一、有機(jī)白光發(fā)光二極管研究進(jìn)展（論文文獻(xiàn)綜述）
朱毅[1]（2021）在《基于自陷域激子的金屬鹵化物發(fā)光二極管》文中指出可溶液加工的金屬鹵化物材料因其卓越的光電性能,正在成為顯示照明領(lǐng)域和能源生產(chǎn)中最有競爭力的核心材料之一。鈣鈦礦發(fā)光二極管（PeLED）近年來發(fā)展迅速,當(dāng)前性能最佳的PeLED基于鹵化鉛材料,但鉛毒性嚴(yán)重限制了它們的實(shí)際應(yīng)用。同時(shí)因?yàn)楦咂珘合禄旌消u化物鈣鈦礦中不可避免的鹵素離子分離現(xiàn)象,導(dǎo)致器件發(fā)光光譜易發(fā)生變化,具有白光發(fā)射的金屬鹵化物L(fēng)ED仍具有很大挑戰(zhàn)性。針對這一難點(diǎn),本文主要研究對象為基于自陷域激子的暖白光發(fā)射金屬鹵化物L(fēng)ED。具體來說,我們從空穴傳輸層、鈣鈦礦前驅(qū)體濃度、有機(jī)添加劑三個方面出發(fā),對基于非鉛金屬鹵化物CsCu2I3材料制備的LED進(jìn)行了器件性能優(yōu)化。其自陷域激子發(fā)射峰位于575nm,半峰寬為134nm,是暖白光發(fā)射。最終器件實(shí)現(xiàn)了0.47%的外量子效率,在4.6V的低電壓下達(dá)到了 484 cd/m2的最大亮度。顯示了這類可溶液加工的非鉛鹵化物類鈣鈦礦材料在白光LED器件方面的巨大應(yīng)用前景。另外我們還針對LED器件測試問題,在實(shí)驗(yàn)室搭建了兩套相關(guān)的LED效率測試系統(tǒng)。通過對制備的準(zhǔn)二維綠光PeLED進(jìn)行測試,證明了其能有效地完成LED的電學(xué)性能表征。經(jīng)過優(yōu)化的準(zhǔn)二維綠光PeLED器件實(shí)現(xiàn)了 7.1%的外量子效率和6800cd/m2的最大亮度。
楊慧芳[2]（2021）在《基于鄰苯二甲酰亞胺的有機(jī)單分子白光材料的合成與性能研究》文中指出近年來,有機(jī)單分子白光材料由于在照明、顯示、分子傳感器和探針等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊一直是發(fā)光材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。本論文系統(tǒng)地綜述了單分子有機(jī)白光材料的研究現(xiàn)狀,以及其在單摻雜白色有機(jī)電致發(fā)光器件（WOLEDs）領(lǐng)域中的應(yīng)用。針對當(dāng)前單分子有機(jī)電致白光材料存在分子體系少、分子設(shè)計(jì)困難和發(fā)光效率低等關(guān)鍵科學(xué)問題,本論文開展了基于鄰苯二甲酰亞胺的新型有機(jī)單分子白光材料的合成與性能研究。主要研究工作和結(jié)果如下:（1）設(shè)計(jì)合成了一系列具有非對稱D-A-π-A’結(jié)構(gòu)的有機(jī)單分子發(fā)光材料CNPL-PTZ、CNPL-PXZ和CNPL-tDPA。相關(guān)分子結(jié)構(gòu)特性表現(xiàn)在鄰苯二甲酰亞胺4-位引入不同取代基。研究結(jié)果表明:三種化合物均具有較好的熱穩(wěn)定性;化合物CNPL-PTZ和CNPL-tDPA分別具有明顯的聚集誘導(dǎo)發(fā)光（AIE）和聚集誘導(dǎo)發(fā)光增強(qiáng)（AIEE）特性;通過溶液濃度、溶液極性以及摻雜膜濃度的調(diào)控,CNPL-PTZ獲得了白光發(fā)射;另外發(fā)現(xiàn)化合物CNPL-PTZ具有明顯的多刺激響應(yīng)機(jī)械致變色發(fā)光（MCL）特性;基于CNPL-PTZ的摻雜蒸鍍器件獲得了最大外量子效率(EQEmax)為0.41%的暖白光發(fā)射。（2）設(shè)計(jì)合成了一系列具有非對稱結(jié)構(gòu)雙給體單元的D-A-π-D’型單分子發(fā)光材料CzPL-PTZ、CzPL-PXZ、CzPL-tDPA和CzPL-tTPA。相關(guān)分子結(jié)構(gòu)特性表現(xiàn)在鄰苯二甲酰亞胺N-位引入咔唑取代基,4-位引入具有不同給電子能力的取代基。研究結(jié)果表明:CzPL-tDPA和CzPL-tTPA都具有顯著的AIEE特性;通過溶液濃度、溶液極性以及摻雜膜濃度的調(diào)控,CzPL-PTZ有效實(shí)現(xiàn)了白光發(fā)射,相較于CNPL-PTZ,光譜均有所藍(lán)移;CzPL-PTZ和CzPL-tDPA均具有明顯的多刺激響應(yīng)MCL性能;基于CzPL-PTZ、CzPL-tDPA和CzPL-tTPA的單分子摻雜蒸鍍器件的EQEmax分別為0.77%、3.52%及8.14%,其中,基于CzPL-PTZ的摻雜器件獲得暖白光發(fā)射,CIE色坐標(biāo)為（0.36,0.42）。（3）設(shè)計(jì)合成了兩類具有非對稱的D-A-π-D’結(jié)構(gòu)的單分子發(fā)光材料3-CzPL-PTZ和3-CzPL-tDPA,相關(guān)分子結(jié)構(gòu)特性表現(xiàn)在鄰苯二甲酰亞胺3-位引入不同取代基。這類材料均具有很好的熱穩(wěn)定性能。然而由于D-A的扭曲過大,HOMO和LUMO的軌道重疊有限,相互作用受阻,導(dǎo)致3-CzPL-PTZ幾乎不發(fā)光以及3-CzPL-tDPA弱的紅移發(fā)光。
趙鳴[3]（2021）在《Eu2+摻雜UCr4C4型硅酸鹽發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與發(fā)光性能研究》文中研究表明以白光發(fā)光二極管（LED）為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體照明和液晶背光源顯示技術(shù)已經(jīng)覆蓋了社會的各個領(lǐng)域,與人們的生產(chǎn)生活緊密聯(lián)系在一起。近年來,人們對白光LED光源及相關(guān)器件的品質(zhì)化需求一直在不斷提升,并推進(jìn)了LED應(yīng)用相關(guān)材料與器件領(lǐng)域的基礎(chǔ)研究深度和廣度。在LED照明領(lǐng)域,全光譜照明是目前的研究熱點(diǎn),青色熒光粉和單一基質(zhì)白光熒光粉備受關(guān)注;在LED背光源顯示領(lǐng)域,亟待開發(fā)窄帶綠色熒光粉滿足廣色域顯示的需求。本研究以UCr4C4為結(jié)構(gòu)原型,基于不同的LED應(yīng)用導(dǎo)向,致力于研發(fā)發(fā)光特性差異化的高性能稀土熒光粉,具體分為以下幾個方面:（1）設(shè)計(jì)合成了一種UCr4C4型窄帶青色熒光粉NaK（Li3SiO4）2:Eu2+。該熒光粉在藍(lán)光LED芯片激發(fā)下,呈現(xiàn)486 nm的青光發(fā)射,半峰寬為20.7 nm。研究發(fā)現(xiàn),窄帶發(fā)射歸因于高致密的剛性結(jié)構(gòu)和高對稱性的陽離子格位。通過填補(bǔ)白光LED器件中藍(lán)光和黃光譜帶之間的青光缺失,該熒光粉可將白光LED的顯色指數(shù)從86提升至接近全光譜照明的95.2。進(jìn)一步通過陽離子取代策略,實(shí)現(xiàn)了窄帶青色熒光粉MNa2K（Li3SiO4）4:Eu2+（M=Rb、Cs）的光色精細(xì)調(diào)控,闡明了這兩種熒光粉發(fā)光峰位的歸屬,討論了堿金屬離子變化對發(fā)光性能和熱猝滅行為的影響。（2）設(shè)計(jì)合成了一種發(fā)光熱穩(wěn)定性優(yōu)異的UCr4C4型窄帶綠色熒光粉RbLi（Li3SiO4）2:Eu2+。在藍(lán)光激發(fā)下,該熒光粉呈現(xiàn)峰值為530 nm的綠光發(fā)射,半峰寬為42 nm,優(yōu)于商品化窄帶綠色熒光粉β-SiAlON。以RbLi（Li3SiO4）2:Eu2+作為綠色組元,可封裝得到高流明效率（97.28 1m·W-1）、廣色域（107%NTSC）的白光LED背光源器件。為了提升其穩(wěn)定性,還提出了一種結(jié)合原子層沉積Al2O3和十八烷基三甲氧基硅烷疏水改性的表面處理方案,構(gòu)建了雙殼保護(hù)層,可以顯著提升RbLi（Li3SiO4）2:Eu2+的耐濕性能。（3）設(shè)計(jì)合成了 UCr4C4型單一基質(zhì)白光熒光粉NaLi3Si1-xO4:Eu2+（0.15 ≤x≤0.25）。NaLi3SiO4:Eu2+呈現(xiàn) 469 nm 的窄帶藍(lán)光發(fā)射（FWHM=33 nm）,而Si含量減少15-25%的樣品呈現(xiàn)白光發(fā)射,發(fā)射峰位于472 nm（FWHM=40.5 nm）和585 nm（FWHM=162 nm）。研究發(fā)現(xiàn),窄帶藍(lán)光發(fā)射歸因于位于高對稱性Na格位Eu2+的5d→4f躍遷,而寬帶黃光發(fā)射來自缺陷誘導(dǎo)的電荷遷移發(fā)射,并具有斯托克斯位移大、壽命長等特征。該白光熒光粉可制作單組分白光LED器件,其顯色指數(shù)為82.9。
王詩藝[4]（2021）在《Mn基有機(jī)（CH6N3Cl）無機(jī)雜化金屬鹵化物的發(fā)光調(diào)控及其器件》文中提出近年來,有機(jī)無機(jī)雜化金屬鹵化物（類）鈣鈦礦材料通過有機(jī)小分子與無機(jī)分子的自組裝可以形成一種新的復(fù)合晶體材料。這種有機(jī)組分與無機(jī)組分的相互疊加結(jié)構(gòu),使其不僅具有無機(jī)組分的機(jī)械穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性和光電功能,還具有有機(jī)組分的柔性和可加工性,使其成為光功能材料與器件研究領(lǐng)域的一個新興熱點(diǎn)。因此,研究鹵化物鈣鈦礦發(fā)光材料的合成、發(fā)光增強(qiáng)機(jī)理和改善熱穩(wěn)定性,對于這類發(fā)光材料在白光LED照明和顯示等領(lǐng)域的拓展具有重要意義。在此,本論文主要圍繞幾種有機(jī)無機(jī)雜化Mn2+基金屬鹵化物發(fā)光材料開展研究,取得的研究成果如下:（1）采用機(jī)械化學(xué)法,合成了一種高效、熱穩(wěn)定的無鉛紅光Mn2+基有機(jī)無機(jī)雜化金屬鹵化物（CH6N3）2MnCl4在650 nm處表現(xiàn)出強(qiáng)烈的紅光發(fā)射,其PLQY為55.9%。得益于其獨(dú)特的鐵磁耦合三聚體[Mn3Cl12]6-線性鏈團(tuán)簇構(gòu)建的晶體結(jié)構(gòu),其在380K時(shí)的發(fā)光強(qiáng)度可維持在300 K（～RT）時(shí)的88.9%,表現(xiàn)出良好的抗熱猝滅性能。優(yōu)異的熱穩(wěn)定性歸因于相對較弱的電子-聲子耦合效應(yīng),Huang-Phys因子僅為2.65 meV。（2）采用機(jī)械化學(xué)法,合成了一種高效、熱穩(wěn)定的無鉛紅光Mn2+基有機(jī)無機(jī)雜化金屬鹵化物（CH6N3）2MnCl4:8%Zn2+,在650 nm處表現(xiàn)出強(qiáng)烈的紅光發(fā)射,這仍然得益于其獨(dú)特的鐵磁耦合三聚體[Mn3Cl12]6-線性鏈團(tuán)簇晶體結(jié)構(gòu)。摻入Zn2+并不會影響（CH6N3）2MnCl4的發(fā)光峰位,并且發(fā)光強(qiáng)度得到了一定程度的提高,發(fā)光效率也從55.9%提升至59%,這意味著Zn離子引入導(dǎo)致團(tuán)簇間距增加,增強(qiáng)了發(fā)光。隨著Zn2+摻雜濃度的增加,壽命變化不大,說明相鄰發(fā)光中心之間存在較弱的能量轉(zhuǎn)移。（CH6N3）2MnCl4:8%Zn2+還可以被商業(yè)藍(lán)光InGaN芯片有效激發(fā),由（CH6N3）2MnCl4:8%Zn2+制備的暖白光LED具有更好的電致發(fā)光（EL）性能,色溫（CCT）約為3900 K時(shí),其發(fā)光效率（LE）顯著提高至91.41 lm/W,顯色指數(shù)（CRI）達(dá)到93.7,具有良好的電致發(fā)光穩(wěn)定性,證明了（CH6N3）2MnCl4:8%Zn2+在WLED中的應(yīng)用潛力。（3）采用溶劑緩慢蒸發(fā)結(jié)晶法,合成了一種高效的紅光Mn2+有機(jī)無機(jī)雜化鹵化物（CH6N3）2MnCl4:4%Sb3+。摻入 Sb3+并不會影響（CH6N3）2MnCl4的發(fā)光峰位,顯著提高了（CH6N3）2MnCl4的發(fā)光強(qiáng)度,發(fā)光效率也從55.9%提升至65%。隨著Sb3+摻雜濃度增加,壽命從1.66 ms增長到1.70 ms。摻雜導(dǎo)致壽命變化不大,說明相鄰發(fā)光中心之間存在較弱的能量轉(zhuǎn)移。總的來說,Sb摻雜不會改變原有的材料性質(zhì),會使材料的發(fā)光性能得到進(jìn)一步提升。
