器循環(huán)結(jié)構(gòu)問題以及基于逼近器方法的缺點(diǎn)。仿真研究進(jìn)一步驗(yàn)證了所得理論結(jié)果正確性與有效性。4.將基于NM的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制方法拓展應(yīng)用于解決狀態(tài)不可測系統(tǒng)的輸出約束控制問題。針對(duì)輸出受約束的參數(shù)輸出反饋系統(tǒng),構(gòu)造降階K-濾波器估計(jì)不可測狀態(tài),在高頻增益符號(hào)已知和未知兩種情況下分別設(shè)計(jì)控制器,并給出了閉環(huán)系統(tǒng)嚴(yán)格的穩(wěn)定性分析。所提輸出反饋控制策略的整個(gè)設(shè)計(jì)過程只含ρ步(ρ為系統(tǒng)相對(duì)階),且只有第一步需要對(duì)不確定參數(shù)進(jìn)行估計(jì),因此顯著地降低了控制設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度,所得控制器的結(jié)構(gòu)也十分簡單。特別地,針對(duì)高頻增益符號(hào)未知情形,結(jié)合Nussbaum增益技術(shù)設(shè)計(jì),本文方法還可以避免Nussbaum函數(shù)自變量漂移問題。仿真結(jié)果驗(yàn)證了所提方法的有效性。5.研究了考慮攻角約束的高超聲速飛行器縱向控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)問題。將飛行器縱向運(yùn)動(dòng)模型拆分為速度子系統(tǒng)和高度子系統(tǒng),并將攻角約束問題歸結(jié)為高度子系統(tǒng)中姿態(tài)回路輸出約束問題,采用攻角反饋實(shí)現(xiàn)對(duì)其直接控制。根據(jù)飛行任務(wù)給出速度指令和攻角指令,綜合考慮不確定性等因素影響,對(duì)速度回路和姿態(tài)回路分別建立面向控制設(shè)計(jì)模型并設(shè)計(jì)相應(yīng)的控制律,使得實(shí)際飛行速度和攻角分別跟蹤各自指令從而完成既定飛行任務(wù)。其中,在姿態(tài)回路設(shè)計(jì)時(shí)采用基于NM的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制方法從理論上嚴(yán)格保證攻角約束滿足。閉環(huán)仿真結(jié)果表明所設(shè)計(jì)控制器能達(dá)到滿意的控制效果。
徐影[6](2020)在《基于FPGA憶阻混沌系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)》文中認(rèn)為憶阻器是除電阻、電容、電感之外的第四種基本電路元件,因其具有獨(dú)特的記憶性,故與一般混沌電路相比憶阻混沌電路具有更加豐富的動(dòng)力學(xué)行為。本文利用不同種類的RC振蕩電路與憶阻器構(gòu)造出等價(jià)的蔡氏憶阻電路、單T憶阻電路和延遲憶阻電路等三種不同類型的憶阻混沌電路,通過FPGA在硬件中實(shí)現(xiàn)這些憶阻電路,并將憶阻電路應(yīng)用于圖像加密中。本文具體工作如下:1.以三次光滑憶阻器模型為例,將其與等效的LC并聯(lián)回路耦合,設(shè)計(jì)出三種等價(jià)的蔡氏憶阻混沌電路,對(duì)其進(jìn)行電路仿真,得到與理論分析和數(shù)值計(jì)算一致的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。2.采用RC單T選頻網(wǎng)絡(luò)構(gòu)成的振蕩電路與憶阻器通過不同的耦合方式,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)型憶阻混沌電路,研究了初始值及電路元件參數(shù)對(duì)電路動(dòng)力學(xué)特性的影響。3.分別將延時(shí)信號(hào)引入到憶阻文氏橋電路和憶阻單T電路中,設(shè)計(jì)了兩種憶阻延遲混沌電路,并研究了初始值及電路元件參數(shù)對(duì)電路動(dòng)力學(xué)特性的影響。4.利用FPGA實(shí)現(xiàn)等價(jià)的蔡氏憶阻混沌電路、單T憶阻混沌電路和延遲憶阻混沌電路,通過FPGA能夠較簡單方便且有效地產(chǎn)生混沌吸引子,其實(shí)際結(jié)果與數(shù)值計(jì)算結(jié)果、仿真結(jié)果基本一致。5.采用圖像置亂和圖像像素?cái)U(kuò)散相結(jié)合的方法對(duì)圖像進(jìn)行加密處理。首先,通過改進(jìn)廣義Arnold變換進(jìn)行圖像置亂,然后,分別基于單T憶阻混沌序列和延遲憶阻混沌序列對(duì)圖像進(jìn)行擴(kuò)散。為進(jìn)一步證明其加密效果,引入Lorenz混沌系統(tǒng)進(jìn)行同種方法加密,發(fā)現(xiàn)憶阻混沌序列用于加密具有更加復(fù)雜的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提高了圖像加密的安全性,并將密文解密還原成明文圖像。此外,本文采用直方圖法、相鄰像素相關(guān)性分析法和敏感性分析法判斷算法的加密效果,經(jīng)分析對(duì)比,認(rèn)為利用憶阻延遲混沌系統(tǒng)進(jìn)行加密解密效果更好。本文設(shè)計(jì)了多種憶阻混沌電路,并通過FPGA在硬件中進(jìn)行實(shí)現(xiàn),以期為憶阻混沌電路的設(shè)計(jì)提供有益參考。
彭博[7](2020)在《基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的原理與實(shí)驗(yàn)研究》文中進(jìn)行了進(jìn)一步梳理近十年來,為實(shí)現(xiàn)憶阻器大規(guī)模地工業(yè)化應(yīng)用,國外尤其美國已經(jīng)對(duì)憶阻器相關(guān)的研究進(jìn)入了白熱化階段。自2018年,密西根大學(xué)相關(guān)科研人員制備出一種嵌有憶阻器件的芯片,并且容易集成到硅襯底電子器件中,該項(xiàng)研究已應(yīng)用于CPU、機(jī)器學(xué)習(xí)甚至GPU。憶阻器從被定義到現(xiàn)在為止,科學(xué)家們做了諸多努力去進(jìn)行全方面的研究工作,但是直到今天,憶阻器未像電容、電阻、電感等元器件進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。因此,如何使憶阻器大規(guī)模生產(chǎn)并適應(yīng)于市場,成為人們研究的熱點(diǎn)之一。本文從單光子雪崩二極管的反向特性這一思路出發(fā),基于CMOS工藝特點(diǎn)提出了可以大規(guī)模量產(chǎn)的單光子憶阻器。通過物理機(jī)制、等效模型、非線性動(dòng)力學(xué)行為和實(shí)驗(yàn)測試等方面,分析并驗(yàn)證了易于大規(guī)模生產(chǎn)的單光子憶阻器。主要工作內(nèi)容:1、基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器原理與分析,通過雪崩效應(yīng)和載流子漂移擴(kuò)散原理,清晰地構(gòu)建了憶阻連續(xù)電阻變化的物理機(jī)制,提出了一種新型單光子憶阻器。從磁滯回線、頻率特性、有無源系統(tǒng)三方面進(jìn)行了憶阻特性分析。通過搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),驗(yàn)證了單光子憶阻器在175 KHz的工作頻率下呈現(xiàn)幅值為1.25 V的磁滯回線,并在5.0 MHz頻率下收縮為幅值12.5 m V的線性電阻。2、基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器模型與分析,根據(jù)基爾霍夫定理,進(jìn)行了單光子憶阻器的等效電路建模,并通過SPICE軟件進(jìn)行了模型優(yōu)化。通過傳統(tǒng)雙極性器件的設(shè)計(jì),建立了雙極性光控廣義憶阻器,進(jìn)行了相關(guān)的仿真驗(yàn)證。根據(jù)載流子漂移擴(kuò)散原理,又建立了數(shù)學(xué)模型,采用Matlab軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證。通過搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),結(jié)果顯示了在幅值1.25 V、臨界頻率21 MHz、淬滅時(shí)間50μs等性能指標(biāo)上均與仿真吻合。3、基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的非線性動(dòng)力學(xué)行為,從雙閾值行為、混沌現(xiàn)象、非緊縮型磁滯回線三方面分析了單光子憶阻器的非線性行為。通過Candence Spectra軟件,仿真驗(yàn)證了在頻率5.35 MHz、20 V的電源電壓下,基于雪崩效應(yīng)的單光子憶阻器呈現(xiàn)了雙閾值行為。在頻率4.25 MHz、寄生電容10 p F的情況下,單光子憶阻器呈現(xiàn)非緊縮型磁滯回線。在多光子效應(yīng)情況下又呈現(xiàn)了單光子憶阻器的混沌現(xiàn)象。
金秋森[8](2020)在《雙憶阻Shinriki振蕩電路的極端多穩(wěn)定特性分析及其應(yīng)用》文中研究說明憶阻器是描述電荷和磁通關(guān)系的第四個(gè)基本電路元器件,其阻值可以隨著電流的變化而發(fā)生改變,常被稱作具有記憶功能的廣義電阻。相較于電阻、電容和電感,憶阻器具有天然的非線性特性,使得其能夠與極少的元件構(gòu)成混沌電路。除此之外,納米級(jí)憶阻器具有低功耗、非易失性強(qiáng)、可拓展性強(qiáng)等特點(diǎn),在存儲(chǔ)器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、人工智能等方面擁有廣闊的應(yīng)用前景。本文構(gòu)建了兩組憶阻混沌振蕩系統(tǒng),在伏安域和韋庫域分別對(duì)其進(jìn)行動(dòng)力學(xué)行為仿真,完成兩組系統(tǒng)的硬件電路實(shí)驗(yàn),設(shè)計(jì)一個(gè)基于憶阻混沌序列的彩色圖像加密平臺(tái),主要研究內(nèi)容如下:(1)提出含二次磁控憶阻和三次荷控憶阻的Shinriki振蕩電路,并在伏安域分析系統(tǒng)的非線性特性首先,建立系統(tǒng)的五階數(shù)學(xué)模型,計(jì)算振蕩器的耗散系數(shù)和平衡點(diǎn)集。對(duì)振蕩器開展在不同電路元件參數(shù)變化情況下的基本動(dòng)力學(xué)行為分析,包括多種模式的共存分岔、周期-混沌狀態(tài)轉(zhuǎn)移等。其次,借助李雅普諾夫指數(shù)、分岔圖、動(dòng)力學(xué)地圖等,分析雙憶阻Shinriki振蕩器由憶阻參數(shù)和初值引發(fā)的的反單調(diào)現(xiàn)象和共存非對(duì)稱行為。最后,通過吸引盆觀測了振蕩器依賴不同電路元件初始條件的極端多穩(wěn)態(tài)現(xiàn)象。(2)構(gòu)造含兩個(gè)不同極性磁控憶阻的Shinriki振蕩電路,并在韋庫域重構(gòu)系統(tǒng)的極端多穩(wěn)態(tài)首先,使用增量電荷-磁通建模的方法獲得系統(tǒng)的降維模型,將與憶阻器初始條件相關(guān)的面平衡點(diǎn)集轉(zhuǎn)換為確定的平衡點(diǎn)。其次,通過傳統(tǒng)的定量分析方法,分別觀測振蕩器在降維前后依賴電路元件參數(shù)變化的非線性現(xiàn)象。最后,通過評(píng)估韋庫模型中平衡點(diǎn)的位置和穩(wěn)定性,精確地預(yù)測了振蕩器的動(dòng)力學(xué)行為,并在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)了對(duì)憶阻振蕩系統(tǒng)的極端多穩(wěn)態(tài)重構(gòu)。