洪峰[5]（2021）在《過渡金屬錳離子激活的紅色熒光粉的可控合成與發(fā)光性能》文中研究指明與傳統(tǒng)的白熾燈和熒光燈等人工光源相比,白光LEDs具有節(jié)能、方便、高效、長壽命和環(huán)保等特點(diǎn)。目前,獲得商業(yè)白光LEDs的主要方法是將Y3Al5O12:Ce3+黃色熒光粉與有機(jī)樹脂混合,然后將其封裝在In Ga N藍(lán)光芯片上。由于缺少紅光成分,所得白光LEDs的顯色指數(shù)低（CRI,Ra<80）和相對色溫高（CCT>5000 K）,呈冷白光發(fā)射,不適合應(yīng)用在家庭照明或背景顯示屏中。Mn4+激活的紅色熒光粉可以改善白光LEDs的光學(xué)性能,實(shí)現(xiàn)暖白光發(fā)射。由于Mn4+獨(dú)特的3d3電子構(gòu)型,所以基質(zhì)材料的晶體場環(huán)境對Mn4+的光致發(fā)光性能具有很大的影響。因此,探索具有不同物理化學(xué)性質(zhì)的基質(zhì)材料對Mn4+發(fā)光特性的影響具有重要的科學(xué)意義。然而,Mn4+激活的氟化物紅粉具有與有機(jī)樹脂不同的折射率、較差的水穩(wěn)定性和熒光顏色單一的問題,這很大程度上限制了熒光粉在某些特定照明領(lǐng)域中的應(yīng)用。本論文旨在合成Mn4+摻雜的不同基質(zhì)的紅色熒光粉,研究Mn4+在不同基質(zhì)材料中的發(fā)光特性,以及反應(yīng)條件對熒光粉結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能的影響,并且通過構(gòu)筑一維發(fā)光納米纖維膜和核殼結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)思想來改善Mn4+摻雜氟化物紅色熒光粉的性能,進(jìn)一步擴(kuò)寬其在暖白光LED中的應(yīng)用。主要研究內(nèi)容如下:1.采用水熱法和共沉淀法分別合成了Mn4+等價(jià)摻雜的Ba GeF6和K2GeF6兩種紅色熒光粉,詳細(xì)地研究了不同合成條件對所得樣品晶體結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能的影響。Ba GeF6:Mn4+和K2GeF6:Mn4+紅色熒光粉在近紫外光和藍(lán)光區(qū)域具有兩個寬而強(qiáng)的吸收帶,在藍(lán)光的激發(fā)下均呈現(xiàn)出強(qiáng)烈的紅光發(fā)射。Mn4+在Ba GeF6和K2GeF6基質(zhì)中的最佳摻雜濃度分別為2%和9%,濃度猝滅機(jī)理為偶極-偶極相互作用。此外,所合成的Ba GeF6:Mn4+和K2GeF6:Mn4+樣品均具有良好的熱穩(wěn)定性。使用Ba GeF6:Mn4+和K2GeF6:Mn4+熒光粉作為紅光成分與YAG:Ce3+黃色熒光粉和藍(lán)光In Ga N芯片進(jìn)行封裝,分別獲得了具有低色溫（4766 K,3882 K）、高顯色指數(shù)（Ra=86.3,90.4）、流明效率為67.57 lm/W和125.84 lm/W的暖白光LEDs。2.采用共沉淀法和水熱法合成了Mn4+非等價(jià)摻雜的冰晶石結(jié)構(gòu)的Na3Al F6和鉀冰晶石結(jié)構(gòu)的（NH4）2Na In F6紅色熒光粉。對比于共沉淀法,水熱處理優(yōu)化了兩種紅色熒光粉的形貌和發(fā)光強(qiáng)度。計(jì)算了Na3Al F6:Mn4+樣品的晶體場強(qiáng)度（Dq）、Racah參數(shù)（B和C）和電子云重排比參數(shù)β1。通過調(diào)整反應(yīng)條件系統(tǒng)地研究了Na3Al F6:Mn4+熒光粉的發(fā)光特性和形貌變化。詳細(xì)地分析了（NH4）2Na In F6:Mn4+紅色熒光粉的溫度猝滅機(jī)理。使用Na3Al F6:Mn4+和（NH4）2Na In F6:Mn4+紅色熒光粉與藍(lán)光芯片和黃色熒光粉YAG:Ce3+進(jìn)行封裝,分別獲得了具有低色溫（3472 K,3960 K）、高顯色指數(shù)（Ra=89.0,85.5）、高流明效率（117.72 lm/W,129 lm/W）的暖白光LEDs。3.使用共沉淀法制備了Ga3+摻雜的K2Li Al F6:Mn4+和Ge4+摻雜的Na2Si F6:Mn4+兩種紅色熒光粉。在藍(lán)光激發(fā)下,由K2Li Al0.4Ga0.6F6:0.04Mn4+和Na2Si0.5Ge0.5F6:0.06Mn4+兩種熒光粉發(fā)射出的紅光都具有高色純度和低相對色溫。發(fā)射峰中零聲子線強(qiáng)度的變化和發(fā)射峰的位移證明了K2Li Al1-yGayF6和Na2Si1-yGeyF6基質(zhì)中晶體場環(huán)境的變化。根據(jù)激發(fā)和發(fā)射峰能量分析了Mn4+在K2Li Al0.4Ga0.6F6和Na2Si0.5Ge0.5F6兩種基質(zhì)材料中的晶體場強(qiáng)度和電子云重排效應(yīng)。兩種紅色熒光粉K2Li Al0.4Ga0.6F6:0.04Mn4+和Na2Si0.5Ge0.5F6:0.06Mn4+均具有良好的熱穩(wěn)定性。另外,Na2Si0.5Ge0.5F6:0.06Mn4+紅色熒光粉還展現(xiàn)出優(yōu)異的疏水穩(wěn)定性。使用紅色熒光粉K2Li Al0.4Ga0.6F6:0.04Mn4+和Na2Si0.5Ge0.5F6:0.06Mn4+與藍(lán)光芯片和黃色熒光粉YAG:Ce3+進(jìn)行封裝,分別獲得了低色溫（3204 K,3408 K）、高顯色指數(shù)（88.1,89.4）和高流明效率（60.93 lm/W,112.89lm/W）的暖白光LEDs。4.采用共沉淀法制備了一系列不同形貌的Na2GeF6:Mn4+紅色熒光粉,詳細(xì)分析了不同表面活性劑對樣品形貌的影響,探索了Mn4+在Na2GeF6基質(zhì)中的最佳摻雜濃度和濃度猝滅機(jī)理。進(jìn)一步利用靜電紡絲技術(shù)制備了發(fā)射紅光的Na2GeF6:Mn4+納米纖維膜。在藍(lán)光的激發(fā)下,Na2GeF6:Mn4+顆粒和納米纖維膜的色純度分別達(dá)到了91.4%和80.9%。對比于Na2GeF6:Mn4+納米顆粒的發(fā)光強(qiáng)度,Na2GeF6:Mn4+納米纖維膜的發(fā)光強(qiáng)度略有降低。使用Na2GeF6:Mn4+納米纖維膜作為紅光成分可以獲得高效的暖白光LED,其色溫和顯色指數(shù)分別為2452 K和85。5.采用共沉淀法和水熱法合成了Ba GeF6:Mn4+@PPG-Na GdF4:Dy3+復(fù)合熒光粉。PPG作為吸附媒介層不僅可以將Na GdF4:Dy3+納米粒子與Ba GeF6:Mn4+熒光粉結(jié)合在一起,而且可以有效提高Ba GeF6:Mn4+樣品的發(fā)光強(qiáng)度,改善熒光粉的水穩(wěn)定性。詳細(xì)地討論了復(fù)合熒光粉Ba GeF6:Mn4+@PPG-Na GdF4:Dy3+的發(fā)光性能以及能量傳遞過程。在紫外光激發(fā)下,復(fù)合熒光粉實(shí)現(xiàn)了紅光、黃光和藍(lán)光的同時(shí)發(fā)射。通過改變激發(fā)波長和調(diào)整Mn4+與Dy3+的摻雜比例,復(fù)合熒光粉實(shí)現(xiàn)了多色可調(diào)發(fā)光。并且,復(fù)合熒光粉中存在著從Gd3+到Dy3+和Dy3+到Mn4+的能量轉(zhuǎn)移過程。
劉輝[6]（2021）在《高固態(tài)發(fā)光效率藍(lán)色熒光材料在白光有機(jī)發(fā)光二極管中的應(yīng)用研究》文中研究說明白光有機(jī)發(fā)光二極管（WOLEDs）因其高效率、低功耗、自發(fā)光、柔性等優(yōu)點(diǎn),在固態(tài)照明領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。熒光-磷光混合型WOLEDs,兼具熒光材料的低成本、穩(wěn)定性和磷光材料的高效率的特點(diǎn),被認(rèn)為是最理想的白光器件結(jié)構(gòu)。為了實(shí)現(xiàn)該類器件的大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用,需要進(jìn)一步通過材料創(chuàng)新和器件優(yōu)化等方法簡化器件結(jié)構(gòu)、提升器件效率、降低效率滾降、提高白光品質(zhì)?；旌闲蚖OLEDs中的關(guān)鍵因素是藍(lán)色熒光材料。藍(lán)光材料的性質(zhì)例如三線態(tài)能級,固態(tài)發(fā)光效率會直接影響器件結(jié)構(gòu)和性能。本論文以高固態(tài)發(fā)光效率藍(lán)色熒光材料為研究對象,開展了熒光-磷光混合型WOLEDs的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和性能研究,致力于在簡單的器件結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)高效率、低滾降、高品質(zhì)的白光發(fā)射。主要的工作如下:1.藍(lán)色熒光分子在聚集態(tài)下通常會發(fā)生熒光淬滅和光譜紅移,需要采用摻雜技術(shù)制備器件,使得藍(lán)光OLEDs和WOLEDs的結(jié)構(gòu)復(fù)雜化,并常伴隨著較大的效率滾降。針對這些問題,我們在經(jīng)典藍(lán)光基團(tuán)蒽的9,10位連接聚集誘導(dǎo)發(fā)光（AIE）基團(tuán)四苯乙烯和具有扭曲構(gòu)型的三苯胺基團(tuán),得到了AIE分子TPAATPE。它在非摻雜薄膜中的發(fā)光效率可達(dá)82%。其非摻雜器件實(shí)現(xiàn)了純藍(lán)光發(fā)射,色坐標(biāo)為（0.15,0.16）,最大外量子效率為6.97%。進(jìn)一步采用TPAATPE的非摻雜藍(lán)光層,雙極性的熱活化延遲熒光（TADF）材料PTZ-B作為磷光染料的主體,得到結(jié)構(gòu)相對簡單的白光器件。當(dāng)PTZ-B作為橙色磷光分子PO-01的主體時(shí),雙色白光器件實(shí)現(xiàn)了高效的暖白光發(fā)射,色坐標(biāo)為（0.44,0.44）,最大功率效率和外量子效率達(dá)69.5 lm W-1和25.2%。為了提高顯色指數(shù),通過使PTZ-B發(fā)揮紅色磷光Ir（piq）3主體和自身綠光發(fā)射的雙重作用,得到了三色白光器件,其顯色指數(shù)可達(dá)92,色坐標(biāo)為（0.34,0.38）,最大外量子效率和功率效率達(dá)25.3%和47.3lm W-1。該工作為利用具有低三線態(tài)能級的藍(lán)色熒光材料,制備高顯色指數(shù)的混合型WOLEDs提供了新的思路。2.具有高三線態(tài)能級的藍(lán)光材料用于混合型白光器件時(shí),不僅能夠提供藍(lán)光組分,還可以作為磷光染料的主體,從而簡化器件結(jié)構(gòu)。除了高的三線態(tài)能級外,藍(lán)色熒光材料還需要具有高的熒光效率、雙極性傳輸性質(zhì)以及良好的磷光主體性能。我們選擇了兩個具有高固態(tài)發(fā)光效率的菲并咪唑衍生物PPPIS和PPIDPS作為混合型WOLEDs中藍(lán)光發(fā)射的主體。PPPIS和PPIDPS具有相似的分子結(jié)構(gòu),但是硫的不同氧化態(tài)使兩個分子表現(xiàn)出不同的光物理性質(zhì)。PPPIS具有弱電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)性質(zhì),表現(xiàn)為深藍(lán)光發(fā)射,而PPIDPS由于硫的氧化使其電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)性質(zhì)明顯增強(qiáng),光譜紅移到了天藍(lán)光區(qū)域。以PPPIS為藍(lán)光發(fā)射主體的WOLED表現(xiàn)出更好的器件效果,最大功率效率和外量子效率分別為80.1lm W-1和27.2%。在亮度為1000 cd m-2時(shí),外量子效率仍然能夠保持在22.1%。3.我們對同樣具有弱電荷轉(zhuǎn)移激發(fā)態(tài)性質(zhì)的菲并咪唑-聯(lián)苯（PPIM）分子的器件性能進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。PPIM的非摻雜藍(lán)光器件能夠?qū)崿F(xiàn)7.8%的外量子效率,色坐標(biāo)為（0.153,0.068）。當(dāng)其作為磷光染料的主體時(shí),綠、橙和紅光磷光器件的最大外量子效率分別能達(dá)到23.5%、30.8%和22.4%。在此基礎(chǔ)上,雙色（藍(lán)-橙）白光器件最高可以實(shí)現(xiàn)28.5%的外量子效率和82.8 lm W-1的功率效率,并且在1000 cd m-2的亮度時(shí),器件的外量子效率和功率效率仍然能保持在27.9%和70.3 lm W-1,效率幾乎沒有滾降。另外,通過在PPIM和PTZ-B層中低濃度摻雜紅色磷光Ir（piq）3,三色白光器件實(shí)現(xiàn)了93的顯色指數(shù)和24.2%的外量子效率。最后,與模型化合物對比發(fā)現(xiàn),在菲并咪唑-苯（PPI）橫軸位置上增加苯環(huán)能夠使分子具有弱電荷轉(zhuǎn)移態(tài)性質(zhì),提高發(fā)光效率,改善器件性能。4.芘并咪唑衍生物的非摻雜器件具有高亮度、高效率、低滾降的特點(diǎn),但是由于大的π共軛平面,其電致發(fā)光光譜往往表現(xiàn)為天藍(lán)光發(fā)射。借鑒第四章的工作,我們同樣在芘并咪唑-苯的橫軸位置上增加苯環(huán),得到了芘并咪唑-聯(lián)苯（PPy IM）分子。它在非摻雜薄膜中發(fā)光效率可達(dá)73.3%。其非摻雜器件能實(shí)現(xiàn)純藍(lán)光發(fā)射,色坐標(biāo)為（0.160,0.128）,最大外量子效率為7.6%,在5000 cd m-2的高亮度時(shí),外量子效率仍然能達(dá)到7.2%,表現(xiàn)出很低的效率滾降。通過采用PPy IM的非摻雜藍(lán)光層,以及PPIM作為PO-01的主體,實(shí)現(xiàn)了高效率、低滾降的WOLEDs。器件外量子效率和功率效率的最大值分別為23.5%和51.5 lm W-1。即使在5000 cd m-2的高亮度時(shí),外量子效率仍然能夠達(dá)到21.2%,僅有8%的效率滾降。而且,雙發(fā)光層器件表現(xiàn)出很穩(wěn)定的暖白光發(fā)射,1000 cd m-2亮度時(shí)的色坐標(biāo)為（0.454,0.439）,在400 cd m-2到10000 cd m-2亮度范圍內(nèi)色坐標(biāo)變化值只有（0.004,0.003）。
孟德峰[7]（2021）在《氧化鋅納米結(jié)構(gòu)電致白光發(fā)光器件研究》文中提出白光發(fā)光二極管（White LED）由于使用壽命長、響應(yīng)速度快、發(fā)光性能穩(wěn)定,誕生以來就被認(rèn)為是有發(fā)展前景的固態(tài)照明新方案。目前,白光器件的發(fā)展受限于半導(dǎo)體材料以及復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu),制備成本低廉、效率較高、結(jié)構(gòu)簡單的白光發(fā)光二極管具有很大的挑戰(zhàn)性。隨著納米材料研究的深入,單一半導(dǎo)體納米材料電致發(fā)光可以作為實(shí)現(xiàn)白光發(fā)光二極管的一種途徑,實(shí)現(xiàn)該技術(shù)的關(guān)鍵是要求半導(dǎo)體材料具有包含整個可見光區(qū)域的發(fā)射光。氧化鋅（ZnO）作為直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體,禁帶寬度為3.37e V,常溫下激子結(jié)合能約為60me V,使得氧化鋅在室溫下就存在著有效的激子發(fā)射,這就為研發(fā)氧化鋅納米結(jié)構(gòu)電致發(fā)光器件提供了理論基礎(chǔ)。氧化鋅納米材料由于其可調(diào)控的可見光發(fā)射使得氧化鋅納米結(jié)構(gòu)電致發(fā)光器件可以成為白光發(fā)光二極管的實(shí)現(xiàn)途徑。本文基于氧化鋅納米結(jié)構(gòu)制備了相應(yīng)的電致發(fā)光器件,并實(shí)現(xiàn)了器件的藍(lán)光-冷白光發(fā)射,氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的白光電致發(fā)光器件有著使用壽命長、化學(xué)穩(wěn)定性高等特點(diǎn),擴(kuò)展了實(shí)現(xiàn)白光發(fā)光二極管的途徑。主要研究內(nèi)容為:通過水熱法合成氧化鋅納米棒（ZnO NRs）以及通過溶膠-凝膠法合成氧化鋅量子點(diǎn)（ZnO QDs）,并利用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀對氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的微觀形貌以及晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征,通過分別改變這兩種氧化鋅納米結(jié)構(gòu)的生長參數(shù),從中選取滿足實(shí)驗(yàn)要求的氧化鋅納米結(jié)構(gòu)制備電致發(fā)光器件;然后基于這兩種典型的氧化鋅納米結(jié)構(gòu)分別制備了氧化鋅納米棒發(fā)光二極管和氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光二極管,并且實(shí)現(xiàn)了氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光二極管的藍(lán)光-冷白光發(fā)射。最后通過對器件電學(xué)性能和光學(xué)性能進(jìn)行表征,對比分析氧化鋅納米結(jié)構(gòu)光致發(fā)光譜和其對應(yīng)器件電致發(fā)光性能,綜合探究了氧化鋅納米結(jié)構(gòu)電致發(fā)光器件發(fā)光機(jī)理,展現(xiàn)了氧化鋅納米結(jié)構(gòu)在白光發(fā)光二極管領(lǐng)域的應(yīng)用前景,擴(kuò)展了白光發(fā)光二極管的實(shí)現(xiàn)途徑。
李月蘭[8]（2021）在《Mn4+摻雜氟化物紅光熒光粉的表面改性及其耐熱、耐水性研究》文中指出能被藍(lán)光（～450 nm）激發(fā)的Mn4+摻雜氟化物紅光熒光粉,在630 nm左右有強(qiáng)烈的窄帶紅光發(fā)射光譜,具有在室溫下具有較高的熒光量子效率等諸多優(yōu)點(diǎn),因此得到了極大的關(guān)注,可用于改良白光LED的顯色性能,并應(yīng)用于照明以及液晶顯示背光源等領(lǐng)域。然而,Mn4+摻雜氟化物熒光粉在實(shí)際應(yīng)用中還有一些關(guān)鍵問題亟待解決:（1）此類紅光熒光粉與黃光熒光粉(YAG:Ce3+)質(zhì)量配比約為3:1-5.5:1,說明紅光熒光粉發(fā)光強(qiáng)度較黃光熒光粉低;（2）在白光LED的工作溫度（160-180℃）下發(fā)光強(qiáng)度會急劇降低至室溫時(shí)初始值的50-70%,導(dǎo)致發(fā)光衰減;（3）此類紅光熒光粉耐潮濕性能欠佳,在潮濕的環(huán)境下極易水解并導(dǎo)致LED器件失效。因此,設(shè)計(jì)合成發(fā)光強(qiáng)度、耐熱性和耐潮性三項(xiàng)性能皆高的Mn4+摻雜氟化物紅光熒光粉,具有巨大的應(yīng)用價(jià)值和學(xué)術(shù)價(jià)值。本論文基于以上調(diào)研的內(nèi)容來開展相應(yīng)的研究,取得的主要結(jié)論如下:1.用新穎的單包覆法合成得到熒光強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性同時(shí)得到有效提高的兩種單包覆熒光粉(K2Si F6:0.06Mn4+@Cl-GQDs 8 mg/mol（Cl-GQDs:氯基化石墨烯量子點(diǎn)）和K2Si F6:0.06Mn4+@0.10K2Si F6)。先用無H2O2水熱法合成K2Si F6:Mn4+,然后對其進(jìn)行表面單包覆改性合成得到最佳單包覆樣品。用熒光光譜等現(xiàn)代測試手段對樣品進(jìn)行了表征測試。由測試結(jié)果獲悉:（1）GQDs包覆后樣品的熒光強(qiáng)度和熱穩(wěn)定性得到了明顯提高:（1）包覆樣品熒光積分強(qiáng)度是未包覆樣品的4.60倍,QYi為98.93%;（2）發(fā)光熱穩(wěn)定性的主要表現(xiàn)是,在180、240℃時(shí)的PL（發(fā)射光譜）積分強(qiáng)度分別是30℃時(shí)初始值的282.9、135.4%。（2）K2Si F6包覆后樣品的熒光強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性及耐水性三項(xiàng)同時(shí)明顯得到提高,這是文獻(xiàn)所未曾報(bào)道過的:（1）包覆樣品的PL積分強(qiáng)度是未包覆樣品的1.45倍,且QYi高達(dá)到98.03%;（2）在120、150、180、210℃時(shí)包覆樣品的PL積分強(qiáng)度分別為30℃時(shí)初始值的176、198、214、213%;（3）在水中浸泡5 h后,包覆樣品的PL積分強(qiáng)度仍保持浸泡前初始強(qiáng)度的88%。（3）兩個單包覆樣品發(fā)光熱穩(wěn)定性的增強(qiáng)是由負(fù)熱猝滅效應(yīng)所支撐的,該效應(yīng)的機(jī)理宏觀上被我們歸屬為熱光能量轉(zhuǎn)換機(jī)理。（4）無H2O2法合成避免了劇烈的、難以工業(yè)化應(yīng)用的氧化還原反應(yīng),因此具有很好的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。（5）兩個最佳樣品為紅光熒光粉組裝的原型WLEDs在20m A驅(qū)動電流下其發(fā)光性能如下:（1）GQDs最佳包覆樣品所對應(yīng)的白光是發(fā)光效率為102 lm W-1,CCT=4316 K,Ra=86.2,R9=80.1的暖白光;（2）K2Si F6最佳包覆樣品所對應(yīng)的白光是發(fā)光效率為100.5 lm W-1,相關(guān)的色溫（CCT）為3326 K,顯色指數(shù)（Ra）為91.3的暖白光。結(jié)果表明,兩種最佳單包覆樣品在基于藍(lán)光激發(fā)的大功率暖白光WLEDs中具有很好的商業(yè)應(yīng)用前景。2.用新穎的雙重包覆法合成得到熒光強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性和耐水性三項(xiàng)性能同時(shí)得到有效提高的兩種新型的、雙重包覆熒光粉(K2Ti F6:0.04Mn4+@GQDs 4mg/mol@0.43K2Ti F6（iii）,K2Si F6:0.02Mn4+@GQDs6mg/mol@0.10K2Si F6（vi）):（1）樣品（iii）和（vi）在水中浸泡300 min后,PL積分強(qiáng)度仍分別為初始發(fā)射強(qiáng)度的90.69和96.20%,說明樣品具有良好的耐水性。（2）樣品（iii）和（vi）在150℃時(shí)的PL積分強(qiáng)度分別為30℃時(shí)初始值的187.9和238.14%,說明樣品具有良好的發(fā)光熱穩(wěn)定性。（3）（1）樣品（iii）和（vi）的QY分別高達(dá)到99.93和93.61%;（2）樣品（iii）和（vi）的PL積分強(qiáng)度分別是未包覆對照樣品的2.46和1.55倍。（4）此外,以樣品（iii）和（vi）為紅光熒光粉組裝的原型WLEDs,在20 m A的驅(qū)動電流下的發(fā)光性能為:（1）發(fā)光效率分別是101.3和102.3 lm W-1;（2）相關(guān)的色溫（CCT）分別為3826和3232 K;（3）顯色指數(shù)（Ra）分別為90.2和92.5。這種通過雙重包覆合成熒光粉的方法可以擴(kuò)展到其他發(fā)光材料,且為工業(yè)化設(shè)計(jì)合成發(fā)光強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性及耐水性三項(xiàng)性能都高的Mn4+摻雜氟化物紅光熒光粉提供了新的思路和新的方法。3.用新穎的雙重包覆法合成得到熒光強(qiáng)度和耐水性兩項(xiàng)性能同時(shí)得到有效提高的一種新型的雙重包覆熒光粉(K3Zr F7:0.04Mn4+@GQDs 6mg/mol@0.74K2Si F6),該熒光粉的發(fā)光性能如下:（1）在水中浸泡300 min后,PL積分強(qiáng)度仍為初始強(qiáng)度的96.84%,說明樣品具有良好的耐水性;（2）在120、150、180℃時(shí)的PL積分強(qiáng)度分別為30℃時(shí)初始值的85.2、77.5、75.6%,說明樣品的發(fā)光熱穩(wěn)定性有待進(jìn)一步的提高;（3）熒光強(qiáng)度和QY均有所提高。（1）QY由未包覆樣品的45.15%提高到包覆樣品的47.44%;說明樣品的QY有待進(jìn)一步的提高;（2）PL積分強(qiáng)度是未包覆樣品的2.23倍。（4）以最佳樣品為紅光熒光粉制備的WLEDs,在驅(qū)動電流為20 m A時(shí),發(fā)光效率高達(dá)102 lm W-1,CCT為3744 K,顯色指數(shù)（Ra）為93.8。該WLEDs發(fā)出的白光是暖白光。