(3)完成兩個(gè)憶阻混沌系統(tǒng)的電路實(shí)驗(yàn),并設(shè)計(jì)一個(gè)彩色圖像加密平臺(tái)首先,利用Verilog語言和FPGA開發(fā)板搭建系統(tǒng)的數(shù)字模塊電路,通過示波器捕捉不同狀態(tài)吸引子軌跡圖,驗(yàn)證數(shù)值仿真的準(zhǔn)確性。其次,對(duì)韋庫域雙憶阻振蕩模型進(jìn)行等效電路元件換算,利用Multisim軟件模擬硬件電路搭設(shè)。通過調(diào)節(jié)電路中的五個(gè)直流電壓源,實(shí)現(xiàn)對(duì)極端多穩(wěn)態(tài)的物理控制。最后,提出一個(gè)基于振蕩器多穩(wěn)態(tài)序列的彩色圖像加密平臺(tái),借助Python和FPGA技術(shù)設(shè)計(jì)了平臺(tái)的加密流程,根據(jù)仿真參數(shù)和加密效果圖評(píng)價(jià)了平臺(tái)的加密性能。
王亞波[9](2020)在《新型憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)》文中研究表明隨著信息技術(shù)的迅速發(fā)展,人們對(duì)電子器件和電路集成度的要求越來越高。傳統(tǒng)的晶體管無論在尺寸大小、性能等方面都面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。憶阻器是一種新型電路元件,它具有低功耗、納米尺度、記憶特性等優(yōu)良性能,在非易失存儲(chǔ)器、數(shù)字邏輯電路和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著廣闊的潛在應(yīng)用前景。憶阻器的納米尺度和記憶特性使其成為構(gòu)建新一代人工突觸的最好選擇。本文在介紹憶阻器與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)理論的基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了帶窗函數(shù)的HP憶阻器突觸及新型憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型,實(shí)現(xiàn)了學(xué)習(xí)、聯(lián)想記憶與遺忘過程的高級(jí)生物活動(dòng)。本文主要內(nèi)容如下:(1)為了確定憶阻器與憶容器那個(gè)更適合模擬神經(jīng)元突觸,提出了兩種憶容器模型,推導(dǎo)了憶容器的容值計(jì)算公式,并與兩種憶阻器模型進(jìn)行了性能比較,分析結(jié)果表明憶阻器更適合于神經(jīng)元突觸的設(shè)計(jì),從而選定帶窗函數(shù)的HP憶阻器模型用于神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)。(2)基于帶窗函數(shù)的HP憶阻器模型,設(shè)計(jì)了與門和或門邏輯電路,分析了門電路工作原理,通過SPICE軟件對(duì)邏輯門電路進(jìn)行了仿真,驗(yàn)證了其邏輯關(guān)系,為本文的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)奠定基礎(chǔ)。(3)設(shè)計(jì)了一種改進(jìn)的CMOS神經(jīng)元電路,對(duì)電路的工作原理進(jìn)行了理論分析與仿真;提出了一種新的突觸權(quán)重修改規(guī)則,該規(guī)則除學(xué)習(xí)、兩種遺忘外,還增加了第三種遺忘的權(quán)重修改規(guī)則,能夠很好地解釋突觸權(quán)重的變化情況,為后續(xù)聯(lián)想記憶神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)與應(yīng)用奠定了理論基礎(chǔ)。(4)基于上述憶阻器模型、憶阻器邏輯門電路、CMOS神經(jīng)元電路和突觸權(quán)重修改規(guī)則,設(shè)計(jì)了一種新的憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路,實(shí)現(xiàn)了學(xué)習(xí)、聯(lián)想記憶與遺忘在內(nèi)的生物活動(dòng)。對(duì)其工作原理進(jìn)行了理論分析,并通過SPICE軟件對(duì)該憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)功能進(jìn)行了電路仿真,仿真結(jié)果驗(yàn)證了神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型的正確性。
顧梅園,劉敬彪,王光義,梁燕,李付鵬[10](2019)在《憶容器多諧振蕩器及其實(shí)驗(yàn)》文中研究說明憶容器是一種具有記憶性的非線性電容,為研究憶容器的電路特性,提出了一種壓控型憶容器的二次曲線模型,利用電流反饋型運(yùn)放等器件構(gòu)建了能夠動(dòng)態(tài)模擬憶容器q-v特性的仿真器.通過仿真和實(shí)驗(yàn)觀測到憶容器的滯回曲線,以及隨外加激勵(lì)頻率增加而收縮的特性.分析了周期性激勵(lì)信號(hào)的參數(shù)對(duì)憶容值取值范圍的影響,并對(duì)憶容器的非易失性和平衡點(diǎn)的穩(wěn)定性進(jìn)行了研究.基于該憶容仿真器設(shè)計(jì)了一種多諧振蕩器,分析了振蕩器的工作原理,對(duì)振蕩器的輸出電壓、憶容器的端電壓、憶容器的磁通和電荷,以及憶容器的滯回曲線進(jìn)行了測試.通過實(shí)驗(yàn)中觀測到的各種振蕩波形,分析了振蕩器的頻率、占空比以及憶容器的非線性特性隨電路參數(shù)變化的規(guī)律.
二、Chua回路的一些仿真結(jié)果(論文開題報(bào)告)
(1)論文研究背景及目的
此處內(nèi)容要求:
首先簡單簡介論文所研究問題的基本概念和背景,再而簡單明了地指出論文所要研究解決的具體問題,并提出你的論文準(zhǔn)備的觀點(diǎn)或解決方法。
寫法范例:
本文主要提出一款精簡64位RISC處理器存儲(chǔ)管理單元結(jié)構(gòu)并詳細(xì)分析其設(shè)計(jì)過程。在該MMU結(jié)構(gòu)中,TLB采用叁個(gè)分離的TLB,TLB采用基于內(nèi)容查找的相聯(lián)存儲(chǔ)器并行查找,支持粗粒度為64KB和細(xì)粒度為4KB兩種頁面大小,采用多級(jí)分層頁表結(jié)構(gòu)映射地址空間,并詳細(xì)論述了四級(jí)頁表轉(zhuǎn)換過程,TLB結(jié)構(gòu)組織等。該MMU結(jié)構(gòu)將作為該處理器存儲(chǔ)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的一個(gè)重要組成部分。
(2)本文研究方法
調(diào)查法:該方法是有目的、有系統(tǒng)的搜集有關(guān)研究對(duì)象的具體信息。
觀察法:用自己的感官和輔助工具直接觀察研究對(duì)象從而得到有關(guān)信息。
實(shí)驗(yàn)法:通過主支變革、控制研究對(duì)象來發(fā)現(xiàn)與確認(rèn)事物間的因果關(guān)系。
文獻(xiàn)研究法:通過調(diào)查文獻(xiàn)來獲得資料,從而全面的、正確的了解掌握研究方法。
實(shí)證研究法:依據(jù)現(xiàn)有的科學(xué)理論和實(shí)踐的需要提出設(shè)計(jì)。
定性分析法:對(duì)研究對(duì)象進(jìn)行“質(zhì)”的方面的研究,這個(gè)方法需要計(jì)算的數(shù)據(jù)較少。
定量分析法:通過具體的數(shù)字,使人們對(duì)研究對(duì)象的認(rèn)識(shí)進(jìn)一步精確化。
跨學(xué)科研究法:運(yùn)用多學(xué)科的理論、方法和成果從整體上對(duì)某一課題進(jìn)行研究。
功能分析法:這是社會(huì)科學(xué)用來分析社會(huì)現(xiàn)象的一種方法,從某一功能出發(fā)研究多個(gè)方面的影響。
模擬法:通過創(chuàng)設(shè)一個(gè)與原型相似的模型來間接研究原型某種特性的一種形容方法。
三、Chua回路的一些仿真結(jié)果(論文提綱范文)
(1)電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)安全性增強(qiáng)研究(論文提綱范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 緒論 |
1.1 研究背景及意義 |
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 |
1.2.1 混沌理論的發(fā)展 |
1.2.2 激光混沌通信系統(tǒng)的研究現(xiàn)狀 |
1.3 本文主要工作內(nèi)容及結(jié)構(gòu) |
1.3.1 主要內(nèi)容 |
1.3.2 論文結(jié)構(gòu)安排 |
第二章 電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)的理論基礎(chǔ) |
2.1 混沌的基本理論 |
2.2 電光反饋激光混沌系統(tǒng)基本原理及常用性能分析指標(biāo) |
2.2.1 基本器件介紹及建模方式 |
2.2.2 電光反饋激光混沌源分類 |
2.3 復(fù)雜度及安全性分析指標(biāo) |
2.3.1 復(fù)雜度分析指標(biāo) |
2.3.2 安全性分析指標(biāo) |
2.4 混沌同步安全通信系統(tǒng) |
2.4.1 混沌同步安全通信的原理 |
2.4.2 常見的混沌加密方式 |
2.4.3 混沌同步質(zhì)量衡量指標(biāo) |
2.5 小結(jié) |
第三章 復(fù)反饋耦合型激光混沌通信系統(tǒng) |
3.1 理論分析 |
3.2 系統(tǒng)建立及系統(tǒng)模型 |
3.3 系統(tǒng)動(dòng)態(tài)行為特性及復(fù)雜性分析 |
3.4 安全性分析 |
3.5 基于復(fù)反饋耦合型激光混沌源的混沌同步通信系統(tǒng) |
3.6 本章小結(jié) |
第四章 并串轉(zhuǎn)換式電光混沌安全通信系統(tǒng) |
4.1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)及理論模型 |
4.2 系統(tǒng)動(dòng)態(tài)行為特性及復(fù)雜性分析 |
4.3 系統(tǒng)安全性分析 |
4.4 并串轉(zhuǎn)換式電光安全通信系統(tǒng) |
4.5 本章小結(jié) |
第五章 總結(jié)與展望 |
5.1 總結(jié) |
5.2 展望 |
參考文獻(xiàn) |
致謝 |
攻讀碩士期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文 |
(2)一組等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的設(shè)計(jì)(論文提綱范文)
1 等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的設(shè)計(jì) |
1.1 等價(jià)蔡氏電路1 |
1.2 等價(jià)蔡氏電路2 |
1.3 等價(jià)蔡氏電路3 |
1.4 等價(jià)蔡氏電路4 |
2 電路仿真的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
(3)基于連續(xù)型混沌脈寬調(diào)制的電力電子變換器電磁頻譜量化與性能分析方法研究(論文提綱范文)
致謝 |
摘要 |
ABSTRACT |
縮略詞表 |
1 引言 |
1.1 論文研究背景 |
1.2 電力電子變換器傳導(dǎo)EMI研究的發(fā)展現(xiàn)狀 |
1.2.1 電力電子變換器的EMI基本概念和電磁兼容標(biāo)準(zhǔn) |
1.2.2 電力電子變換器傳導(dǎo)EMI機(jī)理和特征分析 |
1.2.3 電力電子變換器傳導(dǎo)EMI建模與預(yù)測 |
1.2.4 電力電子變換器傳導(dǎo)EMI抑制方法 |
1.3 電力電子變換器混沌PWM的研究現(xiàn)狀 |
1.3.1 電力電子變換器的混沌現(xiàn)象研究 |
1.3.2 電力電子變換器的混沌PWM研究現(xiàn)狀和關(guān)鍵問題 |
1.4 論文研究思路和主要研究內(nèi)容 |
1.4.1 研究思路 |
1.4.2 主要研究內(nèi)容 |
2 混沌PWM實(shí)現(xiàn)方法與頻譜量化方法研究 |
2.1 電力電子變換器傳導(dǎo)EMI機(jī)理分析和建模方法 |
2.2 混沌PWM基本原理與實(shí)現(xiàn)方式 |
2.3 混沌PWM頻譜量化方法 |
2.3.1 混沌PWM Boost變換器的頻譜量化 |
2.3.2 混沌PWM單相AC-DC變換器的頻譜量化 |