房媛媛[9]（2021）在《Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦晶體的壓力誘導(dǎo)發(fā)光增強(qiáng)研究》文中研究指明有機(jī)無機(jī)雜化鈣鈦礦材料作為一種新型光電材料,因其優(yōu)異的光電性能,在光伏、發(fā)光二極管、探測器和激光等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。通過降低鈣鈦礦材料中無機(jī)組分的維度,不僅能夠有效提高材料的穩(wěn)定性,還可以豐富晶體結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu)的可調(diào)諧性。特別是二維鈣鈦礦材料,有著優(yōu)越的穩(wěn)定性和優(yōu)良的光物理特性,近年來成為鈣鈦礦材料領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦晶體材料是二維鈣鈦礦體系中最典型的一類,單層無機(jī)骨架被雙層帶有疏水取代基的大尺寸有機(jī)陽離子分隔,結(jié)構(gòu)上具有較強(qiáng)的量子限域特性、較高的穩(wěn)定性和較大的可調(diào)控性,使其受到了科研人員的廣泛關(guān)注。然而,這類材料中的間隔陽離子會在二維鈣鈦礦中形成絕緣層,阻礙載流子的傳輸,導(dǎo)致熒光量子產(chǎn)率低并制約了二維鈣鈦礦光電器件的效率提升。因此深入研究晶體結(jié)構(gòu)與發(fā)光行為之間的內(nèi)在聯(lián)系并有效調(diào)控其發(fā)光性能已經(jīng)成為Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦材料研究領(lǐng)域亟待解決的關(guān)鍵科學(xué)問題。作為一個獨(dú)立的熱力學(xué)參量,壓力為物質(zhì)調(diào)控提供了一個全新的維度,可以在不改變化學(xué)組分的前提下對材料的晶體結(jié)構(gòu)、電子結(jié)構(gòu)以及物理性質(zhì)進(jìn)行有效的調(diào)節(jié),在發(fā)現(xiàn)新現(xiàn)象、闡釋新機(jī)理、制備新材料等方面都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。本文選取了三個代表性Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦材料作為研究對象,包括常壓下本征發(fā)光的（ETA）2Pb I4、自陷態(tài)發(fā)光的（2mpt H2）Pb Cl4以及不發(fā)光的環(huán)境友好型雙鈣鈦礦（BA）4Ag Bi Br8,利用多種原位高壓測試手段以及第一性原理計(jì)算等方法,從不同發(fā)光機(jī)制入手研究高壓下的發(fā)光行為,嘗試調(diào)控Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦材料的發(fā)光性質(zhì),加深對這類材料“結(jié)構(gòu)-性質(zhì)”相互關(guān)系理解的廣度和深度。本文的研究結(jié)果將會進(jìn)一步拓展這類材料的研究領(lǐng)域和應(yīng)用范疇,為獲得具有高效熒光性能的Ruddlesden-Popper型二維鈣鈦礦材料提供新思路,對推動二維鈣鈦礦材料作為新型雜化功能材料在太陽能電池、發(fā)光二極管、壓力傳感器等方面的應(yīng)用提供科學(xué)參考。（1）首先采用實(shí)驗(yàn)與計(jì)算相結(jié)合的方法對常壓下本征自由激子發(fā)光的（ETA）2Pb I4（ETA+=[（HO）（CH2）2NH3]+）進(jìn)行了系統(tǒng)的高壓研究。在小于1.5 GPa的低壓力范圍內(nèi),熒光光譜表現(xiàn)出了明顯的強(qiáng)度增加并伴隨著峰位對稱性的提高,這是由二維鈣鈦礦獨(dú)特的量子阱結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的。常壓條件下,大體積的有機(jī)陽離子會讓無機(jī)晶格嚴(yán)重扭曲,強(qiáng)烈的激子-聲子耦合會形成過多的束縛激子,束縛激子的輻射復(fù)合與無輻射躍遷會導(dǎo)致自由激子熒光的減弱并且有低能量區(qū)帶尾的出現(xiàn)。在低壓力區(qū),晶格在機(jī)陽離子保護(hù)下規(guī)則收縮,使聲子硬化,從而降低了激子-聲子相互作用,抑制了激子缺陷的產(chǎn)生,大幅減小非輻射復(fù)合途徑,從而提升其低壓力區(qū)自由激子態(tài)的發(fā)光效率,實(shí)現(xiàn)了壓力誘導(dǎo)的自由激子熒光增強(qiáng)。與此同時(shí),壓力作用下無機(jī)八面體[Pb I6]4-結(jié)構(gòu)單元的明顯變形（Pb-I鍵長的顯著減小和Pb-I1-Pb鍵角的緩慢收縮）提高了金屬鹵素原子軌道的耦合,從而導(dǎo)致了在10.0 GPa壓力范圍內(nèi)帶隙的窄化和明顯的壓制變色特性。該研究結(jié)果表明（ETA）2Pb I4晶體具有良好的壓力響應(yīng)性質(zhì),在壓力光纖傳感器和光伏等領(lǐng)域具有潛在應(yīng)用價(jià)值。（2）進(jìn)一步對常壓下非本征自陷態(tài)發(fā)光的（2mept H2）Pb Cl4(2mept H22+=[CH3（CH2）4CH（NH3）2]2+)晶體進(jìn)行了系統(tǒng)的高壓實(shí)驗(yàn)。常壓下只有微弱熒光的樣品在2.1 GPa的壓力作用下出現(xiàn)了大幅度的熒光增強(qiáng),并在更高壓力作用下熒光強(qiáng)度持續(xù)增強(qiáng)直到9.9 GPa。（2mept H2）Pb Cl4材料具有天然量子阱的層狀結(jié)構(gòu),為形成局域化的自陷態(tài)激子提供了基礎(chǔ)。由于晶格的扭曲程度相對較小,且具有較低的電子-聲子耦合能,因此該樣品常壓下的自陷態(tài)熒光微弱。當(dāng)壓力達(dá)到2.1GPa時(shí),樣品體積沿著有機(jī)層方向出現(xiàn)了明顯塌縮,晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)的扭曲程度加劇,引起了自陷態(tài)發(fā)光效率的提升和熒光強(qiáng)度的大幅增加。通過理論計(jì)算模擬,對其微觀結(jié)構(gòu)、自陷態(tài)激子的輻射和非輻射復(fù)合等行為進(jìn)行了分析。計(jì)算結(jié)果表明2.1GPa-9.9 GPa范圍內(nèi)的壓力對非輻射損失產(chǎn)生了抑制作用并促進(jìn)了輻射復(fù)合,使得樣品的熒光強(qiáng)度提高了190倍以上。因此,高壓下通過調(diào)節(jié)自陷態(tài)激子的結(jié)合能和量子阱結(jié)構(gòu)產(chǎn)生高度局域化的激子,減少缺陷和聲子的散射,可以有效地促進(jìn)自陷態(tài)激子發(fā)光。同時(shí),通過壓力對樣品熒光顏色的的調(diào)控,使其始終發(fā)射“暖”白光。該工作不僅發(fā)現(xiàn)了壓力可以有效調(diào)控二維金屬鹵化物中的自陷態(tài)激子行為,提升其發(fā)光性能并調(diào)控白光色溫,而且對自陷態(tài)激子的壓力誘導(dǎo)發(fā)光增強(qiáng)提供了量化分析并闡述了微觀機(jī)制。（3）最后對常壓下不發(fā)光的環(huán)境友好型（BA）4Ag Bi Br8（BA=[CH3（CH2）3NH3]+）樣品進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)與計(jì)算相結(jié)合的系統(tǒng)高壓研究。常壓下不發(fā)光的樣品在2.5 GPa時(shí)突然出現(xiàn)了明顯熒光峰,將壓力誘導(dǎo)發(fā)光（pressure-induced emission,PIE）的概念擴(kuò)展到了二維雙鈣鈦礦體系。具有大斯托克斯位移的寬頻帶發(fā)射證明該熒光來源于自陷態(tài)激子的輻射復(fù)合發(fā)光。原位高壓同步輻射X射線衍射以及原位高壓紅外吸收光譜證實(shí)了在2.5 GPa時(shí)（BA）4Ag Bi Br8晶體經(jīng)歷了單斜相中C2/m向P21/c的結(jié)構(gòu)相變。相變過程中,相鄰[Ag Br6]5-和[Bi Br6]3-無機(jī)八面體之間的旋轉(zhuǎn)扭曲使高壓結(jié)構(gòu)具有更高的去自陷活化能以及較強(qiáng)的自陷態(tài)激子結(jié)合能,這導(dǎo)致了熒光峰的出現(xiàn)。隨著壓力的進(jìn)一步提升,無機(jī)八面體的結(jié)構(gòu)嚴(yán)重扭曲提高了自陷態(tài)激子活化能,減小了晶格弛豫能,導(dǎo)致了熒光峰強(qiáng)度的增加和峰位的藍(lán)移。第一性原理計(jì)算的帶隙與電子結(jié)構(gòu)證明了在加壓的過程中,Ⅰ相中帶隙的緩慢減小主要是由于相鄰無機(jī)八面體之間的Ag-Br1-Bi鍵角的扭曲造成的,而MBr6八面體的收縮導(dǎo)致的Bi-Br1和Ag-Br1鍵長的顯著減小是Ⅱ相中帶隙快速減小的主要原因。該研究結(jié)果不僅證明了高壓下晶體結(jié)構(gòu)變化與光學(xué)性能調(diào)控之間的密切關(guān)系,更為環(huán)境友好型二維雙鈣鈦礦材料的光學(xué)性能改善提供了重要的參考。
李飛雁[10]（2021）在《白光有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理研究及分子設(shè)計(jì)》文中研究表明白光有機(jī)發(fā)光二極管（White Organic Light-Emitting Diodes,WOLEDs）由于其在顯示器件、固態(tài)照明和分子傳感器等方面的應(yīng)用潛力而受到人們的廣泛關(guān)注。為了盡可能覆蓋可見光區(qū)域（380-780 nm）,實(shí)現(xiàn)WOLEDs的典型方式是由基于兩互補(bǔ)色（藍(lán)橙或藍(lán)黃）或者三原色（藍(lán)綠紅）的發(fā)光體組成。而由于發(fā)光材料的發(fā)射光譜相對較窄,這使得大部分WOLEDs通常由多個發(fā)光材料的疊層器件構(gòu)成,這就導(dǎo)致了WOLEDs存在光色不穩(wěn)定、制作工藝復(fù)雜和生產(chǎn)成本較高等問題,而具有雙發(fā)射特性的單組分白光材料能夠有效解決這一問題。這種新型白光材料存在藍(lán)色瞬時(shí)熒光（Prompt Fluorescence,PF）和橙色（或黃色）熱活化延遲熒光（Thermally Activated Delayed Fluorescence,TADF）之間的可逆轉(zhuǎn)換行為,發(fā)射光譜的半峰全寬覆蓋范圍達(dá)150 nm,因此它們發(fā)出的兩個波段的波長能夠覆蓋可見光區(qū)域。TADF材料往往具有較小的第一單重激發(fā)態(tài)（First Single Excited State,S1）和第一三重激發(fā)態(tài)（First Triplet Excited State,T1）能差,使得三重態(tài)激子能有效地上轉(zhuǎn)換為單重態(tài)激子,從而實(shí)現(xiàn)100%的激子利用率。由于目前發(fā)現(xiàn)的TADF白光材料的數(shù)量還十分有限,在WOLEDs上的應(yīng)用也較少,其發(fā)光機(jī)制還不夠清楚。因此,在理論上研究白光有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光材料的發(fā)光機(jī)制并設(shè)計(jì)出有效的白光TADF分子具有十分重要的意義。本論文基于第一性原理計(jì)算研究了甲苯溶液和聚集態(tài)中一系列TADF分子的發(fā)光性質(zhì),并對TADF分子進(jìn)行了理論設(shè)計(jì)。通過計(jì)算勢能曲線和衰減速率,研究了TADF分子的雙色轉(zhuǎn)換過程及發(fā)光機(jī)制;通過研究給體對基態(tài)和激發(fā)態(tài)構(gòu)象的影響,對具有單構(gòu)象和雙構(gòu)象的給體進(jìn)行了分類,揭示了給體的取代效應(yīng)對發(fā)光性能的影響;通過理論設(shè)計(jì)TADF分子,對具有潛在應(yīng)用前景的白光TADF分子進(jìn)行了預(yù)測。本論文的主要研究工作如下:（1）白光有機(jī)發(fā)光二極管中延遲熒光機(jī)理研究及分子給體設(shè)計(jì)。該工作選取PTZ-TTR和PTZ-Ph-TTR為研究對象,發(fā)現(xiàn)分子具有兩種構(gòu)象,通過發(fā)光顏色互補(bǔ)實(shí)現(xiàn)白光發(fā)射。PTZ-TTR在基態(tài)時(shí)更容易以準(zhǔn)軸向（quasi-axial,ax）構(gòu)象穩(wěn)定存在,這導(dǎo)致準(zhǔn)赤道（quasi-equatorial,eq）構(gòu)象的激發(fā)態(tài)只能由準(zhǔn)軸向構(gòu)象的激發(fā)態(tài)變換得到,因而產(chǎn)生相對較弱的橙光。PTZ-Ph-TTR在基態(tài)時(shí)可以穩(wěn)定存在兩種構(gòu)象,因此準(zhǔn)赤道構(gòu)象的橙光發(fā)射可以通過直接激發(fā)或激發(fā)態(tài)下準(zhǔn)軸向構(gòu)象變換產(chǎn)生。結(jié)果表明,T1到S1的上轉(zhuǎn)換可以在準(zhǔn)赤道構(gòu)象中實(shí)現(xiàn),也可以在構(gòu)象轉(zhuǎn)換過程中發(fā)生。另外,通過比較甲苯溶液和聚集態(tài)中PTZ-TTR的發(fā)射特性,揭示了環(huán)境效應(yīng)。此外,研究了給體的取代效應(yīng)對發(fā)光性能的影響,發(fā)現(xiàn)具有六元雜環(huán)化合物的給體傾向于發(fā)出雙發(fā)射,具有強(qiáng)供電子能力的給體有利于實(shí)現(xiàn)WOLEDs所需的補(bǔ)償性發(fā)射。此外,基于TTR受體設(shè)計(jì)了一系列具有不同給體的TADF分子,并發(fā)現(xiàn)DMAC-t Bu-TTR和PXZ-Ph-TTR是WOLEDs中的潛在白光材料。（2）基于熱活化延遲熒光的白光分子設(shè)計(jì)。該工作從理論層面設(shè)計(jì)了一系列TADF分子,同時(shí)系統(tǒng)研究了三個具有可逆雙色轉(zhuǎn)換行為的白光TADF分子（包括PTZ-BP、FCO-Cz S和PTZ-BPN）的發(fā)光性質(zhì)。通過計(jì)算幾何結(jié)構(gòu)、勢能曲線和衰變速率,研究了甲苯溶液中三種白光TADF分子的發(fā)光機(jī)理,發(fā)現(xiàn)準(zhǔn)軸向構(gòu)象是藍(lán)色PF的主要來源,準(zhǔn)赤道構(gòu)象發(fā)射橙色TADF,并提出了三種上轉(zhuǎn)換機(jī)制:（1）準(zhǔn)赤道構(gòu)型的T1態(tài)上轉(zhuǎn)換為S1態(tài)eqT1→eqS1;（2）準(zhǔn)赤道構(gòu)型的T2態(tài)轉(zhuǎn)換為S1態(tài)eqT2→eqS1;（3）在構(gòu)象轉(zhuǎn)換過程中T2到S1的上轉(zhuǎn)換。此外,研究了給體取代對發(fā)光特性的影響并對能夠?qū)崿F(xiàn)單構(gòu)象和雙構(gòu)象的給體進(jìn)行了分類,為單發(fā)射分子調(diào)整為雙發(fā)射分子提供了一個新視角。另外,理論設(shè)計(jì)了一系列基于給體PTZ和PXZ的分子,對具有潛在應(yīng)用前景的白光分子進(jìn)行了預(yù)測。本論文共有五章內(nèi)容,第一章為緒論,概述了有機(jī)發(fā)光二極管的研究進(jìn)展、器件結(jié)構(gòu)及工作機(jī)制,并簡述了發(fā)光材料以及單分子有機(jī)白光材料的研究進(jìn)展。第二章簡述了本論文所用的理論方法,包括密度泛函理論（Density Functional Theory,DFT）、含時(shí)密度泛函理論（Time-Dependent Density Functional Theory,TD-DFT）、量子力學(xué)/分子力學(xué)（The Combined Quantum Mechanics and Molecular Mechanics,QM/MM）方法和計(jì)算輻射躍遷速率、無輻射躍遷速率的理論方法。第三章和第四章是基于以上理論方法開展的具體研究工作,其中第三章研究了白光有機(jī)發(fā)光二極管中延遲熒光機(jī)理及分子給體設(shè)計(jì),第四章研究了基于熱活化延遲熒光的白光分子設(shè)計(jì)。最后一章對本論文進(jìn)行了工作總結(jié)與展望。
二、有機(jī)白光發(fā)光二極管研究進(jìn)展（論文開題報(bào)告）
（1）論文研究背景及目的
此處內(nèi)容要求：
首先簡單簡介論文所研究問題的基本概念和背景，再而簡單明了地指出論文所要研究解決的具體問題，并提出你的論文準(zhǔn)備的觀點(diǎn)或解決方法。
寫法范例：
本文主要提出一款精簡64位RISC處理器存儲管理單元結(jié)構(gòu)并詳細(xì)分析其設(shè)計(jì)過程。在該MMU結(jié)構(gòu)中,TLB采用叁個分離的TLB,TLB采用基于內(nèi)容查找的相聯(lián)存儲器并行查找,支持粗粒度為64KB和細(xì)粒度為4KB兩種頁面大小,采用多級分層頁表結(jié)構(gòu)映射地址空間,并詳細(xì)論述了四級頁表轉(zhuǎn)換過程,TLB結(jié)構(gòu)組織等。該MMU結(jié)構(gòu)將作為該處理器存儲系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的一個重要組成部分。
（2）本文研究方法
調(diào)查法：該方法是有目的、有系統(tǒng)的搜集有關(guān)研究對象的具體信息。
觀察法：用自己的感官和輔助工具直接觀察研究對象從而得到有關(guān)信息。
實(shí)驗(yàn)法：通過主支變革、控制研究對象來發(fā)現(xiàn)與確認(rèn)事物間的因果關(guān)系。
文獻(xiàn)研究法：通過調(diào)查文獻(xiàn)來獲得資料，從而全面的、正確的了解掌握研究方法。
實(shí)證研究法：依據(jù)現(xiàn)有的科學(xué)理論和實(shí)踐的需要提出設(shè)計(jì)。
定性分析法：對研究對象進(jìn)行“質(zhì)”的方面的研究，這個方法需要計(jì)算的數(shù)據(jù)較少。
定量分析法：通過具體的數(shù)字，使人們對研究對象的認(rèn)識進(jìn)一步精確化。
跨學(xué)科研究法：運(yùn)用多學(xué)科的理論、方法和成果從整體上對某一課題進(jìn)行研究。
功能分析法：這是社會科學(xué)用來分析社會現(xiàn)象的一種方法，從某一功能出發(fā)研究多個方面的影響。
模擬法：通過創(chuàng)設(shè)一個與原型相似的模型來間接研究原型某種特性的一種形容方法。
三、有機(jī)白光發(fā)光二極管研究進(jìn)展（論文提綱范文）
（1）基于自陷域激子的金屬鹵化物發(fā)光二極管（論文提綱范文）
| 致謝 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 金屬鹵化物鈣鈦礦簡介 |
| 1.2.1 金屬鹵化物鈣鈦礦的結(jié)構(gòu)與維度 |
| 1.2.2 金屬鹵化物鈣鈦礦的光學(xué)性質(zhì) |
| 1.3 鹵化銫銅“類鈣鈦礦材料”簡介 |
| 1.3.1 非鉛鹵化物材料背景 |
| 1.3.2 鹵化銫銅的結(jié)構(gòu)與光學(xué)性質(zhì) |
| 1.3.3 自陷域激子的形成與發(fā)光原理 |
| 1.4 鈣鈦礦發(fā)光二極管簡介 |
| 1.4.1 鈣鈦礦發(fā)光二極管的基本原理 |
| 1.4.2 鈣鈦礦發(fā)光二極管的重要參數(shù) |
| 1.4.3 鉛鹵鈣鈦礦發(fā)光二極管研究現(xiàn)狀 |
| 1.4.4 鹵化銫銅“類鈣鈦礦”材料發(fā)光二極管的研究進(jìn)展 |
| 1.5 本論文的選題依據(jù)與主要內(nèi)容 |
| 2 實(shí)驗(yàn)材料與表征儀器 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)藥品與儀器 |
| 2.2 LED效率測試系統(tǒng)的搭建 |
| 2.2.1 基于積分球的測試系統(tǒng)的搭建 |
| 2.2.2 基于硅光電二極管的測試系統(tǒng)的搭建 |
| 2.2.3 參數(shù)的計(jì)算與公式推導(dǎo) |
| 3 準(zhǔn)二維綠光鈣鈦礦發(fā)光二極管的優(yōu)化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 準(zhǔn)二維綠光PeLED器件的制備 |
| 3.2.1 前驅(qū)溶液的制備 |
| 3.2.2 器件的制備 |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.3.1 準(zhǔn)二維鈣鈦礦薄膜形貌的表征 |
| 3.3.2 準(zhǔn)二維鈣鈦礦薄膜的吸收與PL |
| 3.3.3 準(zhǔn)二維綠光PeLED的電學(xué)表征 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 4 基于自陷域激子的暖白光發(fā)射金屬鹵化物L(fēng)ED |
| 4.1 引言 |
| 4.2 基于CSCu_2I_3的LED器件制備 |
| 4.2.1 前驅(qū)溶液的制備 |
| 4.2.2 器件的制備 |
| 4.3 傳輸層對CsCu_2I_3器件性能的影響 |
| 4.4 前驅(qū)液濃度對CsCu_2I_3器件性能的影響 |
| 4.4.1 CsCu_2I_3薄膜形貌的表征 |
| 4.4.2 CsCu_2I_3薄膜的吸收與PL |
| 4.4.3 CsCu_2I_3電致發(fā)光器件的表征 |
| 4.5 添加劑Tween對CsCu_2I_3 LED器件性能的影響 |
| 4.5.1 添加劑Tween對薄膜形貌的影響 |
| 4.5.2 添加劑Tween對電致發(fā)光器件性能的影響 |
| 4.6 本章小結(jié) |
| 5 結(jié)論 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 作者簡歷 |
（2）基于鄰苯二甲酰亞胺的有機(jī)單分子白光材料的合成與性能研究（論文提綱范文）
| 中文摘要 |
| abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有機(jī)單分子白光發(fā)展概述 |
| 1.2.1 基于激發(fā)態(tài)分子內(nèi)質(zhì)子轉(zhuǎn)移白光材料 |
| 1.2.2 基于熱激活延遲熒光白光材料 |
| 1.2.3 基于激基締合物白光材料 |
| 1.2.4 室溫磷光白光材料 |
| 1.2.5 其他白光材料 |
| 1.3 論文的設(shè)計(jì)思想、創(chuàng)新點(diǎn)和主要研究內(nèi)容 |
| 1.3.1 論文的設(shè)計(jì)思想 |
| 1.3.2 論文的創(chuàng)新點(diǎn) |
| 1.3.3 論文的主要研究內(nèi)容 |
| 2 基于鄰苯二甲酰亞胺4-位修飾的D-A-π-A'型有機(jī)發(fā)光材料的合成及性能研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 2.2.1 原料與試劑 |
| 2.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與儀器 |
| 2.2.3 實(shí)驗(yàn)合成路線圖 |
| 2.2.4 中間體及目標(biāo)產(chǎn)物的合成與表征 |
| 2.3 結(jié)果與討論 |
| 2.3.1 單晶結(jié)構(gòu)分析 |
| 2.3.2 理論計(jì)算 |
| 2.3.3 熱穩(wěn)定性能 |
| 2.3.4 電化學(xué)性能 |
| 2.3.5 光物理性能 |
| 2.3.5.1 溶液、固態(tài)下的光物理性質(zhì) |
| 2.3.5.2 摻雜膜的光物理性質(zhì) |
| 2.3.5.3 機(jī)械致變色發(fā)光性質(zhì) |
| 2.3.6 電致發(fā)光性能 |
| 2.4 本章小結(jié) |
| 3 基于鄰苯二甲酰亞胺4-位修飾的D-A-π-D'型有機(jī)發(fā)光材料的合成及性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 3.2.1 原料與試劑 |
| 3.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與儀器 |
| 3.2.3 實(shí)驗(yàn)合成路線圖 |
| 3.2.4 中間體及目標(biāo)產(chǎn)物的合成與表征 |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.3.1 單晶結(jié)構(gòu)分析 |
| 3.3.2 理論計(jì)算 |
| 3.3.3 熱穩(wěn)定性能 |
| 3.3.4 電化學(xué)性能 |
| 3.3.5 光物理性能 |
| 3.3.5.1 溶液、固態(tài)下的光物理性質(zhì) |
| 3.3.5.2 摻雜膜的光物理性質(zhì) |
| 3.3.5.3 機(jī)械致變色發(fā)光性質(zhì) |
| 3.3.6 電致發(fā)光性能 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 4 基于鄰苯二甲酰亞胺3-位修飾的D-A-π-D'型有機(jī)發(fā)光材料的合成及性能研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.2.1 原料與試劑 |
| 4.2.2 實(shí)驗(yàn)設(shè)備與儀器 |
| 4.2.3 實(shí)驗(yàn)合成路線圖 |
| 4.2.4 中間體及目標(biāo)產(chǎn)物的合成與表征 |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.3.1 單晶結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.3.2 理論計(jì)算 |
| 4.3.3 熱穩(wěn)定性能 |
| 4.3.4 電化學(xué)性能 |
| 4.3.5 光物理性能 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 5 總結(jié)與展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 附錄 A 單晶數(shù)據(jù)一覽表 |
| 附錄 B 主要中間體和目標(biāo)產(chǎn)物核磁、質(zhì)譜圖 |
| 攻讀學(xué)位期間研究成果 |
| 致謝 |
（3）Eu2+摻雜UCr4C4型硅酸鹽發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與發(fā)光性能研究（論文提綱范文）
| 致謝 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 稀土發(fā)光材料相關(guān)概念和理論 |
| 1.2.1 稀土元素簡介 |
| 1.2.2 稀土發(fā)光材料的組成及其光致發(fā)光 |
| 1.2.3 Eu~(2+)離子的發(fā)光理論 |
| 1.3 照明與顯示用稀土發(fā)光材料的研究進(jìn)展 |
| 1.3.1 白光LED簡介 |
| 1.3.2 照明用稀土發(fā)光材料 |
| 1.3.3 顯示技術(shù)簡介 |
| 1.3.4 背光源顯示用稀土發(fā)光材料 |
| 1.4 UCr_4C_4型稀土發(fā)光材料的研究概述 |
| 1.4.1 UCr_4C_4結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及礦物模型演變 |
| 1.4.2 UCr_4C_4型氮(氧)化物稀土發(fā)光材料研究進(jìn)展 |
| 1.4.3 UCr_4C_4型氧化物稀土發(fā)光材料研究進(jìn)展 |
| 1.5 本論文的研究意義、研究內(nèi)容和技術(shù)路線圖 |
| 1.5.1 研究意義 |
| 1.5.2 研究內(nèi)容 |
| 1.5.3 技術(shù)路線圖 |
| 2 UCr_4C_4型窄帶青色熒光粉的設(shè)計(jì)與發(fā)光性能研究 |
| 2.1 超窄青色熒光粉_NaK(Li_3SiO_4)_2:Eu~(2+)的研究 |
| 2.1.1 材料的制備與表征 |
| 2.1.2 物相及結(jié)構(gòu)分析 |
| 2.1.3 窄帶發(fā)光性能研究 |
| 2.1.4 熱穩(wěn)定性分析及白光LED器件性能評價(jià) |