2.4 本章小結(jié) |
3 基于連續(xù)型多渦卷混沌PWM抑制EMI研究 |
3.1 多渦卷混沌PWM的實(shí)現(xiàn)方式 |
3.1.1 多渦卷混沌PWM的實(shí)現(xiàn)原理 |
3.1.2 多渦卷混沌吸引子的生成 |
3.2 多渦卷混沌信號(hào)對(duì)EMI頻譜的影響機(jī)理分析 |
3.2.1 頻譜分布影響因子分析 |
3.2.2 多渦卷混沌信號(hào)選擇方法 |
3.3 多渦卷混沌PWM仿真分析 |
3.3.1 Boost變換器多渦卷混沌PWM控制仿真 |
3.3.2 AC-DC變換器混沌PWM控制仿真 |
3.4 多渦卷混沌PWM實(shí)驗(yàn)分析 |
3.5 本章小結(jié) |
4 基于描述函數(shù)法的混沌PWM建模與穩(wěn)定性分析 |
4.1 基于描述函數(shù)法的系統(tǒng)建模與穩(wěn)定性分析 |
4.1.1 基于描述函數(shù)的非線性環(huán)節(jié)建模機(jī)理 |
4.1.2 基于描述函數(shù)法的穩(wěn)定性分析方法 |
4.2 混沌PWM的描述函數(shù)建模 |
4.2.1 基于描述函數(shù)的Boost變換器系統(tǒng)建模 |
4.2.2 混沌PWM環(huán)節(jié)的描述函數(shù)推導(dǎo) |
4.2.3 描述函數(shù)公式的參數(shù)范圍確定 |
4.3 混沌PWM對(duì)電力電子變換器穩(wěn)定性影響分析 |
4.3.1 混沌PWM與定頻PWM穩(wěn)定范圍對(duì)比 |
4.3.2 混沌PWM頻率偏移對(duì)穩(wěn)定性影響分析 |
4.4 仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 |
4.4.1 混沌PWM與定頻PWM穩(wěn)定范圍驗(yàn)證 |
4.4.2 頻率偏移范圍對(duì)穩(wěn)定性影響驗(yàn)證 |
4.5 本章小結(jié) |
5 混沌PWM電力電子變換器的開關(guān)器件損耗研究 |
5.1 開關(guān)器件損耗分析基本原理 |
5.1.1 Si C MOSFET損耗計(jì)算方法 |
5.1.2 IGBT損耗計(jì)算方法 |
5.2 混沌PWM開關(guān)器件損耗計(jì)算方法研究 |
5.2.1 Boost變換器Si C MOSFET的損耗計(jì)算 |
5.2.2 AC-DC變換器IGBT的損耗計(jì)算 |
5.3 定頻PWM與混沌PWM的開關(guān)器件損耗對(duì)比分析 |
5.3.1 Boost變換器Si C MOSFET的損耗對(duì)比 |
5.3.2 AC-DC變換器IGBT的損耗對(duì)比 |
5.4 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 |
5.5 本章小結(jié) |
6 結(jié)論 |
6.1 全文工作總結(jié) |
6.2 進(jìn)一步工作展望 |
參考文獻(xiàn) |
作者簡歷 |
學(xué)位論文數(shù)據(jù)集 |
(4)憶阻型混沌系統(tǒng)的建模、動(dòng)力學(xué)分析及其實(shí)現(xiàn)(論文提綱范文)
摘要 |
abstract |
第1章 緒論 |
1.1 課題研究背景及意義 |
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀 |
1.2.1 憶阻器研究動(dòng)態(tài) |
1.2.2 憶阻混沌系統(tǒng)研究動(dòng)態(tài) |
1.3 本文主要內(nèi)容及結(jié)構(gòu) |
第2章 憶阻混沌系統(tǒng)理論與設(shè)計(jì)方法 |
2.1 混沌基本理論 |
2.1.1 混沌的定義 |
2.1.2 混沌基本特征 |
2.1.3 混沌動(dòng)力學(xué)判別方法 |
2.2 憶阻器定義 |
2.3 憶阻器電路特性及分類 |
2.3.1 憶阻器電路特性 |
2.3.2 憶阻器的模型分類 |
2.4 憶阻混沌系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法 |
第3章 基于二次磁控憶阻器的Liu-Chen混沌系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析、電路實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用研究 |
3.1 引言 |
3.2 二次磁控憶阻型Liu-Chen混沌系統(tǒng) |
3.3 系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析 |
3.3.1 耗散性 |
3.3.2 平衡點(diǎn)分析 |
3.3.3 共存吸引子旋轉(zhuǎn)與其它復(fù)雜動(dòng)力學(xué)行為 |
3.4 系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) |
3.4.1 Multisim仿真實(shí)現(xiàn) |
3.4.2 電路硬件實(shí)現(xiàn) |
3.5 憶阻混沌系統(tǒng)的有限時(shí)間同步應(yīng)用 |
3.5.1 分?jǐn)?shù)階有限時(shí)間穩(wěn)定性理論及控制器設(shè)計(jì) |
3.5.2 數(shù)值仿真研究 |
3.6 小結(jié) |
第4章 基于雙曲正切憶阻器的Duffing混沌系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析、電路設(shè)計(jì)及DSP實(shí)現(xiàn) |
4.1 引言 |
4.2 雙曲正切憶阻型Duffing混沌系統(tǒng) |
4.2.1 雙曲正切憶阻器模型 |
4.2.2 憶阻型Duffing系統(tǒng)模型 |
4.3 系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析 |
4.3.1 耗散性 |
4.3.2 平衡點(diǎn)分析 |
4.3.3 對(duì)稱、非對(duì)稱簇發(fā)與共存現(xiàn)象 |
4.4 系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)與DSP實(shí)現(xiàn) |
4.4.1 Multisim仿真實(shí)現(xiàn) |
4.4.2 DSP硬件實(shí)現(xiàn) |
4.5 小結(jié) |
第5章 總結(jié)與展望 |
5.1 本文主要工作總結(jié) |
5.2 展望 |
參考文獻(xiàn) |
致謝 |
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果和參與的科研項(xiàng)目 |
(5)輸出受約束系統(tǒng)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制(論文提綱范文)
摘要 |
Abstract |
主要符號(hào)表 |
第1章 緒論 |
1.1 課題研究背景及意義 |
1.2 相關(guān)問題的研究現(xiàn)狀 |
1.2.1 動(dòng)態(tài)面控制方法研究概述 |
1.2.2 輸出約束問題主要研究方法 |