| 2.2 陽離子取代調(diào)控MNa_2K(Li_3SiO_4)_4:Eu~(2+)窄帶青色發(fā)光性能 |
| 2.2.1 材料的制備與表征 |
| 2.2.2 物相及結(jié)構(gòu)分析 |
| 2.2.3 發(fā)光性能調(diào)控 |
| 2.2.4 熱穩(wěn)定性分析及LED器件性能評價(jià) |
| 2.3 本章小結(jié) |
| 3 UCr_4C_4型窄帶綠色熒光粉的設(shè)計(jì)、發(fā)光性能與穩(wěn)定性研究 |
| 3.1 窄帶綠色熒光粉RbLi(Li_3SiO_4)_2:Eu~(2+)的研究 |
| 3.1.1 材料的制備與表征 |
| 3.1.2 物相及結(jié)構(gòu)分析 |
| 3.1.3 窄帶發(fā)光性能研究 |
| 3.1.4 穩(wěn)定性分析及白光LED器件性能評價(jià) |
| 3.2 RbLi(Li_3SiO_4)_2:Eu~(2+)的雙殼層包覆與穩(wěn)定性研究 |
| 3.2.1 材料的制備與表征 |
| 3.2.2 包覆過程與機(jī)理研究 |
| 3.2.3 包覆對熒光粉物相與表面結(jié)構(gòu)的影響 |
| 3.2.4 耐濕性能分析及白光LED器件性能評價(jià) |
| 3.3 本章小結(jié) |
| 4 UCr_4C_4型單基質(zhì)白光發(fā)射NaLi_3SiO_4:Eu~(2+)熒光粉的設(shè)計(jì)與發(fā)光機(jī)制研究 |
| 4.1 材料的制備與表征 |
| 4.2 理論計(jì)算分析 |
| 4.3 物相及結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.4 發(fā)光機(jī)制及熱穩(wěn)定性分析 |
| 4.5 白光LED器件性能評價(jià) |
| 4.6 本章小結(jié) |
| 5 結(jié)論與展望 |
| 5.1 結(jié)論 |
| 5.2 展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 作者簡歷及在學(xué)研究成果 |
| 學(xué)位論文數(shù)據(jù)集 |
（4）Mn基有機(jī)（CH6N3Cl）無機(jī)雜化金屬鹵化物的發(fā)光調(diào)控及其器件（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 金屬鹵化物材料的制備方法 |
| 1.2.1 旋轉(zhuǎn)旋涂法 |
| 1.2.2 反溶劑法 |
| 1.2.3 機(jī)械化學(xué)法 |
| 1.2.4 溶液結(jié)晶法 |
| 1.2.5 溶劑熱法 |
| 1.3 金屬鹵化物發(fā)光材料的應(yīng)用 |
| 1.3.1 LED領(lǐng)域的應(yīng)用 |
| 1.3.1.1 色坐標(biāo)(CIE) |
| 1.3.1.2 色溫(CCT) |
| 1.3.1.3 顯色指數(shù)(CRI) |
| 1.3.1.4 發(fā)光效率 |
| 1.3.2 其他應(yīng)用 |
| 1.4 本文選題背景與研究內(nèi)容 |
| 1.4.1 選題意義 |
| 1.4.2 研究內(nèi)容 |
| 第二章 實(shí)驗(yàn)與表征 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)藥品與試劑 |
| 2.2 表征方法 |
| 2.2.1 粉末X射線衍射(XRD) |
| 2.2.2 場發(fā)射電子掃描顯微電鏡(SEM) |
| 2.2.3 拉曼光譜分析(Raman) |
| 2.2.4 光譜性質(zhì)分析(PL、PLE、PLQY、TRPL) |
| 第三章 無鉛Mn基紅光有機(jī)無機(jī)雜化金屬鹵化物(CH_6N_3)_2MnCl_4 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 3.2.1 實(shí)驗(yàn)藥品與試劑 |
| 3.2.2 (CH_6N_3)_2MnCl_4的合成 |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.3.1 (CH_6N_3)_2MnCl_4粉末晶體的結(jié)構(gòu)表征 |
| 3.3.2 (CH_6N_3)_2MnCl_4粉末晶體的發(fā)光性能 |
| 3.3.3 (CH_6N_3)_2MnCl_4粉末晶體的發(fā)光溫度依賴特性 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 用于高性能暖白光LED的無鉛紅光Mn基有機(jī)無機(jī)雜化鹵化物(CH_6N_3)_2MnCl_4:8%Zn~(2+) |
| 4.1 引言 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.2.1 實(shí)驗(yàn)藥品與試劑 |
| 4.2.2 (CH_6N_3)_2MnCl_4: 8%Zn~(2+)的合成 |
| 4.2.3 WLED的制備 |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.3.1 Zn~(2+)摻雜(CH_6N_3)_2MnCl_4 |
| 4.3.2 (CH_6N_3)_2MnCl_4: 8%Zn~(2+)制備WLEDs |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 無鉛Mn基紅光有機(jī)無機(jī)雜化金屬鹵化物(CH_(6N3))_(2Mn)Cl_4:4%Sb~(3+) |
| 5.1 引言 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 5.2.1 實(shí)驗(yàn)藥品與試劑 |
| 5.2.2 (CH_6N_3)_2MnCl_4:4%Sb~(3+)的合成 |
| 5.3 結(jié)果與討論 |
| 5.3.1 (CH_6N_3)_2MnCl_4:xSb~(3+)(x=0-10%)的XRD |
| 5.3.2 (CH_6N_3)_2MnCl_4:xSb~(3+)(x=0-10%)的發(fā)光性能 |
| 5.3.3 (CH_6N_3)_2MnCl_4:xSb~(3+)(x=0-10%)的壽命 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 結(jié)論與展望 |
| 6.1 結(jié)論 |
| 6.2 本論文的主要創(chuàng)新點(diǎn) |
| 6.3 展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 致謝 |
| 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文 |
（5）過渡金屬錳離子激活的紅色熒光粉的可控合成與發(fā)光性能（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 緒論 |
| 1.1 白光LED的發(fā)展史 |
| 1.2 熒光粉轉(zhuǎn)化型白光LED的實(shí)現(xiàn)方式 |
| 1.3 白光LED用紅色熒光粉 |
| 1.4 Mn~(4+)摻雜的紅色熒光粉的研究進(jìn)展 |
| 1.4.1 氧化物體系紅色熒光粉 |
| 1.4.2 氟氧化物體系紅色熒光粉 |
| 1.4.3 氟化物體系紅色熒光粉 |
| 1.5 Mn~(4+)摻雜氟化物紅色熒光粉存在的問題 |
| 1.5.1 改善熱穩(wěn)定性的方法 |
| 1.5.2 提高抗?jié)裥缘姆椒?/td> |
| 1.6 課題設(shè)計(jì)與研究內(nèi)容 |
| 第2章 實(shí)驗(yàn)藥品、儀器和測試方法 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)藥品及試劑 |
| 2.2 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 2.3 表征方法 |
| 2.3.1 X-射線衍射(XRD)分析 |
| 2.3.2 掃描電子顯微鏡(SEM)及能量色散譜(EDS)分析 |
| 2.3.3 光學(xué)性質(zhì)測試 |
| 2.3.4 紫外可見漫反射光譜(DRS)分析 |
| 2.3.5 熱重(TG)分析 |
| 2.3.6 光電參數(shù)測定 |
| 第3章 Mn~(4+)等價(jià)摻雜紅色熒光粉的合成、發(fā)光性能和在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 3.2.1 K2Mn F6 的合成 |
| 3.2.2 BaGeF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 3.2.3 K_2GeF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 3.2.4 白光LED器件的封裝 |
| 3.3 BaGe F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的表征 |
| 3.3.1 樣品結(jié)構(gòu)、形貌和元素組成分析 |
| 3.3.2 熒光性質(zhì)分析 |
| 3.3.3 制備條件對樣品結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能的影響 |
| 3.3.4 熱穩(wěn)定性分析 |
| 3.3.5 BaGeF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 3.4 K_2Ge F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的表征 |
| 3.4.1 樣品結(jié)構(gòu)、形貌和元素組成分析 |
| 3.4.2 熒光性質(zhì)分析 |
| 3.4.3 制備條件對樣品結(jié)構(gòu)和發(fā)光性能的影響 |
| 3.4.4 熱穩(wěn)定性分析 |
| 3.4.5 K_2GeF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 3.5 本章小結(jié) |
| 第4章 Mn~(4+)非等價(jià)摻雜紅色熒光粉的合成、發(fā)光性能和在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.2.1 K2Mn F6 的合成 |
| 4.2.2 Na_3Al F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 4.2.3 (NH_4)_2NaInF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 4.2.4 白光LED器件的封裝 |
| 4.3 Na_3Al F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的表征 |
| 4.3.1 相純度和晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.3.2 形貌和元素組成分析 |
| 4.3.3 熒光性質(zhì)分析 |
| 4.3.4 晶體場參數(shù)和電子云重排效應(yīng)分析 |
| 4.3.5 制備條件對樣品結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能的影響 |
| 4.3.6 Na_3Al F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 4.4 (NH_4)_2NaIn F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的表征 |
| 4.4.1 相純度和晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 4.4.2 形貌和元素組成分析 |
| 4.4.3 熒光性質(zhì)分析 |
| 4.4.4 制備條件對樣品結(jié)構(gòu)、形貌和發(fā)光性能的影響 |
| 4.4.5 熱穩(wěn)定性分析 |
| 4.4.6 (NH_4)_2NaInF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 第5章 金屬離子與Mn~(4+)共摻雜紅色熒光粉的合成、發(fā)光性能和在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 5.2.1 K2Mn F6 的合成 |
| 5.2.2 K_2LiAl_(1-y)Ga_yF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 5.2.3 Na_2Si_(1-y)Ge_yF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 5.2.4 白光LED器件的封裝 |
| 5.3 K_2Li Al_(1-y)Ga_yF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的表征 |
| 5.3.1 相純度和晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.3.2 形貌和元素組成分析 |
| 5.3.3 熒光性質(zhì)分析 |
| 5.3.4 晶體場參數(shù)和電子云重排效應(yīng)分析 |