1.2.3 考慮攻角約束的高超聲速飛行器控制研究現(xiàn)狀 |
1.3 現(xiàn)有結(jié)果局限性分析 |
1.4 本文的主要研究內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排 |
第2章 不確定非線性系統(tǒng)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
2.1 引言 |
2.2 問題描述 |
2.3 改進(jìn)的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
2.3.1 控制器設(shè)計(jì) |
2.3.2 穩(wěn)定性分析 |
2.4 仿真分析 |
2.4.1 數(shù)值算例 |
2.4.2 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)單連桿機(jī)械臂系統(tǒng) |
2.5 本章小結(jié) |
第3章 輸出受約束的嚴(yán)格反饋系統(tǒng)改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
3.1 引言 |
3.2 問題描述 |
3.3 基于BLF的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
3.3.1 BLF基礎(chǔ) |
3.3.2 控制器設(shè)計(jì) |
3.3.3 穩(wěn)定性分析 |
3.4 基于NM的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
3.4.1 約束變換 |
3.4.2 改進(jìn)的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制設(shè)計(jì) |
3.5 仿真分析 |
3.5.1 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)單連桿機(jī)械臂系統(tǒng) |
3.5.2 蔡氏電路系統(tǒng) |
3.6 本章小結(jié) |
第4章 輸出受約束的純反饋系統(tǒng)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
4.1 引言 |
4.2 問題描述 |
4.3 基于系統(tǒng)變換的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
4.3.1 系統(tǒng)變換 |
4.3.2 控制器設(shè)計(jì) |
4.3.3 穩(wěn)定性分析 |
4.4 基于新型坐標(biāo)變換的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
4.5 仿真分析 |
4.5.1 一類受控Brusselator化學(xué)反應(yīng)模型 |
4.5.2 輸入非仿射純反饋系統(tǒng)數(shù)值算例 |
4.5.3 一個(gè)欠驅(qū)動(dòng)弱耦合力學(xué)系統(tǒng) |
4.6 本章小結(jié) |
第5章 輸出受約束的輸出反饋系統(tǒng)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制 |
5.1 引言 |
5.2 問題描述 |
5.3 狀態(tài)觀測器設(shè)計(jì) |
5.4 輸出反饋控制器設(shè)計(jì) |
5.4.1 高頻控制增益符號(hào)已知情形 |
5.4.2 高頻控制增益符號(hào)未知情形 |
5.5 仿真分析 |
5.5.1 數(shù)值算例 |
5.5.2 直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)單連桿機(jī)械臂系統(tǒng) |
5.5.3 蔡氏電路系統(tǒng) |
5.6 本章小結(jié) |
第6章 考慮攻角約束的高超聲速飛行器縱向控制系統(tǒng)設(shè)計(jì) |
6.1 引言 |
6.2 高超聲速飛行器模型與問題描述 |
6.2.1 高超聲速飛行器縱向運(yùn)動(dòng)模型 |
6.2.2 設(shè)計(jì)目標(biāo)與控制方案 |
6.3 指令信號(hào)設(shè)計(jì) |
6.4 控制律設(shè)計(jì) |
6.4.1 控制設(shè)計(jì)模型 |
6.4.2 速度與姿態(tài)跟蹤控制器設(shè)計(jì) |
6.4.3 穩(wěn)定性分析 |
6.5 仿真分析 |
6.5.1 仿真條件 |
6.5.2 仿真結(jié)果 |
6.6 本章小結(jié) |
結(jié)論 |
參考文獻(xiàn) |
附錄A 第6章附錄 |
攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文 |
致謝 |
個(gè)人簡歷 |
(6)基于FPGA憶阻混沌系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)(論文提綱范文)
摘要 |
Abstract |
第一章 引言 |
1.1 混沌簡介 |
1.2 憶阻器基本知識(shí)介紹 |
1.3 延遲混沌電路概述 |
1.4 FPGA實(shí)現(xiàn)電路的研究現(xiàn)狀 |
1.5 圖像加密的研究現(xiàn)狀 |
1.6 本文的結(jié)構(gòu)與安排 |
第二章 憶阻混沌電路的設(shè)計(jì) |
2.1 等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的設(shè)計(jì) |
2.1.1 選頻網(wǎng)絡(luò)選頻特性的分析 |
2.1.2 等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的設(shè)計(jì) |
2.1.3 等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的動(dòng)力學(xué)特性分析 |
2.1.4 電路仿真實(shí)驗(yàn) |
2.2 單T串聯(lián)型憶阻混沌電路 |
2.2.1 電路設(shè)計(jì) |
2.2.2 電路參數(shù)?變化對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
2.2.3 初始值對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
2.3 單T并聯(lián)型憶阻混沌電路 |
2.3.1 電路設(shè)計(jì) |
2.3.2 耗散性及吸引子的存在性 |
2.3.3 電路參數(shù)?變化對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
2.4 本章小結(jié) |
第三章 延遲憶阻電路的設(shè)計(jì) |
3.1 文氏橋延遲憶阻電路 |
3.1.1 電路設(shè)計(jì) |
3.1.2 延遲時(shí)間?變化對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
3.1.3 初始值對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
3.2 單T延遲憶阻控制電路 |
3.2.1 電路設(shè)計(jì) |
3.2.2 延遲時(shí)間?變化對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
3.2.3 初始值對(duì)系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)特性的影響 |
3.3 本章小結(jié) |
第四章 基于FPGA的硬件電路實(shí)現(xiàn) |
4.1 系統(tǒng)總體環(huán)境搭建 |
4.1.1 軟件環(huán)境搭建 |
4.1.2 DSP Builder工具箱 |
4.1.3 硬件設(shè)備特性 |
4.2 硬件電路實(shí)現(xiàn) |
4.3 憶阻混沌系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.3.1 等價(jià)蔡氏憶阻混沌系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.3.2 單T串聯(lián)型憶阻混沌系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.3.3 單T并聯(lián)型憶阻混沌系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.4 延遲憶阻混沌系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.4.1 文氏橋延遲憶阻混沌系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.4.2 單T延遲憶阻控制混沌系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)結(jié)果 |
4.5 本章總結(jié) |
第五章 圖像加密 |
5.1 Lorenz混沌系統(tǒng)介紹 |
5.2 基于混沌系統(tǒng)的圖像加解密總體框架 |
5.3 基于混沌系統(tǒng)的圖像加解密具體算法 |
5.3.1 圖像加解密過程 |
5.3.2 軟件仿真結(jié)果 |
5.4 安全性分析 |
5.4.1 直方圖分析 |
5.4.2 相鄰像素相關(guān)性分析 |
5.4.3 敏感性分析 |
5.5 本章小結(jié) |
第六章 結(jié)語與展望 |
參考文獻(xiàn) |
致謝 |
在學(xué)期間公開發(fā)表論文及著作情況 |
(7)基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的原理與實(shí)驗(yàn)研究(論文提綱范文)
摘要 |
abstract |
第1章 緒論 |
1.1 研究背景 |
1.2 國內(nèi)外憶阻器發(fā)展現(xiàn)狀與分析 |
1.3 本文的研究內(nèi)容和章節(jié)安排 |
第2章 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的原理與分析 |
2.1 廣義憶阻器的定義及其特性 |
2.2 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的原理與仿真 |
2.3 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的測試與分析 |
2.4 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的優(yōu)化設(shè)計(jì) |
2.5 本章總結(jié) |
第3章 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的模型與分析 |
3.1 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的基本模型 |
3.2 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的模型改進(jìn) |
3.3 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的模型驗(yàn)證與分析 |
3.4 本章小結(jié) |
第4章 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的非線性行為 |
4.1 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的雙閾值行為 |
4.2 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的混沌現(xiàn)象 |
4.3 基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的其它非線性行為 |
4.4 本章小結(jié) |
第5章 總結(jié)與展望 |
參考文獻(xiàn) |
致謝 |
附錄 A 個(gè)人簡歷 |
附錄 B 在校期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及研究成果 |
(8)雙憶阻Shinriki振蕩電路的極端多穩(wěn)定特性分析及其應(yīng)用(論文提綱范文)
摘要 |
Abstract |
第1章 緒論 |
1.1 本課題研究背景及意義 |
1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及進(jìn)展 |
1.2.1 憶阻器模型 |
1.2.2 憶阻混沌振蕩電路 |
1.3 研究內(nèi)容與論文結(jié)構(gòu)安排 |
第2章 伏安域雙憶阻Shinriki振蕩器的動(dòng)力學(xué)分析 |
2.1 理想憶阻模型 |
2.1.1 等效憶阻模擬器 |
2.1.2 基本特性 |
2.2 伏安模型和基本特性分析 |
2.2.1 雙憶阻Shinriki振蕩器的數(shù)學(xué)建模 |
2.2.2 耗散性和對(duì)稱不變性 |
2.2.3 平衡點(diǎn)穩(wěn)定性分析 |
2.3 動(dòng)力學(xué)特性分析 |
2.3.1 分岔路徑和李氏指數(shù) |
2.3.2 聚合費(fèi)根鮑姆樹的反單調(diào)現(xiàn)象 |
2.3.3 關(guān)于雙憶阻初值的對(duì)稱特性 |
2.3.4 吸引子的非對(duì)稱共存行為 |
2.3.5 基于初始條件的極端多穩(wěn)定性 |
2.4 本章小結(jié) |
第3章 韋庫域雙憶阻Shinriki振蕩器的動(dòng)力學(xué)分析 |
3.1 雙憶阻Shinriki振蕩電路及其極端多穩(wěn)定性 |
3.1.1 電壓-電流關(guān)系模型 |
3.1.2 依賴憶阻初值的極端多穩(wěn)態(tài)特性 |
3.2 雙憶阻Shinriki振蕩電路韋庫域模型 |
3.2.1 磁控憶阻器模型的嚴(yán)格本構(gòu)關(guān)系 |
3.2.2 振蕩電路的增量磁通-電荷方程 |
3.2.3 平衡點(diǎn)穩(wěn)定性分析 |
3.3 動(dòng)力學(xué)特性分析 |
3.3.4 電路參數(shù)變化時(shí)的共存分岔現(xiàn)象 |