| 5.3.5 熱穩(wěn)定性分析 |
| 5.3.6 K_2LiAl_(0.4)Ga_(0.6)F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 5.4 Na_2Si_(1-y)Ge_yF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的表征 |
| 5.4.1 相純度和晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 5.4.2 形貌和元素組成分析 |
| 5.4.3 熒光性質(zhì)分析 |
| 5.4.4 晶體場參數(shù)和電子云重排效應(yīng)分析 |
| 5.4.5 疏水穩(wěn)定性分析 |
| 5.4.6 熱穩(wěn)定性分析 |
| 5.4.7 Na_2Si_(0.5)Ge_(0.5)F_6:Mn~(4+)紅色熒光粉在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 5.5 本章小結(jié) |
| 第6章 Na_2GeF_6:Mn~(4+)紅光發(fā)射二維納米纖維膜的合成以及在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 6.2.1 K2Mn F6 的合成 |
| 6.2.2 Na_2GeF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 6.2.3 Na_2GeF_6:Mn~(4+)納米纖維膜的制備 |
| 6.2.4 白光LED器件的封裝 |
| 6.3 結(jié)果與討論 |
| 6.3.1 相純度和晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 6.3.2 形貌和元素組成分析 |
| 6.3.3 熒光性質(zhì)分析 |
| 6.3.4 晶體場參數(shù)和電子云重排效應(yīng)分析 |
| 6.3.5 熱穩(wěn)定性分析 |
| 6.3.6 Na_2GeF_6:Mn~(4+)顆粒和納米纖維膜在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 6.4 本章小結(jié) |
| 第7章 新型核殼結(jié)構(gòu)BaGe F_6:Mn~(4+)熒光粉的合成和性能研究 |
| 7.1 引言 |
| 7.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 7.2.1 K2Mn F6 的合成 |
| 7.2.2 BaGeF_6:Mn~(4+)紅色熒光粉的合成 |
| 7.2.3 BaGeF_6:Mn~(4+)@PPG紅色熒光粉的合成 |
| 7.2.4 NaGd F_4:Dy~(3+)納米熒光粉的合成 |
| 7.2.5 BaGeF_6:Mn~(4+)@PPG-NaGdF_4:Dy~(3+)復(fù)合熒光粉的合成 |
| 7.2.6 白光LED器件的封裝 |
| 7.3 結(jié)果與討論 |
| 7.3.1 相純度和晶體結(jié)構(gòu)分析 |
| 7.3.2 形貌和元素組成分析 |
| 7.3.3 熒光性質(zhì)分析 |
| 7.3.4 熒光粉疏水穩(wěn)定性分析和在暖白光LED中的應(yīng)用 |
| 7.3.5 BaGeF_6:Mn~(4+)@PPG-NaGdF_4:Dy~(3+)復(fù)合熒光粉中的能量轉(zhuǎn)移 |
| 7.3.6 暖白光發(fā)射和可調(diào)發(fā)光的研究 |
| 7.4 本章小結(jié) |
| 第8章 結(jié)論與展望 |
| 8.1 結(jié)論及創(chuàng)新點(diǎn) |
| 8.1.1 結(jié)論 |
| 8.1.2 創(chuàng)新點(diǎn) |
| 8.2 展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀博士學(xué)位期間取得的成果 |
| 致謝 |
（6）高固態(tài)發(fā)光效率藍(lán)色熒光材料在白光有機(jī)發(fā)光二極管中的應(yīng)用研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 前言 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 有機(jī)電致發(fā)光的發(fā)展歷程 |
| 1.3 白光有機(jī)發(fā)光二極管簡介 |
| 1.3.1 白光有機(jī)發(fā)光二極管的器件結(jié)構(gòu)和發(fā)光過程 |
| 1.3.2 傳統(tǒng)熒光材料,磷光材料和熱活化延遲熒光材料 |
| 1.3.3 白光有機(jī)發(fā)光二極管的性能評價(jià)參數(shù) |
| 1.4 白光有機(jī)發(fā)光二極管的分類 |
| 1.4.1 全熒光WOLEDs |
| 1.4.2 全磷光WOLEDs |
| 1.4.3 熒光-磷光混合型WOLEDs |
| 1.4.3.1 基于傳統(tǒng)藍(lán)色熒光材料的熒光-磷光混合型WOLEDs |
| 1.4.3.2 基于TADF藍(lán)色熒光材料的熒光-磷光混合型WOLEDs |
| 1.5 本論文選題依據(jù)和研究思路 |
| 1.5.1 論文選題依據(jù) |
| 1.5.2 研究思路 |
| 第2章 基于蒽的衍生物TPAATPE的混合型WOLEDs |
| 2.1 引言 |
| 2.2 化合物的合成與結(jié)構(gòu)表征 |
| 2.3 化合物的基本性質(zhì) |
| 2.3.1 熱力學(xué)性質(zhì) |
| 2.3.2 理論模擬 |
| 2.3.3 光物理性質(zhì) |
| 2.3.4 電化學(xué)性質(zhì) |
| 2.4 化合物的器件性能 |
| 2.4.1 單載流子器件 |
| 2.4.2 非摻雜藍(lán)光OLEDs |
| 2.4.3 磷光OLEDs |
| 2.4.4 雙色混合型WOLEDs |
| 2.4.5 三色混合型WOLEDs |
| 2.5 本章小結(jié) |
| 第三章 基于菲并咪唑-苯-硫醚藍(lán)光分子的混合型WOLEDs |
| 3.1 引言 |
| 3.2 PPPIS和 PPIDPS的基本性質(zhì)比較 |
| 3.2.1 PPPIS和 PPIDPS的光物理性質(zhì)以及理論模擬 |
| 3.2.2 PPPIS和 PPIDPS的電化學(xué)性質(zhì) |
| 3.3 化合物的器件性能 |
| 3.3.1 單載流子器件 |
| 3.3.2 非摻雜藍(lán)光OLEDs |
| 3.3.3 黃色磷光OLEDs |
| 3.3.4 雙色混合型WOLEDs |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 基于菲并咪唑-聯(lián)苯藍(lán)光分子的混合型WOLEDs |
| 4.1 引言 |
| 4.2 PPPIS和 PPIM的性質(zhì)比較 |
| 4.3 PPIM的性質(zhì)研究 |
| 4.3.1 PPIM的熱力學(xué)性質(zhì) |
| 4.3.2 PPIM的晶體結(jié)構(gòu) |
| 4.3.3 PPIM的光物理性質(zhì) |
| 4.3.4 PPIM的器件性能 |
| 4.3.4.1 PPIM的單載流子器件 |
| 4.3.4.2 PPIM的非摻雜藍(lán)光OLEDs |
| 4.3.4.3 PPIM的磷光OLEDs |
| 4.3.4.4 基于PPIM的雙色WOLEDs |
| 4.3.3.5 基于PPIM的三色WOLEDs |
| 4.3.3.6 基于PPIM和 PTZ-B的三色WOLEDs |
| 4.4 PPIM和 PPI的性質(zhì)對比 |
| 4.4.1 PPIM和 PPI的熱力學(xué)性質(zhì)對比 |
| 4.4.2 PPIM和 PPI的光物理性質(zhì)對比 |
| 4.4.3 PPIM和 PPI的電化學(xué)性質(zhì)比較 |
| 4.4.4 PPIM和 PPI的器件性能對比 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 第五章 基于芘并咪唑-聯(lián)苯藍(lán)光分子的混合型WOLEDs |
| 5.1 引言 |
| 5.2 化合物的合成與基本表征 |
| 5.3 化合物的基本性質(zhì) |
| 5.3.1 熱力學(xué)性質(zhì) |
| 5.3.2 晶體結(jié)構(gòu) |
| 5.3.3 光物理性質(zhì) |
| 5.3.4 電化學(xué)性質(zhì) |
| 5.4 器件性能 |
| 5.4.1 單載流子器件 |
| 5.4.2 非摻雜藍(lán)光OLEDs |
| 5.4.3 混合型WOLEDs |
| 5.5 本章小結(jié) |
| 第六章 實(shí)驗(yàn)用品和測試設(shè)備 |
| 6.1 實(shí)驗(yàn)試劑和藥品 |
| 6.2 測試設(shè)備和方法 |
| 結(jié)論與展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 附錄 |
| 作者簡歷 |
| 致謝 |
（7）氧化鋅納米結(jié)構(gòu)電致白光發(fā)光器件研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 緒論 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 白光發(fā)光二極管 |
| 1.3 ZnO納米材料概述 |
| 1.4 ZnO納米結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn) |
| 1.4.1 氧化鋅納米棒(NRs) |
| 1.4.2 氧化鋅量子點(diǎn)(ZnO QDs) |
| 1.5 ZnO納米結(jié)構(gòu)發(fā)光器件 |
| 1.5.1 氧化鋅發(fā)光機(jī)理介紹 |
| 1.5.2 ZnO納米結(jié)構(gòu)發(fā)光器件的發(fā)展 |
| 1.6 本文研究目標(biāo)與主要研究內(nèi)容 |
| 1.6.1 本文研究目標(biāo) |
| 1.6.2 本文研究內(nèi)容 |
| 2 實(shí)驗(yàn)測試設(shè)備與試驗(yàn)方案 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
| 2.1.1 實(shí)驗(yàn)試劑 |
| 2.1.2 儀器設(shè)備 |
| 2.2 測試設(shè)備 |
| 2.2.1 掃描電子顯微鏡(SEM) |
| 2.2.2 原子力顯微鏡(AFM) |
| 2.2.3 X射線衍射儀(XRD) |
| 2.3 試驗(yàn)方案 |
| 2.3.1 制備氧化鋅納米結(jié)構(gòu) |
| 2.3.2 制備氧化鋅納米結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管 |
| 3 氧化鋅納米棒發(fā)光二極管制備及表征 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 氧化鋅納米棒常用的合成方法 |
| 3.2.1 水熱法 |
| 3.2.2 化學(xué)氣相沉積法 |
| 3.2.3 電化學(xué)沉積 |
| 3.3 制備氧化鋅納米棒發(fā)光二極管實(shí)驗(yàn)流程 |
| 3.3.1 清洗基底 |
| 3.3.2 制備氧化鋅種子層 |
| 3.3.3 生長氧化鋅納米棒 |
| 3.3.4 退火 |
| 3.3.5 制備氧化鋅納米棒發(fā)光二極管 |
| 3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論 |
| 3.4.1 氧化鋅納米棒結(jié)構(gòu)形貌分析 |
| 3.5 本章小結(jié) |
| 4 氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光二極管制備及表征 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 氧化鋅量子點(diǎn)常用的合成方法 |
| 4.2.1 溶膠-凝膠法 |
| 4.2.2 超聲波微反應(yīng)器法 |
| 4.2.3 射頻合成法 |
| 4.3 制備氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光二極管實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 |
| 4.3.1 制備氧化鋅量子點(diǎn) |
| 4.3.2 清洗基底 |
| 4.3.3 制備氧化鋅量子點(diǎn)發(fā)光二極管 |
| 4.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論 |
| 4.4.1 AFM形貌表征 |
| 4.4.2 光致發(fā)光(PL)性能表征 |
| 4.4.3 電致發(fā)光(EL)性能表征 |
| 4.5 本章小結(jié) |
| 結(jié)論 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況 |
| 致謝 |
（8）Mn4+摻雜氟化物紅光熒光粉的表面改性及其耐熱、耐水性研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 符號說明 |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 白光發(fā)光二極管概述 |