3.3.5 依賴無源磁控憶阻初值的不對(duì)稱分岔 |
3.3.6 韋庫域非線性元件初值的影響 |
3.3.7 有源磁控憶阻初值引發(fā)的動(dòng)力學(xué)行為 |
3.3.8 重構(gòu)極端多穩(wěn)態(tài) |
3.4 本章小結(jié) |
第4章 雙憶阻Shinriki振蕩器的電路實(shí)現(xiàn)及應(yīng)用 |
4.1 伏安域電路模型FPGA實(shí)現(xiàn) |
4.1.1 離散狀態(tài)方程 |
4.1.2 仿真模塊設(shè)計(jì) |
4.1.3 硬件實(shí)現(xiàn)結(jié)果 |
4.2 韋庫域電路模型Multisim實(shí)現(xiàn) |
4.2.1 構(gòu)建Multisim等效電路 |
4.2.2 硬件電路上的極端多穩(wěn)態(tài)控制 |
4.3 基于Shinriki振蕩器的彩色圖像加密平臺(tái) |
4.3.3 平臺(tái)簡介 |
4.3.4 加密流程 |
4.3.5 加密效果分析 |
4.4 本章小結(jié) |
第5章 總結(jié)與展望 |
5.1 全文總結(jié) |
5.2 未來研究展望 |
參考文獻(xiàn) |
攻讀碩士期間取得的科研成果及榮譽(yù) |
致謝 |
(9)新型憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)(論文提綱范文)
摘要 |
ABSTRACT |
第一章 緒論 |
1.1 研究背景及意義 |
1.2 憶阻器與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)國內(nèi)外研究現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢 |
1.2.1 憶阻器研究現(xiàn)狀 |
1.2.2 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)研究現(xiàn)狀 |
1.2.3 聯(lián)想記憶網(wǎng)絡(luò)研究現(xiàn)狀 |
1.3 本文主要研究內(nèi)容與結(jié)構(gòu)安排 |
第二章 憶阻器與憶容器建模 |
2.1 記憶器件理論 |
2.1.1 記憶器件的定義 |
2.1.2 記憶器件的特性 |
2.1.3 記憶器件的應(yīng)用 |
2.2 憶阻器模型 |
2.2.1 HPTiO_2憶阻器模型 |
2.2.2 窗函數(shù)憶阻器模型 |
2.3 憶容器模型 |
2.3.1 憶容器模型 |
2.3.2 荷控憶容器模型 |
2.3.3 對(duì)數(shù)型荷控憶容器模型 |
2.4 憶阻器與憶容器模型仿真與特性對(duì)比分析 |
2.5 本章小結(jié) |
第三章 基于憶阻器的與門、或門邏輯電路設(shè)計(jì) |
3.1 邏輯與門的實(shí)現(xiàn) |
3.1.1 與門電路設(shè)計(jì) |
3.1.2 或門電路設(shè)計(jì) |
3.2 本章小結(jié) |
第四章 憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模與人工突觸設(shè)計(jì) |
4.1 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ) |
4.1.1 生物神經(jīng)元基礎(chǔ) |
4.1.2 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型 |
4.1.3 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)種類與應(yīng)用 |
4.2 神經(jīng)元模型與突觸權(quán)重 |
4.2.1 神經(jīng)元模型 |
4.2.2 突觸可塑性 |
4.3 本章小結(jié) |
第五章 憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在聯(lián)想記憶中的應(yīng)用 |
5.1 聯(lián)想記憶的概念 |
5.1.1 聯(lián)想記憶類型 |
5.1.2 聯(lián)想記憶階段 |
5.2 憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)聯(lián)想記憶模型 |
5.2.1 情景介紹 |
5.2.2 憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)聯(lián)想記憶模型 |
5.3 電路設(shè)計(jì)與仿真分析 |
5.3.1 憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)與分析 |
5.3.2 電路仿真結(jié)果分析 |
5.3.3 憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢 |
5.4 本章小結(jié) |
第六章 總結(jié)與展望 |
6.1 工作總結(jié) |
6.2 研究展望 |
致謝 |
參考文獻(xiàn) |
附錄 |
四、Chua回路的一些仿真結(jié)果(論文參考文獻(xiàn))
- [1]電光反饋激光混沌通信系統(tǒng)安全性增強(qiáng)研究[D]. 白家琛. 北京郵電大學(xué), 2021(01)
- [2]一組等價(jià)蔡氏憶阻混沌電路的設(shè)計(jì)[J]. 徐影,陳菊芳. 吉林大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版), 2020(06)
- [3]基于連續(xù)型混沌脈寬調(diào)制的電力電子變換器電磁頻譜量化與性能分析方法研究[D]. 楊志昌. 北京交通大學(xué), 2020(03)
- [4]憶阻型混沌系統(tǒng)的建模、動(dòng)力學(xué)分析及其實(shí)現(xiàn)[D]. 鄧勇. 湘潭大學(xué), 2020(02)
- [5]輸出受約束系統(tǒng)的改進(jìn)自適應(yīng)動(dòng)態(tài)面控制[D]. 章智凱. 哈爾濱工業(yè)大學(xué), 2020(01)
- [6]基于FPGA憶阻混沌系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[D]. 徐影. 東北師范大學(xué), 2020(02)
- [7]基于雪崩效應(yīng)單光子憶阻器的原理與實(shí)驗(yàn)研究[D]. 彭博. 湘潭大學(xué), 2020(02)
- [8]雙憶阻Shinriki振蕩電路的極端多穩(wěn)定特性分析及其應(yīng)用[D]. 金秋森. 南京師范大學(xué), 2020(03)
- [9]新型憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)電路設(shè)計(jì)[D]. 王亞波. 杭州電子科技大學(xué), 2020(02)
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標(biāo)簽:電路仿真論文; 混沌現(xiàn)象論文; 反饋控制論文; 電力電子論文; 脈寬調(diào)制論文;