| 1.2 Mn~(4+)摻雜氟化物紅光熒光粉的研究進(jìn)展 |
| 1.3 石墨烯量子點(diǎn)等碳納米材料摻雜熒光粉研究動態(tài) |
| 1.4 Mn~(4+)摻雜氟化物紅光熒光粉的合成方法 |
| 1.5 本論文的選題依據(jù)及研究內(nèi)容 |
| 第二章 實(shí)驗(yàn)及表征方法 |
| 2.1 實(shí)驗(yàn)試劑與儀器 |
| 2.1.1 實(shí)驗(yàn)試劑及來源 |
| 2.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器 |
| 2.2 K_2MnF_6合成 |
| 2.3 主要表征方法 |
| 2.3.1 X射線粉末衍射分析 |
| 2.3.2 掃描電子顯微鏡和X射線能譜分析測試 |
| 2.3.3 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜儀測試 |
| 2.3.4 X射線光電子能譜分析 |
| 2.3.5 紅外光譜測試 |
| 2.3.6 熒光光譜測試 |
| 2.3.7 光致發(fā)光量子效率測試 |
| 2.3.8 熒光壽命測試 |
| 2.3.9 耐水性能測試 |
| 2.3.10 TG測試 |
| 2.3.11 LED封裝 |
| 第三章 K_2SiF_6:Mn~(4+)@X(X= GQDs,K_2SiF_6)熒光粉的合成及發(fā)光性能研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 3.2.1 制備K_2SiF_6:Mn~(4+) |
| 3.2.2 K_2SiF_6:Mn~(4+)@Cl-GQDs |
| 3.2.3 K_2SiF_6:Mn~(4+)@K_2SiF_6 |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.3.1 K_2SiF_6:Mn~(4+)@GQDs熒光粉 |
| 3.3.2 K_2SiF_6:Mn~(4+)@K_2SiF_6熒光粉 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 雙核殼結(jié)構(gòu)K_2XF_6:Mn~(4+)@GQDs@K_2XF_6(X=Ti,Si)熒光粉的合成及發(fā)光性能研究 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.2.1 制備K_2MnF_6 |
| 4.2.2 制備K_2XF_6:Mn~(4+)(X= Ti,Si) |
| 4.2.3 制備K_2TiF_6@GQDs |
| 4.2.4 K_2XF_6:Mn~(4+)@GQDs(X= Ti,Si) |
| 4.2.5 K_2XF_6:Mn~(4+)@GQDs@K_2XF_6(X= Ti,Si) |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.3.1 物相、形貌、成分分析 |
| 4.3.2 室溫發(fā)光性能分析 |
| 4.3.3 Mn/X(X= Ti,Si)摩爾比對發(fā)光特性的影響 |
| 4.3.4 不同GQDs濃度下的發(fā)光特性 |
| 4.3.5 不同K_2XF_6(X= Ti,Si)濃度下的發(fā)光特性 |
| 4.3.6 耐水性分析 |
| 4.3.7 熒光熱穩(wěn)定性分析 |
| 4.3.8 原型WLEDs的發(fā)光性能 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 K_3Zr F_7:Mn~(4+)@GQDs@K_2SiF_6熒光粉的合成及發(fā)光性能研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 5.2.1制備K_2MnF_6 |
| 5.2.2 K_3Zr F_7:Mn~(4+) |
| 5.2.3 K_3Zr F_7:Mn~(4+)@GQDs |
| 5.2.4 K_3Zr F_7:Mn~(4+)@GQDs@K_2SiF_6 |
| 5.3 結(jié)果與討論 |
| 5.3.1 物相、形貌、成分分析 |
| 5.3.2 室溫發(fā)光性能分析 |
| 5.3.3 Mn/Zr摩爾比對發(fā)光性質(zhì)的影響 |
| 5.3.4 不同GQDs濃度下的發(fā)光特性 |
| 5.3.5 K_3Zr F_7:0.04Mn~(4+)@GQDs_(6 mg/mol) @z K_2SiF_6的發(fā)光特性 |
| 5.3.6 耐水性分析 |
| 5.3.7 熒光熱穩(wěn)定性分析 |
| 5.3.8 原型WLEDs的發(fā)光性能 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 結(jié)論與展望 |
| 6.1 結(jié)論 |
| 6.2 展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 致謝 |
| 攻讀碩士學(xué)位期間主持及參加的項(xiàng)目和發(fā)表的論文 |
（9）Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦晶體的壓力誘導(dǎo)發(fā)光增強(qiáng)研究（論文提綱范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 高壓科學(xué)簡介 |
| 1.2 金屬鹵素鈣鈦礦材料 |
| 1.2.1 鈣鈦礦材料維度的可調(diào)性 |
| 1.2.2 二維有機(jī)-無機(jī)鹵化鈣鈦礦的研究進(jìn)展 |
| 1.3 金屬鹵素鈣鈦礦材料的高壓研究現(xiàn)狀 |
| 1.4 本論文的研究內(nèi)容和意義 |
| 第二章 高壓裝置及原位測試技術(shù) |
| 2.1 金剛石對頂砧壓機(jī)裝置 |
| 2.2 原位高壓測量技術(shù) |
| 2.2.1 原位高壓熒光光譜 |
| 2.2.2 原位高壓紫外-可見吸收光譜 |
| 2.2.3 原位高壓拉曼光譜 |
| 2.2.4 原位高壓紅外吸收光譜 |
| 2.2.5 原位高壓ADXRD實(shí)驗(yàn) |
| 第三章 高壓下二維鈣鈦礦(ETA)_2PbI_4的熒光增強(qiáng)與壓致變色 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.3.1 原位高壓熒光光譜及其分析 |
| 3.3.2 原位紫外-可見吸收光譜及其分析 |
| 3.3.3 原位高壓同步輻射XRD圖譜及其分析 |
| 3.3.4 原位高壓拉曼光譜及其分析 |
| 3.3.5 理論計(jì)算及其分析 |
| 3.3.6 壓力誘導(dǎo)熒光增強(qiáng)的分析 |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 高壓下二維鈣鈦礦(2meptH_2)PbCl_4的熒光增強(qiáng)與白光調(diào)制 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.3.1 原位高壓熒光光譜及其分析 |
| 4.3.2 原位高壓紫外-可見吸收光譜及其分析 |
| 4.3.3 原位高壓同步輻射XRD圖譜及其分析 |
| 4.3.4 原位高壓紅外吸收光譜實(shí)驗(yàn)及其分析 |
| 4.3.5 壓力誘導(dǎo)熒光增強(qiáng)的分析 |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 二維雙鈣鈦礦(BA)_4AgBiBr_8的壓力誘導(dǎo)發(fā)光研究 |
| 5.1 研究背景 |
| 5.2 實(shí)驗(yàn)部分 |
| 5.3 結(jié)果與討論 |
| 5.3.1 原位高壓熒光光譜及其分析 |
| 5.3.2 原位高壓紫外可見吸收光譜及其分析 |
| 5.3.3 原位高壓ADXRD圖譜及其分析 |
| 5.3.4 原位高壓紅外吸收光譜及其分析 |
| 5.3.5 帶隙理論計(jì)算結(jié)果分析 |
| 5.3.6 機(jī)理分析 |
| 5.4 本章小結(jié) |
| 第六章 結(jié)論與展望 |
| 6.1 論文結(jié)論 |
| 6.2 未來展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 作者簡介 |
| 攻讀博士學(xué)位期間發(fā)表的文章 |
| 致謝 |
（10）白光有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理研究及分子設(shè)計(jì)（論文提綱范文）
| 中文摘要 |
| Abstract |
| 第一章 緒論 |
| 1.1 有機(jī)發(fā)光二極管概述 |
| 1.1.1 研究進(jìn)展 |
| 1.1.2 器件結(jié)構(gòu)及工作機(jī)制 |
| 1.2 發(fā)光材料的研究進(jìn)展 |
| 1.2.1 熒光材料 |
| 1.2.2 磷光材料 |
| 1.2.3 熱活化延遲熒光材料 |
| 1.2.4 有機(jī)室溫磷光材料 |
| 1.3 單分子有機(jī)白光材料的研究進(jìn)展 |
| 1.3.1 激基締合物白光材料 |
| 1.3.2 激發(fā)態(tài)分子內(nèi)質(zhì)子轉(zhuǎn)移白光材料 |
| 1.3.3 聚合物白光材料 |
| 1.3.4 熱活化延遲熒光白光材料 |
| 1.4 本論文的研究目的與研究內(nèi)容 |
| 第二章 理論方法 |
| 2.1 相關(guān)計(jì)算理論基礎(chǔ) |
| 2.1.1 密度泛函理論 |
| 2.1.2 含時(shí)密度泛函理論 |
| 2.1.3 量子力學(xué)/分子力學(xué)方法 |
| 2.2 激發(fā)態(tài)衰減理論 |
| 2.2.1 輻射躍遷速率 |
| 2.2.2 無輻射躍遷速率 |
| 第三章 白光有機(jī)發(fā)光二極管中延遲熒光機(jī)理研究及分子給體設(shè)計(jì) |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 計(jì)算細(xì)節(jié) |
| 3.3 結(jié)果與討論 |
| 3.3.1 幾何結(jié)構(gòu)與電子結(jié)構(gòu) |
| 3.3.2 激發(fā)態(tài)衰減率 |
| 3.3.3 聚集效應(yīng) |
| 3.3.4 分子設(shè)計(jì) |
| 3.4 本章小結(jié) |
| 第四章 基于熱活化延遲熒光的白光分子設(shè)計(jì) |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 計(jì)算細(xì)節(jié) |
| 4.3 結(jié)果與討論 |
| 4.3.1 幾何結(jié)構(gòu) |
| 4.3.2 上轉(zhuǎn)換機(jī)制 |
| 4.3.3 瞬時(shí)熒光和延遲熒光的不同發(fā)光行為 |
| 4.3.4 單發(fā)射分子到雙發(fā)射分子的調(diào)整 |
| 4.3.5 分子設(shè)計(jì) |
| 4.4 本章小結(jié) |
| 第五章 總結(jié)與展望 |
| 5.1 工作總結(jié) |
| 5.2 工作展望 |
| 參考文獻(xiàn) |
| 攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果 |
| 致謝 |
四、有機(jī)白光發(fā)光二極管研究進(jìn)展（論文參考文獻(xiàn)）
- [1]基于自陷域激子的金屬鹵化物發(fā)光二極管[D]. 朱毅. 浙江大學(xué), 2021(09)
- [2]基于鄰苯二甲酰亞胺的有機(jī)單分子白光材料的合成與性能研究[D]. 楊慧芳. 常州大學(xué), 2021(01)
- [3]Eu2+摻雜UCr4C4型硅酸鹽發(fā)光材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與發(fā)光性能研究[D]. 趙鳴. 北京科技大學(xué), 2021(08)
- [4]Mn基有機(jī)（CH6N3Cl）無機(jī)雜化金屬鹵化物的發(fā)光調(diào)控及其器件[D]. 王詩藝. 廣西大學(xué), 2021(12)
- [5]過渡金屬錳離子激活的紅色熒光粉的可控合成與發(fā)光性能[D]. 洪峰. 長春理工大學(xué), 2021(01)
- [6]高固態(tài)發(fā)光效率藍(lán)色熒光材料在白光有機(jī)發(fā)光二極管中的應(yīng)用研究[D]. 劉輝. 吉林大學(xué), 2021(01)
- [7]氧化鋅納米結(jié)構(gòu)電致白光發(fā)光器件研究[D]. 孟德峰. 大連理工大學(xué), 2021(01)
- [8]Mn4+摻雜氟化物紅光熒光粉的表面改性及其耐熱、耐水性研究[D]. 李月蘭. 廣西大學(xué), 2021
- [9]Ruddlesden-Popper型二維單層鈣鈦礦晶體的壓力誘導(dǎo)發(fā)光增強(qiáng)研究[D]. 房媛媛. 吉林大學(xué), 2021(01)
- [10]白光有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)光機(jī)理研究及分子設(shè)計(jì)[D]. 李飛雁. 山東師范大學(xué), 2021(12)
標(biāo)簽：夜光粉論文; 熒光材料論文; 熒光分析法論文; 熒光強(qiáng)度論文; 熒光壽命論文;